电压转换器以及射频前端模组的制作方法

本技术涉及射频，特别是涉及一种电压转换器以及射频前端模组。

背景技术：

1、电压转换器是一种在第一电压域中接收数字输入信号且在第二电压域中输出对应数字信号的电路。第二电压域可高于或低于第一电压域。电压转换器通常应用于具有不同电压需求的电路部分之间。电压转换器与这两个电路部分介接，因此可实现彼此通信。目前，电压转换器广泛应用于射频电路中的开关模块。

2、目前的电压转换器在控制射频电路中的开关时，存在线性度差的技术问题。如何提供一种用于提高射频电路中的开关线性度的电压转换器，是本领域一直致力解决的重要技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种电压转换器以及射频前端模组。

2、第一方面，本技术一实施例提供了一种电压转换器，包括：相互连接的与门和第一电平移位器；

3、所述与门的第一信号输入端和第二信号输入端分别配置为接收输入电压信号和所述输入电压信号的反相信号；

4、所述第一电平移位器的第一信号输入端连接所述与门的信号输出端；所述第一电平移位器的第二信号输入端配置为接收基准负电压信号；所述第一电平移位器的第一信号输出端配置为输出第一标准电平；所述第一电平移位器的第二信号输出端配置为输出第二标准电平；

5、所述与门的第一电压输入端和所述第一电平移位器的第一电压输入端配置为接收基准正电压信号；所述与门的第二电压输入端和所述第一电平移位器的第二电压输入端为接地端。

6、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，还包括至少一个反相器和第二电平移位器；

7、所述至少一个反相器的信号输入端连接所述与门的信号输出端，所述至少一个反相器配置为输出与所述与门的输出信号反相的信号；

8、所述第二电平移位器的第一信号输入端连接所述至少一个反相器的信号输出端；所述第二电平移位器的第二信号输入端配置为接收所述基准负电压信号；所述第二电平移位器的第一信号输出端配置为输出第三标准电平；所述第二电平移位器的第二信号输出端配置为输出第四标准电平；

9、所述至少一个反相器的第一电压输入端和所述第二电平移位器的第一电压输入端配置为接收基准正电压信号；所述至少一个反相器的第二电压输入端和所述第二电平移位器的第二电压输入端为接地端。

10、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述与门、所述第一电平移位器和/或所述第二电平移位器包括：依次连接的解码模块、电平移位模块和驱动模块。

11、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述解码模块包括：相互连接的第一p型晶体管、第二n型晶体管、第三p型晶体管和第四n型晶体管。

12、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一p型晶体管的漏极连接所述第二n型晶体管的漏极；所述第三p型晶体管的漏极连接所述第四n型晶体管的漏极；所述第一p型晶体管的栅极和所述第二n型晶体管的栅极均连接所述第一信号输入端；所述第三p型晶体管的栅极和所述第四n型晶体管的栅极均连接所述第一p型晶体管的漏极和所述第二n型晶体管的漏极；所述第一p型晶体管的源极和所述第三p型晶体管的源极均连接所述第一电压输入端；所述第二n型晶体管的源极和所述第四n型晶体管的源极均连接所述第二电压输入端。

13、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述电平移位模块包括：相互连接的第五p型晶体管、第六p型晶体管、第七n型晶体管、第八n型晶体管、第九n型晶体管、第十p型晶体管、第十一p型晶体管、第十二n型晶体管、第十三n型晶体管和第十四n型晶体管。

14、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第六p型晶体管的源极分别连接所述第五p型晶体管的漏极和所述第七n型晶体管的漏极；所述第六p型晶体管的漏极连接所述第八n型晶体管的漏极；所述第五p型晶体管的栅极和所述第七n型晶体管的栅极同时连接所述第二n型晶体管的漏极；所述第十一p型晶体管的源极分别连接第十p型晶体管的漏极和所述第十二n型晶体管的漏极；所述第十一p型晶体管的漏极连接所述第十三n型晶体管的漏极；所述第十p型晶体管的栅极和所述第十二n型晶体管的栅极同时连接所述第四n型晶体管的漏极；

15、所述第五p型晶体管的源极和所述第十p型晶体管的源极连接所述第一电压输入端；所述第六p型晶体管的栅极、所述第七n型晶体管的源极、所述第八n型晶体管的栅极、所述第十一p型晶体管的栅极、所述第十二n型晶体管的源极和所述第十三n型晶体管的栅极均连接所述第二电压输入端；

16、所述第八n型晶体管的源极分别连接所述第九n型晶体管的漏极和所述第十四n型晶体管的栅极；所述第十四n型晶体管的漏极分别连接所述第十三n型晶体管的源极和所述第九n型晶体管的栅极；所述第九n型晶体管的源极和所述第十四n型晶体管的源极连接所述第二信号输入端。

17、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述驱动模块包括：相互连接的第十五p型晶体管、第十六n型晶体管、第十七p型晶体管、第十八n型晶体管、第十九p型晶体管、第二十n型晶体管、第二十一p型晶体管、第二十二n型晶体管、第二十三p型晶体管、第二十四n型晶体管、第二十五p型晶体管、第二十六p型晶体管、第二十七n型晶体管和第二十八n型晶体管。

18、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第十六n型晶体管的漏极分别连接所述第十五p型晶体管的漏极和所述第二十五p型晶体管的栅极；所述第十六n型晶体管的栅极和所述第十五p型晶体管的栅极同时连接所述第十二n型晶体管的栅极；所述第十七p型晶体管的栅极和所述第十八n型晶体管的栅极相连后，同时与所述第八n型晶体管的源极和所述第九n型晶体管的漏极连接；所述第十七p型晶体管的漏极与所述第十八n型晶体管的漏极相连后，同时与所述第十九p型晶体管的栅极和所述第二十n型晶体管的栅极连接；所述第十九p型晶体管的漏极和所述第二十n型晶体管的漏极连接所述第二信号输出端；所述第二十一p型晶体管的漏极和所述第二十二n型晶体管的漏极连接，所述第二十一p型晶体管的栅极和所述第二十二n型晶体管的栅极相连后，同时连接所述第十三n型晶体管的源极和所述第十四n型晶体管的漏极；所述第二十三p型晶体管的栅极和所述第二十四n型晶体管的栅极相连后，同时连接所述第二十一p型晶体管的漏极和所述第二十二n型晶体管的漏极；所述第二十五p型晶体管的漏极连接所述第二十六p型晶体管的源极；所述第二十六p型晶体管的漏极和所述第二十七n型晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第二十七n型晶体管的源极连接所述第二十八n型晶体管的漏极；所述第二十八n型晶体管的栅极连接所述第二十三p型晶体管的漏极和所述第二十四n型晶体管的漏极；

19、所述第十五p型晶体管的源极和所述第二十五p型晶体管的源极连接所述第一电压输入端；所述第十七p型晶体管的源极、所述第十九p型晶体管的源极、所述第二十一p型晶体管的源极、第二十三p型晶体管的源极和所述第二十七n型晶体管的栅极连接所述第二电压输入端；所述第十八n型晶体管的源极、所述第二十n型晶体管的源极、所述第二十二n型晶体管的源极、所述第二十四n型晶体管的源极和所述第二十八n型晶体管的源极连接所述第二信号输入端。

20、结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述输入电压信号的反相信号通过至少一个反相器对所述输入电压信号进行反相获得。

21、第二方面，本技术实施例提供了一种射频前端模组，包括上述任意一方面所述的电压转换器。

22、本技术实施例所提供的电压转换器以及射频前端模组，通过采用电压转换器，一方面将外部控制信号转换为标准电平信号，实现了射频开关的稳定控制；另一方面，通过输出两路标准电平信号，其中一路向开关的衬底端施加偏置电压，能够减少开关的源极和漏极寄生二极管的影响，相对于只对开关的栅极输出偏置电压相比，同时提高了开关的线性度和功率处理能力。

23、本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。