传感器嵌入式显示面板和电子设备的制作方法

发明构思涉及传感器嵌入式显示面板和电子设备。

背景技术：

1、近来，对于实施生物特征识别技术的显示设备存在增加的需求，所述生物特征识别技术通过用集中在金融、医疗保健和移动的自动化设备提取人的特定生物特征信息或行为特征信息来鉴别人。因此，显示设备可包括用于生物特征识别的传感器。

技术实现思路

1、这样的用于生物特征识别的传感器可分为静电型、超声型、或光学型。其中，光学型传感器为配置为吸收光并将吸收的光转换成电信号的传感器。同时，有机材料具有大的消光系数并且可配置为根据分子结构而选择性地吸收特定波长谱中的光，且因此其可有效地应用于光学型传感器。

2、另一方面，设置在显示设备中的传感器可设置在显示面板下面，或者可作为单独的模块制造并安装在显示面板外部。然而，当传感器设置在显示面板下面时，应通过显示面板、各种膜和/或部件识别对象，并且因此性能可劣化。当传感器作为单独的模块制造并安装时，在设计和可用性方面存在限制。因此，可提出包括嵌入在显示面板中的传感器的嵌入式传感器。然而，由于显示面板和传感器所需的性能和物理性质彼此不同，故而以集成的(一体化)形式实施可为困难的。

3、一些实例实施方式提供传感器嵌入式显示面板，其包括能够通过与显示面板集成(一体化)而改善性能的传感器。

4、一些实例实施方式提供包括所述传感器嵌入式显示面板的电子设备。

5、根据一些实例实施方式，传感器嵌入式显示面板可包括：设置在基板上且包括发光层的发光元件、以及设置在所述基板上且包括光敏层的光电传感器，所述光敏层沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行布置，使得所述光敏层和所述发光层在面内方向上至少部分地重叠，其中所述发光元件和所述光电传感器进一步包括第一公共辅助层的单独的相应(分别)部分，所述部分在所述发光层和所述光敏层各自的下面并且彼此连接以成为在所述发光元件和所述光电传感器之间连续延伸的单块材料，并且所述光敏层包括由化学式1表示的第一半导体以及与所述第一半导体形成pn结的第二半导体，所述第二半导体不包括任何富勒烯。

6、[化学式1]

7、

8、在化学式1中，

9、x为卤素、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳氧基、取代或未取代的c3-c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲硅烷氧基、或其任意组合，

10、y1为n或cr101，

11、y2为n或cr102，

12、y3为n或cr103，

13、r1-r6和r101-r103各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基、卤素、氰基、硝基、或其任意组合，以及

14、r1-r6和r101-r103各自独立地存在，或r1-r6和r101-r103的相邻两个彼此连接以形成环。

15、r1和r2、r3和r4、或r5和r6的至少之一可彼此连接以形成取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的包含氮的二价环基团、或其任意组合。

16、所述第一半导体可由化学式1-1或1-2表示。

17、

18、在化学式1-1或1-2中，

19、x为卤素、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳氧基、取代或未取代的c3-c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲硅烷氧基、或其任意组合，

20、y1为n或cr101，

21、y2为n或cr102，

22、y3为n或cr103，

23、y4为n或cr104，

24、y5为n或cr105，

25、y6为n或cr106，

26、y7为n或cr107，

27、y8为n或cr108，

28、y9为n或cr109，

29、y10为n或cr110，

30、y11为n或cr111，

31、y12为n或cr112，

32、y13为n或cr113，

33、y14为n或cr114，

34、y15为n或cr115，以及

35、r5、r6、和r101-r115各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基、卤素、氰基、硝基、或其任意组合。

36、所述第一半导体可由化学式1a至1d之一表示。

37、

38、在化学式1a至1d中，

39、x为卤素、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳氧基、取代或未取代的c3-c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲硅烷氧基、或其任意组合，以及

40、r5、r6、和r50-r64各自独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c1-c30烷硫基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基、卤素、氰基、硝基、或其任意组合。

41、所述第一半导体的升华温度和所述第二半导体的升华温度之间的差可大于或等于约0℃且小于约150℃，其中各升华温度可为在10pa或更低下在热重分析期间发生相对于初始重量的10％的重量损失时的温度。

42、所述第一半导体的升华温度可为约100℃至约300℃，和所述第二半导体的升华温度可为约100℃至约350℃。

43、所述发光层可包括有机发光材料，以及所述第一半导体的升华温度、所述第二半导体的升华温度、和所述有机发光材料的升华温度的任两个之间的差可为大于或等于约0℃且小于约150℃。

44、所述第一半导体的最高占据分子轨道(homo)能级和所述第一公共辅助层的homo能级之间的差可为大于或等于约0ev且小于约1.0ev。

45、所述第二半导体可为基本上不吸收可见波长谱中的光的透明半导体。

46、所述传感器嵌入式显示面板可进一步包括配置为向所述发光元件和所述光电传感器施加公共(例如，相同的)电压的公共电极。

47、所述发光元件和所述光电传感器可进一步包括第二公共辅助层的单独的相应部分，所述部分在所述公共电极和所述发光层之间以及在所述公共电极和所述光敏层之间并且彼此连接以成为在所述发光元件和所述光电传感器之间连续延伸的单块材料。

48、所述第二半导体的最低未占分子轨道(lumo)能级和所述第二公共辅助层的lumo能级之间的差可为大于或等于约0ev且小于约1.0ev。

49、所述发光元件可包括配置为发射彼此不同的波长谱的光的第一、第二、和第三发光元件，以及所述光电传感器可配置为吸收从所述第一、第二、或第三发光元件的至少一个发射并且然后被识别目标反射的光并且将其转换成电信号。

50、所述传感器嵌入式显示面板可包括：配置为显示一种或多种颜色的显示区域，和排除所述显示区域的非显示区域，其中所述发光元件在所述显示区域中并且所述光电传感器在所述非显示区域中。

51、所述发光元件可包括配置为发射红色波长谱的光的第一发光元件、配置为发射绿色波长谱的光的第二发光元件、和配置为发射蓝色波长谱的光的第三发光元件，所述显示区域可包括：配置为显示红色波长谱的光且包括所述第一发光元件的多个第一子像素，配置为显示绿色波长谱的光且包括所述第二发光元件的多个第二子像素，和配置为显示蓝色波长谱的光且包括所述第三发光元件的多个第三子像素，并且所述光电传感器可在所述多个第一子像素的一个第一子像素、所述多个第二子像素的一个第二子像素、或所述多个第三子像素的一个第三子像素中的至少两个子像素之间。

52、根据一些实例实施方式，传感器嵌入式显示面板包括配置为显示颜色的显示区域和排除所述显示区域的非显示区域，其中所述显示区域包括：配置为显示第一颜色且包括第一发光元件的第一子像素，配置为显示第二颜色且包括第二发光元件的第二子像素，和配置为显示第三颜色且包括第三发光元件的第三子像素，所述非显示区域包括在所述第一子像素、所述第二子像素、或所述第三子像素的至少两个之间的光电传感器，所述第一发光元件包括配置为发射对应于第一颜色的发射谱的光的第一发光层，所述第二发光元件包括配置为发射对应于第二颜色的发射谱的光的第二发光层，所述第三发光元件包括配置为发射对应于第三颜色的发射谱的光的第三发光层，所述光电传感器包括配置为吸收从所述第一、第二、或第三发光元件的至少一个发射并且然后被识别目标反射的光并且将其转换成电信号的光敏层，并且所述光敏层包括由化学式1表示的第一半导体。

53、所述第一、第二、和第三发光元件以及所述光电传感器可沿着基板的面内方向平行布置，使得所述第一、第二、和第三发光元件以及所述光电传感器在面内方向上至少部分地重叠。

54、所述第一、第二、和第三发光元件以及所述光电传感器可进一步包括：单独在所述第一、第二、和第三发光元件以及所述光电传感器中的单独的相应像素电极；配置为向所述第一、第二、和第三发光元件以及所述光电传感器施加公共电压的公共电极的单独的相应部分；第一公共辅助层的单独的相应部分，其相应地(分别)在所述第一、第二、和第三发光元件的像素电极与所述第一、第二、和第三发光层之间以及在所述光电传感器的像素电极与所述光敏层之间，并且彼此连接为在所述第一、第二、和第三发光元件与所述光电传感器之间连续延伸的单块材料；以及第二公共辅助层的单独的相应部分，其相应地(分别)在所述公共电极与所述第一、第二、和第三发光层之间以及在所述公共电极与所述光敏层之间，并且彼此连接为在所述第一、第二、和第三发光元件与所述光电传感器之间连续延伸的单块材料。

55、所述光敏层可进一步包括与所述第一半导体形成pn结的第二半导体，所述第一半导体可为具有在约500nm至约600nm的波长谱中的峰值吸收波长的光吸收材料，并且所述第二半导体可为配置为基本上不吸收可见波长谱中的光的透明半导体。

56、根据一些实例实施方式，提供包括所述传感器嵌入式显示面板的电子设备。

57、具有改善的光学和电学性能以及工艺稳定性的传感器可集成到显示面板中，由此实现高性能传感器，同时改善设计和可用性。