磁存储器装置和控制其畴尺寸的方法与流程

本公开涉及磁存储器装置，并且具体地，涉及具有可被主动控制的畴尺寸的磁存储器装置。

背景技术：

1、由于对高速和/或低功耗的电子装置的需求不断增加，因此对用作具有快速操作速度和/或低操作电压的电子装置内的组件的存储器装置的需求也相应增加。正在考虑和开发磁存储器装置以满足这样的需求。磁存储器装置具有诸如延迟减小和/或非易失性的技术优势，并且正在涌现为下一代存储器装置。最近，正在研究和开发利用磁畴壁的移动的新的磁存储器装置。

技术实现思路

1、本发明构思的一些方面提供了具有可被主动控制的畴尺寸的磁存储器装置。

2、本发明构思的一些方面提供了主动控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。

3、根据本发明构思的一些实施例，一种磁存储器装置可包括：磁轨，其具有第一端和第二端，磁轨在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的在第一端和第二端之间的偏置点处，第一电极被配置为向磁轨施加电压。磁轨可包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的第一电流密度与第二区域中的第二电流密度之间的差异。

4、根据本发明构思的一些实施例，一种磁存储器装置可包括：磁轨，其包括包含重金属的导线和在导线上的磁线；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在磁轨上并且彼此相邻；以及读/写元件，其在第一电极和第二电极之间设置在磁线上。第一电极可被配置为向导线施加第一电压，并且第二电极可被配置为向导线施加第二电压。

5、根据本发明构思的一些实施例，可提供一种控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。这里，磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸并且包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处。该方法可包括：分别向第一端和第二端施加第一电压和第二电压，以使限定磁畴的磁畴壁在第一方向上移动；以及向第一电极施加第三电压以使磁畴壁在第一区域中以磁畴壁的第一速度移动并且在第二区域中以第二速度移动，第一速度不同于第二速度。

技术特征：

1.一种磁存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，所述磁存储器装置被配置为使得所述磁轨中的磁畴壁在所述第一方向上从所述第一端朝着所述第二端移动，

3.根据权利要求2所述的磁存储器装置，其中，所述第一区域中的所述第一电流密度大于所述第二区域中的所述第二电流密度，并且

4.根据权利要求2所述的磁存储器装置，其中，所述第一区域中的磁畴在所述第一方向上具有第一宽度，

5.根据权利要求1所述的磁存储器装置，还包括：

6.根据权利要求5所述的磁存储器装置，其中，所述第一电极被配置为增大所述磁轨的正在所述第一方向上移动的磁畴的尺寸，

7.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，所述磁轨包括：

8.根据权利要求7所述的磁存储器装置，其中，所述第一电极设置在所述导线的底表面上并且与所述底表面接触。

9.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中，所述磁轨包括在所述第一方向上以线形状延伸的第一部分以及包括弯曲形状的第二部分，并且

10.根据权利要求9所述的磁存储器装置，其中，在所述磁轨中移动的磁畴的尺寸被所述第二部分改变，并且

11.一种磁存储器装置，包括：

12.根据权利要求11所述的磁存储器装置，其中，第一电压源被配置为向所述导线的第一端施加第三电压，

13.根据权利要求12所述的磁存储器装置，其中，所述第二区域中的磁畴的尺寸大于所述第一区域中的磁畴的尺寸，并且

14.根据权利要求11所述的磁存储器装置，其中，所述磁轨包括竖直延伸部分、水平延伸部分、以及在所述竖直延伸部分和所述水平延伸部分之间的弯曲部分，并且

15.根据权利要求11所述的磁存储器装置，其中，所述磁线在第一方向上延伸，

16.一种控制磁存储器装置的畴尺寸的方法，其中，所述磁存储器装置包括在第一方向上延伸的磁轨以及设置在所述磁轨的偏置点处的第一电极，并且其中，所述磁轨包括在所述磁轨的第一端与所述偏置点之间的第一区域以及在所述偏置点与所述磁轨的第二端之间的第二区域，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，向所述第一电极施加所述第三电压导致与所述第二区域中的第二电流密度不同的所述第一区域中的第一电流密度。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一区域中的所述第一电流密度大于所述第二区域中的所述第二电流密度，

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一区域中的所述第一电流密度小于所述第二区域中的所述第二电流密度，

20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一电压和所述第三电压之间的第一差不同于所述第三电压和所述第二电压之间的第二差。

技术总结
提供磁存储器装置和控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处并且被配置为向磁轨施加电压。磁轨包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的电流密度与第二区域中的电流密度之间的差异。

技术研发人员：斯图尔特·帕普沃思·帕金,田在春,安德烈亚·米廖里尼,皮雄焕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14