电子装置的制作方法

本发明涉及一种电子装置，且特别是涉及一种具有混合接触结构的电子装置。

背景技术：

1、在薄膜晶体管(tft)或是电子元件与线路跨层连接过程中，采用平坦层能够平整电子元件的基板上因各种不同层图案所造成的面内段差。

2、然而，当平坦层的所需厚度过厚时，容易使跨越平坦层的导电层需要延伸过长的坡度而容易断线，影响电子元件的电连接。而当电子元件的导电层需有高透光度的要求时(例如光学感测装置、指纹识别装置或显示装置等)，由于金属材料容易遮光不适用之外，采用透明导电材料(例如氧化锡铟)也容易因过厚的平坦层导致透明导电材料需延伸过长的坡度，造成透明导电材料沉积不易且容易断线。如何解决上述问题已成为相关厂商重要课题。

技术实现思路

1、本发明提供一种电子装置，增加导电层电连接的可靠性。

2、本发明提供一种电子装置的制造方法，可降低导电层在平坦层的坡度上的设置难度。

3、本发明的电子装置包括电路基板、电子元件、平坦层、第一透明导电层及第二透明导电层。电子元件与平坦层设置在电路基板上，平坦层包括顶面及第一通孔。第一透明导电层设置在第一通孔中，且电连接电路基板。第二透明导电层设置在顶面，且延伸至第一通孔中电连接第一透明导电层。电子元件电连接第二透明导电层，第一透明导电层的材料不同于第二透明导电层的材料。

4、本发明还提供一种电子装置的制造方法，包括提供电路基板，设置电子元件于电路基板上。设置平坦层于电路基板上，形成第一通孔于平坦层中。设置第一透明导电层于第一通孔中，且电连接电路基板。设置第二透明导电层于平坦层的顶面。第二透明导电层电连接电子元件且延伸至第一通孔中电连接第一透明导电层。其中第一透明导电层的材料不同于第二透明导电层的材料。

5、基于上述，本发明的电子装置利用第一透明导电层的材料不同于第二透明导电层的材料。在电子装置需要高透光度的导电层以及高厚度的平坦层时，由于第一透明导电层及第二透明导电层具高透光性，对电子装置的光学性质影响较小。不但如此，由于第一透明导电层可选用较易设置的材料，并且第二透明导电层延伸至平坦层的第一通孔中电连接第一透明导电层，使得第二透明导电层不需要外延过厚的高度，减少第二透明导电层爬坡的高度，降低导电层的设置难度以及断线风险，增加了电子装置的良率。本发明亦提供一种电子装置的制造方法，利用第一透明导电层的材料不同于第二透明导电层，可降低第二透明导电层的设置难度。

6、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种电子装置，包括：

2.如权利要求1所述的电子装置，其中该平坦层具有第二通孔，该电子元件在该第二通孔中，该电子元件的电极电连接该电路基板，该电子元件的另一电极电连接该第二透明导电层。

3.如权利要求2所述的电子装置，其中该第一透明导电层的厚度为该平坦层的厚度的二分之一倍至三分之二倍。

4.如权利要求3所述的电子装置，其中该第二通孔的侧壁与该电子元件的侧壁之间具有间隙，该第一透明导电层还进一步填入该间隙中。

5.如权利要求4所述的电子装置，其中该平坦层还包括开口，该开口连接该第二通孔，且该开口不重叠于该第二透明导电层。

6.如权利要求1所述的电子装置，其中该电子元件为垂直型微型发光二极管。

7.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一透明导电层的材料为掺杂导电材料的透明有机材料，该导电材料包括二氧化锡、石墨稀以及氧化锑中的其中一者，该第二透明导电材料包括氧化锡铟。

8.一种电子装置的制造方法，包括：

9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，还包括：

10.如权利要求9所述的电子装置的制造方法，其中设置该第一透明导电层于该第一通孔及该间隙中的步骤还包括：

11.如权利要求10所述的电子装置的制造方法，其中设置该第一透明导电层于该第一通孔及该间隙中的步骤还包括：

12.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其中该第一透明导电层的材料为掺杂导电材料的透明有机材料，该导电材料包括二氧化锡、石墨稀以及氧化锑其中一者，该第二透明导电材料包括氧化锡铟。

13.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其中设置该电子元件于该电路基板上的步骤，包括该电子元件的电极电连接该电路基板，其中设置该第二透明导电层的步骤，还包括该第二透明导电层电连接该电子元件的另一电极。

14.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其中设置第二透明导电层于该平坦层的顶面的步骤，还包括溅镀并图案化该第二透明导电层。

技术总结
本发明公开一种电子装置，其包括电路基板、电子元件、平坦层、第一透明导电层及第二透明导电层。电子元件与平坦层设置在电路基板上，平坦层包括顶面及第一通孔。第一透明导电层设置在第一通孔中，且电连接电路基板。第二透明导电层设置在顶面，且延伸至第一通孔中电连接第一透明导电层。电子元件电连接第二透明导电层，第一透明导电层的材料不同于第二透明导电层的材料。

技术研发人员：叶家宏,吴昱瑾
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12