显示装置的制作方法

公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种其中驱动晶体管和开关晶体管的氟浓度不同的晶体管。

背景技术：

1、近来，有机发光二极管显示器作为用于显示图像的装置已经引起了关注。

2、与液晶显示装置不同，由于有机发光二极管显示器具有自发射特性并且不需要附加的光源，因此能够减小其厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。

3、大体上，有机发光二极管显示器包括基底、位于基底上的多个薄膜晶体管、设置在包括在薄膜晶体管中的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。

4、有机发光二极管显示器包括多个像素，并且每个像素包括多个晶体管。

5、将理解，该技术部分的背景技术部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景技术。然而，该技术部分的背景技术还可以包括不是本领域的技术人员在这里公开的主题的对应有效提交日期之前已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

1、实施例提供了一种被构造为在有效地改善残留影像的同时在高温下具有可靠性的显示装置及其制造方法。

2、发明的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一半导体层，第二晶体管包括第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层位于基底上；以及发光二极管，连接到第一晶体管；其中，第一晶体管是驱动晶体管，第二晶体管是开关晶体管，在第一半导体层中的氟的第一浓度高于在第二半导体层中的氟的第二浓度，并且基本上在第一半导体层的第一界面处或附近的第一浓度与在第二半导体层的第一界面处或附近的第二浓度之间的第一差大于在第一半导体层的第二界面处的第一浓度与在第二半导体层的第二界面处的第二浓度之间的第二差，第二界面比第一界面远离基底。

3、第一浓度与第二浓度之间的第一差可以是第二浓度的2倍至10倍。

4、显示装置还可以包括：阻挡层，位于基底与第一晶体管之间和基底与第二晶体管之间，其中，阻挡层的与第一半导体层叠置的区域中的氟的第三浓度可以高于阻挡层的与第二半导体层叠置的区域中的氟的第四浓度。

5、第三浓度可以比第四浓度大2倍至10倍。

6、第一浓度与第二浓度之间的第一差可以大于第三浓度与第四浓度之间的第三差。

7、第一半导体层和第二半导体层可以位于同一层。

8、可以通过使用二次离子质谱(sims)强度来测量氟浓度。显示装置还可以包括：驱动电压线、共电压线、数据线、扫描线、前一扫描线、旁路控制线、初始化电压线、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，位于基底上，其中，第一晶体管可以包括电连接到第五晶体管的第二电极的第一电极和电连接到第三晶体管的第一电极的第二电极，并且可以被构造并布置为通过数据电压的施加来控制驱动电流；第二晶体管可以包括电连接到数据线的第一电极和电连接到第一晶体管的第一电极的第二电极，并且可以被构造并布置为根据扫描线的扫描信号而导通；第三晶体管可以包括电连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和电连接到第一晶体管的栅电极的第二电极，并且可以被构造并布置为根据扫描线的扫描信号而导通；第四晶体管可以包括电连接到初始化电压线的第一电极和电连接到第三晶体管的第二电极的第二电极，并且可以被构造并布置为根据通过前一扫描线接收的前一扫描信号而导通；第五晶体管可以包括电连接到驱动电压线的第一电极和电连接到第一晶体管的第一电极的第二电极，并且可以被构造并布置为通过发射控制线的发射信号而导通；第六晶体管可以包括电连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和电连接到发光二极管的阳极的第二电极，并且可以被构造并布置为通过发射控制线的发射信号而导通；第七晶体管可以包括电连接到发光二极管的阳极的第一电极和电连接到初始化电压线的第二电极，并且可以被构造并布置为根据旁路控制线的旁路信号而导通；并且包括在第一晶体管的第一半导体层中的氟的第一浓度可以高于包括在第三晶体管的第三半导体层、第四晶体管的第四半导体层、第五晶体管的第五半导体层、第六晶体管的第六半导体层和第七晶体管的第七半导体层中的每个中的氟的浓度。

9、另一实施例提供了一种显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成初步半导体层；将光致抗蚀剂定位在初步半导体层上；在光致抗蚀剂中形成暴露初步半导体层的一部分的开口；用氟掺杂暴露的初步半导体层的区域；以及蚀刻初步半导体层以形成第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层可以形成在氟掺杂区域中。

10、第一半导体层的氟浓度可以高于第二半导体层的氟浓度。

11、第一半导体层的氟浓度可以比第二半导体层的氟浓度大2倍至10倍。

12、显示装置的制造方法还可以包括在基底与第一半导体层和第二半导体层之间形成阻挡层，其中，阻挡层的与第一半导体层叠置的区域中的氟浓度可以高于阻挡层的与第二半导体层叠置的区域中的氟浓度。

13、阻挡层的与第一半导体层叠置的区域中的氟浓度可以比阻挡层的与第二半导体层叠置的区域中的氟浓度大2倍至10倍。

14、显示装置的制造方法还可以包括使第一半导体层和第二半导体层结晶。

15、另一实施例提供了一种显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成初步半导体层；将初步半导体层图案化以形成第一半导体层和第二半导体层；将光致抗蚀剂定位在第一半导体层和第二半导体层上；在光致抗蚀剂中形成暴露第一半导体层的开口；以及用氟掺杂第一半导体层。

16、第一半导体层的氟浓度可以高于第二半导体层的氟浓度。

17、第一半导体层的氟浓度可以比第二半导体层的氟浓度大2倍至10倍。

18、显示装置的制造方法还可以包括在基底与第一半导体层和第二半导体层之间形成阻挡层，其中，阻挡层的与第一半导体层叠置的区域中的氟浓度可以高于阻挡层的与第二半导体层叠置的区域中的氟浓度。

19、阻挡层的与第一半导体层叠置的区域中的氟浓度可以比阻挡层的与第二半导体层叠置的区域中的氟浓度大2倍至10倍。

20、显示装置的制造方法还可以包括使第一半导体层和第二半导体层结晶。

21、根据实施例，提供了一种可以在有效地改善残留影像的同时在高温下具有可靠性的显示装置及其制造方法。

技术特征：

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一浓度与所述第二浓度之间的所述第一差是所述第二浓度的2倍至10倍。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三浓度比所述第四浓度大2倍至10倍。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一浓度与所述第二浓度之间的所述第一差大于所述第三浓度与所述第四浓度之间的第三差。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层位于同一层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过使用二次离子质谱强度来测量氟浓度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

技术总结
发明的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底；包括第一半导体层的第一晶体管和包括第二半导体层的第二晶体管，第一半导体层和第二半导体层位于基底上；发光二极管，连接到第一晶体管，其中：第一晶体管是驱动晶体管；第二晶体管是开关晶体管；包括在第一半导体层中的氟的第一浓度高于在第二半导体层中的氟的第二浓度；并且基本上在第一半导体层的第一界面处或附近的第一浓度与在第二半导体层的第一界面处或附近的第二浓度之间的第一差大于在第一半导体层的第二界面处的第一浓度与在第二半导体层的第二界面处的第二浓度之间的第二差，第二界面比第一界面远离基底。

技术研发人员：申晃燮,具奭勳,金应泽,金希娟,李娜莱,曺柱铉,崔贞美,崔洪准
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22