存储器装置及存储器装置的制造方法与流程

本公开总体上涉及一种存储器装置和该存储器装置的制造方法，并且更具体地，涉及三维存储器装置和该三维存储器装置的制造方法。

背景技术：

1、存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置，在易失性存储器装置中，所存储的数据在电源被中断时丢失，在非易失性存储器装置中，所存储的数据即使在电源被中断时也被保留。

2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存存储器、nor闪存存储器、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、nand闪存存储器系统可以包括其中存储数据的存储器单元阵列和外围电路，所述外围电路被配置为响应于从控制器传输的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作。

4、存储器单元阵列可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。

技术实现思路

1、一个实施方式涉及一种存储器装置及存储器装置的制造方法，其可以提高存储器装置的集成度。

2、一个实施方式还涉及一种存储器装置及存储器装置的制造方法，其可以减少所述存储器装置的缺陷并增加工艺裕度。

3、根据本公开的一个实施方式，一种存储器装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层；垂直孔，所述垂直孔在垂直方向上延伸穿过所述层叠结构；隔离图案，所述隔离图案从所述第一材料层的形成在所述垂直孔内部的侧表面突出；阻挡层，所述阻挡层沿突出的隔离图案的表面和第二材料层的表面形成；屏障层，所述屏障层沿所述阻挡层的表面形成；以及电荷俘获层，所述电荷俘获层形成在所述屏障层的突出部分之间。

4、根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造存储器装置的方法。所述方法包括以下步骤：形成层叠结构，在所述层叠结构中第一材料层和第二材料层交替层叠；通过蚀刻所述层叠结构形成穿过所述层叠结构的垂直孔；部分蚀刻暴露在所述垂直孔的内壁处的第一材料层；沿着所述第一材料层被部分蚀刻的所述垂直孔的内壁形成隔离图案；沿着所述隔离图案的表面和所述第二材料层的表面形成阻挡层；沿着所述阻挡层的表面形成屏障层；沿着所述屏障层的表面形成第一电荷俘获层；以及沿着所述第一电荷俘获层的表面和所述屏障层的表面形成第二电荷俘获层。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，跨越所述垂直孔彼此面对的所述第一材料层之间的距离大于跨越所述垂直孔彼此面对的所述第二材料层之间的距离。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述隔离图案包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，彼此面对的所述第一隔离图案之间的距离与彼此面对的所述第二材料层之间的距离之间的差在四纳米内。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，构成所述第二隔离图案的材料与构成所述第一隔离图案的材料相同。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，彼此面对的所述第二隔离图案之间的距离小于彼此面对的所述第二材料层之间的距离。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，彼此面对的所述电荷俘获层之间的距离与彼此面对的所述屏障层的突出部分之间的距离之间的差在三纳米内。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括沿着所述电荷俘获层的内壁形成的隧道绝缘层和沟道层。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述屏障层包括绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述屏障层包括在使用氟化氢的蚀刻工艺中蚀刻选择性低于所述电荷俘获层的蚀刻选择性的材料。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述屏障层包括碳氧化硅sico。

12.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述隔离图案的步骤包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，与所述第二材料层的内壁相比，所述第三隔离图案的内壁朝向所述垂直孔更远地突出。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一电荷俘获层的步骤包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，使用湿法蚀刻工艺来执行蚀刻所述氮化物层的所述一部分的步骤。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，使用各向同性蚀刻工艺来执行蚀刻所述氮化物层的所述一部分的步骤。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二电荷俘获层的步骤包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，使用湿法蚀刻工艺来执行蚀刻所述氮化物层的所述一部分的步骤。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，使用各向同性蚀刻工艺来执行蚀刻所述氮化物层的所述一部分的步骤。

21.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括以下步骤：沿着所述第二电荷俘获层的内表面形成隧道绝缘层和沟道层。

技术总结
本公开涉及一种存储器装置及存储器装置的制造方法，所述存储器装置包括层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层。所述存储器装置还包括：垂直孔，所述垂直孔在垂直方向上延伸穿过所述层叠结构；隔离图案，所述隔离图案从所述第一材料层的形成在所述垂直孔内部的侧表面突出；以及阻挡层，所述阻挡层沿突出的隔离图案的表面和第二材料层的表面形成。所述存储器装置还包括：屏障层，所述屏障层沿所述阻挡层的表面形成；以及电荷俘获层，所述电荷俘获层形成在所述屏障层的突出部分之间。

技术研发人员：金镇河
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5