显示装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法。

背景技术：

1、近年来，应用有机发光二极管(oled)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件具备包含薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

2、在制造这种显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

技术实现思路

1、实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法。

2、根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，

3、准备形成有第1子像素的第1下电极、第2子像素的第2下电极、第3子像素的第3下电极、并形成有肋部的处理基板，其中，所述肋部具有与所述第1下电极重叠的第1开口、与所述第2下电极重叠的第2开口、及与所述第3下电极重叠的第3开口，遍及所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素而形成包含第1发光层的第1薄膜，形成使所述第2子像素及所述第3子像素的所述第1薄膜露出、并且覆盖所述第1子像素的所述第1薄膜的负型的第1抗蚀剂，以所述第1抗蚀剂为掩模将所述第2子像素及所述第3子像素的所述第1薄膜除去，在所述第1子像素使所述第1薄膜残留，使所述第2下电极从所述第2开口露出并使所述第3下电极从所述第3开口露出，将所述第1抗蚀剂除去，遍及所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素而形成包含第2发光层的第2薄膜，形成使所述第3子像素的所述第2薄膜露出、并且覆盖所述第1子像素及所述第2子像素的所述第2薄膜的负型的第2抗蚀剂，以所述第2抗蚀剂为掩模将所述第3子像素的所述第2薄膜除去，在所述第1子像素及所述第2子像素使所述第2薄膜残留，使所述第3下电极从所述第3开口露出，将所述第2抗蚀剂除去，形成使所述第1子像素的所述第2薄膜露出、并且覆盖所述第2子像素的所述第2薄膜及所述第3子像素的所述第3下电极的正型的第3抗蚀剂，以所述第3抗蚀剂为掩模将所述第1子像素的所述第2薄膜除去，并将所述第3抗蚀剂除去。

4、根据一个实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法。

技术特征：

1.显示装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述第3抗蚀剂除去后，进一步包括：

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1发光层由发出蓝色波长范围的光的材料形成，

4.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1发光层由发出红色波长范围的光的材料形成，

5.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，在准备所述处理基板的工序中，进一步形成包含位于所述肋部之上的下部及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁的所述下部由导电材料形成。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1薄膜具有：

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述第2薄膜的工序中，在所述第1子像素的所述第1薄膜之上、所述第2下电极之上及所述第3下电极之上形成所述第2薄膜。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，所述第2薄膜具有：

10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述第3薄膜的工序中，在所述第1子像素的所述第1薄膜之上、所述第2子像素的所述第2薄膜之上及所述第3下电极之上形成所述第3薄膜。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述第3薄膜具有：

12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述肋部、所述第1密封层、所述第2密封层及所述第3密封层由硅氮化物形成。

技术总结
涉及显示装置的制造方法。根据一实施方式，显示装置的制造方法中形成第1子像素的第1下电极、第2子像素的第2下电极及第3子像素的第3下电极，形成含第1发光层的第1薄膜，形成露出第2子像素及第3子像素的第1薄膜并覆盖第1子像素的第1薄膜的负型的第1抗蚀剂，第1抗蚀剂为掩模除去第1薄膜形成含第2发光层的第2薄膜，形成露出第3子像素的第2薄膜并覆盖第1子像素及第2子像素的第2薄膜的负型的第2抗蚀剂，第2抗蚀剂为掩模除去第2薄膜，在第1子像素及第2子像素残留第2薄膜，形成露出第1子像素的第2薄膜并覆盖第2子像素的第2薄膜及第3子像素的第3下电极的正型的第3抗蚀剂，第3抗蚀剂为掩模除去第1子像素的第2薄膜。

技术研发人员：松本优子
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15