存储器装置及存储器装置的制造方法与流程

本公开总体涉及存储器装置及存储器装置的制造方法，并且具体地，涉及三维存储器装置及三维存储器装置的制造方法。

背景技术：

1、存储器装置可以分类为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置以及即使当供电中断时也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存、nor闪存、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电式随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、nand闪存系统可以包括被配置为存储数据的存储器装置和被配置为控制存储器装置的控制器。存储器装置可以包括其中存储数据的存储器单元阵列和被配置为响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。

4、存储器单元阵列可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。

5、随着存储器装置的集成度增加，需要能够存储大容量数据的存储器装置，并且需要简化制造工艺以降低制造成本。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，可以提供一种存储器装置，其包括：第一层叠结构，其包括第一组字线以及在第一组字线上彼此隔离的第一组选择线；第二层叠结构，其包括在第一组选择线上彼此隔离的第二组选择线以及在第二组选择线上的第二组字线；第一层叠结构中的第一插塞；连接到第一插塞的第二插塞，第二插塞设置在第二层叠结构中；在第一组选择线之间的第一隔离图案；以及在第二组选择线之间的第二隔离图案，其中，第一组选择线包括第一组的第一选择线和第一组的第二选择线，第一组的第一选择线和第一组的第二选择线分别在第一隔离图案的两侧围绕第一插塞的第一侧部和第二侧部，并且其中，第二组选择线包括第二组的第一选择线和第二组选择线，第二组的第一选择线和第二组的第二选择线分别在第二隔离图案的两侧围绕第二插塞的第一侧部和第二侧部。

2、根据本公开的另一方面，可以提供一种制造存储器装置的方法，该方法包括：在下结构上形成包括第一组字线和在第一组字线上彼此隔离的第一组选择线的第一层叠结构；形成使第一组选择线彼此隔离的第一隔离图案；在第一层叠结构中形成与第一隔离图案交叠的第一插塞；在第一层叠结构上形成包括彼此隔离的第二组选择线的第一子结构；形成使第二组选择线彼此隔离的第二隔离图案；以及在第二组选择线上方形成包括第二组字线和彼此隔离的第三组选择线的第二子结构。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一选择晶体管和所述第三选择晶体管沿着所述第一插塞和所述第二插塞的一侧彼此连接，并且

4.根据权利要求3所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在所述存储器装置的编程操作、擦除操作和读取操作中，所述第一选择晶体管和所述第三选择晶体管由第一电压驱动，并且所述第二选择晶体管和所述第四选择晶体管由第二电压驱动，并且其中，所述第一电压不同于所述第二电压。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一隔离图案与所述第一插塞的一部分交叠，并且

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一隔离图案与所述第一插塞的在所述第一插塞的所述第一侧部和所述第二侧部之间的部分接触，并且

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一插塞和所述第二插塞中的每一个包括覆盖层、芯柱、沟道层、隧道绝缘层、电荷捕获层和阻挡层。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第一插塞和所述第二插塞中的每一个的所述芯柱和所述覆盖层将所述沟道层隔离成第一子沟道层和第二子沟道层。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述芯柱和所述覆盖层在所述第一插塞和所述第二插塞中的每一个的短轴方向上与所述隧道绝缘层接触。

11.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第二层叠结构还包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第三组选择线包括第三组的第一选择线和第三组的第二选择线，并且

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述第三隔离图案与所述第二插塞的在所述第二插塞的所述第一侧部和所述第二侧部之间的部分接触。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，所述存储器装置还包括第五选择晶体管和第六选择晶体管，所述第五选择晶体管和所述第六选择晶体管分别连接到所述第三组的第一选择线和所述第三组的第二选择线，

15.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

16.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一插塞和所述第二插塞在垂直于所述第一组选择线的方向上对齐。

17.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述第一隔离图案的步骤包括以下步骤：

19.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述第一插塞的步骤包括以下步骤：

20.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述第二隔离图案的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

22.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

技术总结
提供了存储器装置及存储器装置的制造方法。存储器装置包括：第一层叠结构，其包括第一组字线以及第一组选择线；第二层叠结构，其包括第二组选择线；第一层叠结构中的第一插塞；连接到第一插塞的第二插塞，第二插塞设置在第二层叠结构中；在第一组选择线之间的第一隔离图案；以及在第二组选择线之间的第二隔离图案。

技术研发人员：张晶植,朴美性,朴寅洙,崔元根,崔正达
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5