三维存储器阵列的密集墩的制作方法

涉及三维存储器阵列的密集墩。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储其中的任一者。为存取所存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态dram(sdram))、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。可根据易失性配置或非易失性配置来描述存储器单元。配置成非易失性配置的存储器单元可即使在不存在外部电源的情况下也可维持存储的逻辑状态达延长时间段。当与外部电源断开连接时，配置成易失性配置的存储器单元可能丢失存储状态。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：在衬底上方沉积层堆叠，所述层堆叠包括第一材料与第二材料的交替层，其中所述第一材料包括介电材料；至少部分地基于穿过所述层堆叠形成第一多个空腔并用第三材料填充所述第一多个空腔来穿过所述层堆叠形成多个墩，其中所述第三材料包括第二介电材料，并且其中所述第一材料与所述第二材料的所述交替层中的每一者与所述多个墩中的每一墩接触；至少部分地基于去除所述第二材料以形成包括所述第一材料的一对交错的梳状结构及第一多个空隙以及在所述第一多个空隙中沉积第四材料来形成多个第一字线及多个第二字线；穿过所述介电层堆叠来形成第二多个空腔，其中所述第二多个空腔中的每一空腔的侧壁与所述多个墩的相应墩的侧壁接触；在所述第二多个空腔中形成多个柱；至少部分地基于去除所述多个墩中的至少一些墩，在所述多个柱之间形成第三多个空腔，所述第三多个空腔中的每一空腔暴露所述多个柱中的柱的相应第一侧壁；至少部分地基于在所述第三多个空腔中的每一空腔中沉积存储器材料来形成多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一存储器单元耦合在所述多个柱中的柱与所述多个第一字线或所述多个第二字线中的字线之间；及至少部分地基于在第三多个空腔中的每一空腔中沉积第四介电材料来形成多个介电部分。

2、描述一种设备。所述设备可包含：多个第一字线，其沿着相对于衬底的垂直方向分布，其中所述多个第一字线中的每一者包括在相对于衬底的第一水平方向上延伸的多个第一字线部件，所述多个第一字线在垂直方向上通过介电材料分开；多个第二字线，其沿着所述垂直方向分布，其中所述多个第二字线中的每一者包括多个第二字线部件，所述多个第二字线部件与所述多个第一字线中的对应的第一字线的所述多个第一字线部件交错，所述多个第二字线部件在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上与所述多个第一字线部件分开；

3、多个介电结构，其在垂直方向上延伸，所述多个介电结构中的每一介电结构与所述多个第一字线中的每一者的所述多个第一字线部件中的字线部件接触，并且与所述多个第二字线中的每一者的所述多个第二字线部件中的相应第二字线部件接触，其中与介电结构接触的相应第一字线部件的一部分与和介电结构接触的相应第二字线部件的一部分之间的间隔是沿着第二水平方向的第一长度，并且不与介电结构接触的相应第一字线部件的一部分与不与介电结构接触的相应第二字线部件的一部分之间的间隔是沿着第二水平方向的小于第一长度的第二长度；多个导电柱，其在所述多个第一字线与所述多个第二字线之间；第一多个存储器单元，所述第一多个存储器单元中的每一存储器单元与所述多个第一字线中的相应字线及所述多个导电柱中的相应柱电耦合；及第二多个存储器单元，所述第二多个存储器单元中的每一存储器单元与所述多个第二字线中的相应字线及所述多个导电柱中的相应柱电耦合。

4、描述一种设备。所述设备可通过工艺形成，所述工艺包含：在衬底上方沉积层堆叠，所述层堆叠包括第一材料与第二材料的交替层，其中所述第一材料包括介电材料；至少部分地基于穿过所述层堆叠形成第一多个空腔并用第三材料填充所述第一多个空腔来穿过所述层堆叠形成多个墩，其中所述第三材料包括第二介电材料，并且其中所述第一材料与所述第二材料的所述交替层中的每一者与所述多个墩中的每一墩接触；至少部分地基于去除所述第二材料以形成包括所述第一材料的一对交错的梳状结构及第一多个空隙以及在所述第一多个空隙中沉积第四材料来形成多个第一字线及多个第二字线；穿过所述介电层堆叠来形成第二多个空腔，其中所述第二多个空腔中的每一空腔的侧壁与所述多个墩的相应墩的侧壁接触；在所述第二多个空腔中形成多个柱；至少部分地基于去除所述多个墩中的至少一些墩，在所述多个柱之间形成第三多个空腔，所述第三多个空腔中的每一空腔暴露所述多个柱中的柱的相应侧壁；至少部分地基于在所述第三多个空腔中的每一空腔中沉积存储器材料来在柱与字线之间形成多个存储器单元，所述多个柱中的每一柱与所述多个存储器单元中的相应第一存储器单元耦合且与所述多个存储器单元中的相应第二存储器单元耦合；及至少部分地基于在第三多个空腔中的每一空腔中沉积第四介电材料来形成多个介电部分。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一多个空腔中的每一空腔在第一水平方向上的长度大于所述第二多个空腔中的每一空腔在所述第一水平方向上的长度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二多个空隙包括去除所述多个墩中的每一墩。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二多个空隙包括去除所述多个墩中的交替墩。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三多个空腔中的每一空腔暴露所述多个柱中的所述柱的相应第二侧壁及第三侧壁的至少部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二介电材料与所述介电材料相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个第一字线及形成所述多个第二字线包括：

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个柱包括：

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器材料包括硫属化物。

12.一种设备，其包括：

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述多个介电结构包括：

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二多个介电部分的所述延伸部中的每一者与所述第一多个存储器单元中的一或多者或所述第二多个存储器单元中的一或多者接触。

15.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二多个介电部分中的每一者包括介电密封材料及氧化物材料。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述介电密封材料形成所述第二多个介电部分的周边。

17.根据权利要求13中所述的设备，其中所述第一多个介电部分中的每一者通过不同于所述第一多个介电部分的材料的材料与和所述多个导电柱的所述第一多个相邻对中的第一对耦合的所述第一多个存储器单元中的一或多者分开。

18.根据权利要求12所述的设备，其进一步包括：

19.根据权利要求12所述的设备，其中所述多个介电结构中的每一者在所述第二水平方向上具有第三长度，所述第三长度大于所述第二长度。

20.一种具有通过工艺形成的存储器阵列的设备，所述工艺包括：

21.根据权利要求20所述的设备，其中所述工艺进一步包括：

22.根据权利要求20所述的设备，其中所述工艺进一步包括：

23.根据权利要求20所述的设备，其中所述第一多个空腔中的每一空腔在第一水平方向上的长度大于所述第二多个空腔中的每一空腔在所述第一水平方向上的长度。

24.根据权利要求20所述的设备，其中形成所述第三多个空腔包括去除所述多个墩中的每一墩。

25.根据权利要求20所述的设备，其中形成所述第三多个空腔包括去除所述多个墩中的交替墩。

技术总结
本申请案涉及用于三维存储器阵列的密集墩。在一些实例中，存储器装置可包含与由沉积在衬底上方的交替材料层形成的特征接触而形成的墩结构。例如，存储器装置可包含第一材料与第二材料的交替层。在一些实例中，所述交替层可形成为一对交错的梳状结构。墩结构可形成为与横截面图案接触，并且可提供对剩余材料的横截面图案的机械支撑。在一些实例中，所述墩可进一步充当所述存储器装置的存储器单元或其它特征之间的分离器。例如，所述墩可延伸到所述交错梳状结构的至少一部分中，并且因此可在随后的材料沉积期间充当势垒。

技术研发人员：S·W·鲁塞尔,E·瓦雷西,D·H·威尔士,P·凡蒂尼,L·弗拉汀
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15