本公开涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
背景技术:
1、根据显示面板显示图像的方案,显示装置可以被分类为诸如液晶显示装置、量子点显示装置和有机发光显示装置的各种类型的显示装置。
2、此外,可以根据显示装置的形状对显示装置进行分类。例如,显示装置可以具有平坦或弯曲的形状,并且视情况而定,可以具有显示装置的形状可以改变的结构(例如,在可折叠显示装置、可卷曲显示装置和可拉伸显示装置中)。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可以提供在维持包括在显示装置中的薄膜晶体管的性能的同时能够容易地实现各种类型的显示装置的措施。
2、为了在改变显示装置的形状的同时提供显示功能,需要显示面板具有更柔软的特性。
3、本公开的实施方式提供一种显示装置,该显示装置包括:基板;第一缓冲层,所述第一缓冲层设置在所述基板上,并且所述第一缓冲层的顶表面上的第一点与所述基板之间的垂直距离为第一距离,并且所述第一缓冲层的所述顶表面上的第二点与所述基板之间的垂直距离为小于所述第一距离的第二距离;第二缓冲层,所述第二缓冲层设置在所述第一缓冲层上,并且包括金属氧化物;第三缓冲层,所述第三缓冲层设置在所述第二缓冲层上;以及多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管设置在所述第三缓冲层上。
4、本公开的实施方式可以提供一种显示装置,该显示装置包括:基板;第一缓冲层,所述第一缓冲层设置在所述基板上,并且具有平坦底表面和弯曲顶表面;第二缓冲层,所述第二缓冲层设置在所述第一缓冲层上,沿着所述第一缓冲层的顶表面的形状设置,并且包括金属氧化物;第三缓冲层,所述第三缓冲层设置在所述第二缓冲层上,并且沿着所述第二缓冲层的顶表面的形状设置;以及多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管设置在所述第三缓冲层上,并且每个薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极,所述半导体层、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个沿着所述第三缓冲层的顶表面的形状弯曲。
5、本公开的实施方式可以提供一种薄膜晶体管阵列基板,该薄膜晶体管阵列基板包括:基板;第一缓冲层,所述第一缓冲层设置在所述基板上,并且所述第一缓冲层的顶表面上的第一点与所述基板之间的垂直距离为第一距离,并且所述第一缓冲层的所述顶表面上的第二点与所述基板之间的垂直距离为小于所述第一距离的第二距离;第二缓冲层,所述第二缓冲层设置在所述第一缓冲层上,并且包括金属氧化物;第三缓冲层,所述第三缓冲层设置在所述第二缓冲层上,并且比所述第二缓冲层更厚;以及多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管设置在所述第三缓冲层上。
6、根据本公开的实施方式,可以在保持包括在显示装置中的元件的性能的同时容易地实现能够改变形状的显示装置(例如,可折叠、可卷曲或可拉伸显示装置)。
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二缓冲层沿着所述第一缓冲层的所述顶表面的形状设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二缓冲层的顶表面具有弯曲形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,位于所述第一点上的所述第二缓冲层的厚度与位于所述第二点上的所述第二缓冲层的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二缓冲层的厚度小于所述第二距离。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一缓冲层包括有机材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一缓冲层的所述顶表面具有弯曲形状。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一缓冲层的底表面具有平坦形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三缓冲层包括无机材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三缓冲层沿着所述第二缓冲层的顶表面的形状设置。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三缓冲层的厚度大于所述第二缓冲层的厚度。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三缓冲层的厚度是恒定的。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个薄膜晶体管中的每一个包括半导体层,并且所述半导体层的至少一部分具有沿着所述第三缓冲层的顶表面的形状的弯曲形状。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述半导体层被放置在与所述第二缓冲层交叠的区域中,并且所述半导体层和所述第二缓冲层之间的距离与所述第三缓冲层的厚度相同。
15.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
16.一种显示装置,所述显示装置包括:
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第三缓冲层比所述第一缓冲层更薄并且比所述第二缓冲层更厚。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第二缓冲层的厚度是恒定的并且所述第三缓冲层的厚度是恒定的。
19.一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括: