反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器的制作方法

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器。

背景技术：

1、反熔丝(anti-fuse)存储器是一种常见的可编程非易失性存储器。反熔丝存储器包括多行多列排布的反熔丝存储单元，其中，向反熔丝存储单元的反熔丝栅介质层施加高压后，该反熔丝栅介质层被击穿，击穿后通路的阻抗减小；通过检测击穿后的通路的阻抗状态可以读出反熔丝存储单元内所存储的信息。

2、随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化发展，如何增大反熔丝存储器的存储容量、减小反熔丝存储器的尺寸以及提升反熔丝存储器的性能已成为关注的主要问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器，至少有利于提升反熔丝存储结构的性能。

2、本公开实施例一方面提供一种反熔丝存储结构，包括：有源区，有源区包括沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分；设置在第一部分上的多个沿第二方向间隔排布第一反熔丝结构，每个第一反熔丝结构包括与第一部分交叠的第一反熔丝栅极；设置在第五部分上的多个沿第二方向间隔排布第二反熔丝结构，每个第二反熔丝结构包括与第五部分交叠的第二反熔丝栅极；设置在有源区上的第一选择晶体管以及第二选择晶体管，第一选择晶体管包括与第二部分交叠的第一选择栅极，第二选择晶体管包括与第四部分交叠的第二选择栅极，其中，第一选择栅极和第二选择栅极沿第一方向间隔排布；与第三部分电连接的位线结构；其中，第一方向和第二方向相交。

3、在一些实施例中，第一反熔丝结构的数量与第二反熔丝结构的数量相同。

4、在一些实施例中，沿第一方向上，第一反熔丝结构与第二反熔丝结构一一正对。

5、在一些实施例中，第一部分包括沿第二方向间隔排布的多个第一子部分，第一子部分与第一反熔丝结构一一对应，且第一子部分与相应的第一反熔丝栅极交叠；第五部分包括沿第二方向间隔排布的多个第二子部分，第二子部分与第二反熔丝结构一一对应，且第二子部分与相应的第二反熔丝栅极交叠。

6、在一些实施例中，第一部分包括沿第二方向间隔排布的多个第一接触区以及相邻第一接触区之间的第一非接触区，第一接触区与第一反熔丝结构一一对应，且第一接触区与相应的第一反熔丝栅极交叠，沿第一方向上，第一接触区的尺寸与第一非接触区的尺寸相同；第五部分包括沿第二方向间隔排布的多个第二接触区以及相邻第二接触区之间的第二非接触区，第二接触区与第二反熔丝结构一一对应，且第二接触区与相应的第二反熔丝栅极交叠，沿第一方向上，第二接触区的尺寸与第二非接触区的尺寸相同。

7、在一些实施例中，位线结构沿第一方向延伸，反熔丝存储结构还包括：第一导电结构，第一导电结构位于第三部分的上方，且位线结构通过第一导电结构与第三部分电连接。

8、在一些实施例中，反熔丝存储结构还包括：沿第二方向延伸的多条第一走线，第一走线与相应的第一反熔丝栅极电连接，或者，第一走线与相应的第二反熔丝栅极电连接；第二导电结构，第一走线通过第二导电结构与第一反熔丝栅极电连接，第一走线通过第二导电结构与第二反熔丝栅极电连接。

9、本公开实施例另一方面还提供一种反熔丝阵列存储结构，包括：多个上述任一实施例提供的反熔丝存储结构，反熔丝存储结构沿第一方向和第二方向阵列排布，沿第一方向上，相邻的两个反熔丝存储结构中，一个反熔丝存储结构的第一反熔丝结构与相邻的另一个反熔丝存储结构的第二反熔丝结构具有共用的反熔丝栅极。

10、在一些实施例中，沿第二方向上，相邻的两个反熔丝存储结构中，一个反熔丝存储结构的第一选择晶体管与另一个反熔丝存储结构的第一选择晶体管具有共用的第一选择栅极，一个反熔丝存储结构的第二选择晶体管与另一个反熔丝存储结构的第二选择晶体管具有共用的第二选择栅极。

11、在一些实施例中，反熔丝阵列存储结构包括沿第二方向延伸的多条第一走线，第一走线与相应的反熔丝栅极电连接；沿第二方向上，相邻的两个反熔丝存储结构中，一个反熔丝存储结构的一个反熔丝栅极与另一个反熔丝存储结构的一个反熔丝栅极具有共用的第一走线。

12、本公开实施例又一方面还提供一种存储器，包括上述任一实施例提供的反熔丝存储结构，或者包括上述任一实施例提供的反熔丝阵列存储结构。

13、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：本公开实施例提供的反熔丝存储结构中，沿第一方向上，第一部分和第五部分分别位于同一有源区的两侧，且第一部分上设置有多个第一反熔丝结构，第五部分上设置有多个第二反熔丝结构，第一部分上的多个第一反熔丝结构与一个第一选择晶体管相对应，第五部分上的多个第二反熔丝结构与一个第二选择晶体管相对应，且第一选择晶体管和第二选择晶体管与一个位线结构相对应，其中，第一反熔丝结构的数量以及第二反熔丝结构的数量之和为存储单元的数量，即本公开实施例提供了一种反熔丝存储结构的新型布局，通过一个位线结构、一个第一选择晶体管以及一个第二选择晶体管，即可对两个以上的反熔丝存储单元进行控制，且与一个第一选择晶体管相对应的反熔丝存储单元数量为多个，与一个第二选择晶体管相对应的反熔丝存储单元数量也为多个，相较于一个选择晶体管仅对应一个反熔丝存储单元的方式，本公开实施例提供的反熔丝存储结构中，一个反熔丝存储单元所占据的面积更小，如此，在相同的布局面积内，可以设置更多数量的存储单元，有利于增大反熔丝存储结构的存储容量、减小反熔丝存储结构的尺寸，进而有利于提升反熔丝存储结构的性能。

技术特征：

1.一种反熔丝存储结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝存储结构，其特征在于，所述第一反熔丝结构的数量与所述第二反熔丝结构的数量相同。

3.根据权利要求2所述的反熔丝存储结构，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一反熔丝结构与所述第二反熔丝结构一一正对。

4.根据权利要求1至3任一项所述的反熔丝存储结构，其特征在于，所述第一部分包括沿所述第二方向间隔排布的多个第一子部分，所述第一子部分与所述第一反熔丝结构一一对应，且所述第一子部分与相应的所述第一反熔丝栅极交叠；

5.根据权利要求1至3任一项所述的反熔丝存储结构，其特征在于，所述第一部分包括沿所述第二方向间隔排布的多个第一接触区以及相邻所述第一接触区之间的第一非接触区，所述第一接触区与所述第一反熔丝结构一一对应，且所述第一接触区与相应的所述第一反熔丝栅极交叠，沿所述第一方向上，所述第一接触区的尺寸与所述第一非接触区的尺寸相同；

6.根据权利要求1至3任一项所述的反熔丝存储结构，其特征在于，所述位线结构沿所述第一方向延伸，所述反熔丝存储结构还包括：

7.根据权利要求1至3任一项所述的反熔丝存储结构，其特征在于，所述反熔丝存储结构还包括：

8.一种反熔丝阵列存储结构，其特征在于，包括：多个如权利要求1至7任一项所述的反熔丝存储结构，所述反熔丝存储结构沿第一方向和第二方向阵列排布，沿所述第一方向上，相邻的两个所述反熔丝存储结构中，一个所述反熔丝存储结构的第一反熔丝结构与相邻的另一个所述反熔丝存储结构的第二反熔丝结构具有共用的反熔丝栅极。

9.根据权利要求8所述的反熔丝阵列存储结构，其特征在于，沿所述第二方向上，相邻的两个所述反熔丝存储结构中，一个所述反熔丝存储结构的第一选择晶体管与另一个所述反熔丝存储结构的第一选择晶体管具有共用的第一选择栅极，一个所述反熔丝存储结构的第二选择晶体管与另一个所述反熔丝存储结构的第二选择晶体管具有共用的第二选择栅极。

10.根据权利要求8所述的反熔丝阵列存储结构，其特征在于，所述反熔丝阵列存储结构包括沿所述第二方向延伸的多条第一走线，所述第一走线与相应的所述反熔丝栅极电连接；沿所述第二方向上，相邻的两个所述反熔丝存储结构中，一个所述反熔丝存储结构的一个所述反熔丝栅极与另一个所述反熔丝存储结构的一个所述反熔丝栅极具有共用的第一走线。

11.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的反熔丝存储结构，或者包括如权利要求8至10任一项所述的反熔丝阵列存储结构。

技术总结
本公开实施例提供一种反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器。反熔丝存储结构包括：有源区，有源区包括沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分；多个第一反熔丝结构，每个第一反熔丝结构包括与第一部分交叠的第一反熔丝栅极；多个第二反熔丝结构，每个第二反熔丝结构包括与第五部分交叠的第二反熔丝栅极；第一选择晶体管以及第二选择晶体管，第一选择晶体管包括与第二部分交叠的第一选择栅极，第二选择晶体管包括与第四部分交叠的第二选择栅极，第一选择栅极和第二选择栅极沿第一方向间隔排布；与第三部分电连接的位线结构。本公开实施例至少有利于提升反熔丝存储结构的性能。

技术研发人员：侯闯明
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13