一种制备有机大面积单晶阵列的方法

本发明涉及半导体，具体涉及一种制备有机大面积单晶阵列的方法。

背景技术：

1、随着半导体技术的发展，有机半导体在半导体领域内的重要性日益提升，其生产成本较低，应用更为轻巧，且机械柔韧性较佳，基于有机半导体材料制备的有机发光二极管已经广泛的应用于电视机、手机、车载显示屏等显示装置。

2、目前有机半导体的主要制备技术为液相微纳加工技术，例如真空蒸镀等，但是在制备大面积的有机半导体单晶阵列领域，现有技术中存在着大面积有机半导体单晶阵列制备质量较低的技术问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法，用于针对解决现有技术中有机半导体的制备中，大面积有机半导体单晶阵列制备质量较低的技术问题。

2、鉴于上述问题，本申请提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法。

3、本申请的第一个方面，提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法，其中，所述方法包括：

4、提供预处理完成的硅柱，其中，所述硅柱上具有预设形貌；

5、在所述硅柱的第一面上滴涂有机半导体溶液；

6、将衬底倒置于所述硅柱的第一面上，并向所述第一面施加预设压力，在真空环境内进行加热，获得制备完成的有机半导体单晶阵列。

7、本申请的第二个方面，提供了一种有机大面积单晶阵列，所述有机大面积单晶阵列通过第一方面所述的方法制备。

8、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

9、本申请实施例提供的制备有机大面积单晶阵列的方法通过获得制备并进行预处理的硅柱，放置固定于样品台上，然后在硅柱上滴涂有机半导体溶液，进一步将预处理完成的衬底倒置于硅柱的表面，并施加预设压力，在预设真空环境内进行加热，干燥后，则获得制备完成的有机半导体单晶阵列，本申请实施例建立了特定的有机大面积单晶阵列的制备方法，制备出的有机半导体单晶阵列薄膜质量较高，且操作轻巧，成本较低，能够根据硅柱的形貌控制有机半导体单晶阵列薄膜的形貌，达到提升有机大面积单晶阵列制备质量的技术效果。

10、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.一种制备有机大面积单晶阵列的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述疏水处理包括采用氟硅烷或十八烷基三氯硅烷对所述硅柱进行疏水处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述硅柱进行疏水处理，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为亲水处理后的硅片或玻璃片。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述亲水处理包括通过氩等离子体轰击所述硅片或玻璃片的表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述亲水处理还包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机半导体溶液内的溶质完全溶解，并均匀滴涂于所述硅柱上。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，施加预设压力，进行加热，还包括：

10.一种有机大面积单晶阵列，其特征在于，所述有机大面积单晶阵列通过权利要求1-9任一项所述的方法制备。

技术总结
本发明提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供预处理完成的硅柱，其中，硅柱上具有预设形貌；在硅柱的第一面上滴涂有机半导体溶液；将衬底倒置于硅柱的第一面上，并向第一面施加预设压力，在真空环境内进行加热，获得制备完成的有机半导体单晶阵列。本发明解决了现有技术中有机半导体单晶阵列制备质量较低的技术问题，达到了提升有机半导体大面积单晶阵列制备质量的技术效果。

技术研发人员：胡智敏,屈芙蓉,夏洋,权业浩,王欣,李楠,卢维尔,张凌云,赵丽莉
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13