半导体器件的制作方法

实施方式涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、随着电子工业的发展和用户的需求，电子装置已经在尺寸上变得更小并且在性能上变得更高。因此，用于电子装置中的半导体器件也具有高集成度并实现高性能。

技术实现思路

1、实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的电介质层；在电介质层上的上电极；连接到上电极的接触结构；以及在接触结构上的布线层，其中接触结构包括下插塞和在下插塞上的上插塞，下插塞的上表面与上电极的上表面基本上共面，下插塞的上表面的第一宽度比上插塞的下表面的第二宽度窄，上插塞的下表面与下插塞的上表面接触。

2、实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：单元有源区；位线，电连接到单元有源区的第一区域；信息存储结构，电连接到单元有源区的第二区域，信息存储结构包括在单元有源区上的下电极、在下电极上的电介质层和在电介质层上的上电极；以及连接到上电极的接触结构，其中接触结构包括下插塞和在下插塞上的上插塞，上插塞的一部分和下插塞被掩埋在上电极中，下插塞的上表面的第一宽度比上插塞的下表面的第二宽度窄，上插塞的下表面与下插塞的上表面接触。

3、实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：基板，具有单元区和外围区；在单元区上的第一结构；在第一结构上的信息存储结构；在信息存储结构上的接触结构；在外围区上的第二结构；以及在第二结构上的外围接触结构，其中信息存储结构包括下电极、在下电极上的电介质层和在电介质层上的上电极，接触结构包括被掩埋在上电极中的下插塞和在下插塞上的上插塞，下插塞的上表面与上电极的上表面基本上共面，下插塞的上表面的第一宽度比上插塞的下表面的第二宽度窄，外围接触结构包括外围下插塞和在外围下插塞上的外围上插塞。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下插塞被掩埋在所述上电极中。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述上阻挡层与所述上电极的所述上表面或所述下导电层的上表面接触。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述上阻挡层包括与所述下阻挡层的材料不同的材料。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述上导电层包括与所述下导电层的材料不同的材料。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中

10.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：

11.一种半导体器件，包括：

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中：

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述下阻挡层的上表面或所述下导电层的上表面与所述上电极的上表面共面。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述上插塞的所述下表面位于比所述上电极的上表面的水平低的水平上。

15.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述外围下插塞的上表面和所述下插塞的上表面共面。

17.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述下插塞在垂直方向上的第一高度小于所述上插塞的第二高度。

18.一种半导体器件，包括：

19.如权利要求18所述的半导体器件，其中

20.如权利要求18所述的半导体器件，其中

技术总结
一种半导体器件包括：基板；下电极，在基板上；电介质层，在下电极上；上电极，在电介质层上；接触结构，连接到上电极；以及布线层，在接触结构上，其中接触结构包括下插塞和在下插塞上的上插塞，下插塞的上表面与上电极的上表面基本上共面，下插塞的上表面的第一宽度比上插塞的下表面的第二宽度窄，上插塞的下表面与下插塞的上表面接触。

技术研发人员：吴周城
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8