一种SONOS存储器件的制作方法与流程

本申请涉及一种半导体器件领域，更具体的说，涉及一种sonos存储器件的制作方法。

背景技术：

1、随着技术的发展，对大数据的分析对数据的存储与处理的需求越来越高，因此对非易失性存储器也随之升高。在非易失性存储器中，sonos结构的flash存储器的操作电压低，擦写速度快，容量大等优点，被广泛应用到更重电子产品中。

2、但sonos存储器件的工艺制程较为复杂，复杂的工艺带来更低的良率和更高的成本，不利于大面积推广使用。并且sonos存储器件在使用过程中，随着不断的进行擦写等操作，漏极电压会升高，漏极电压引起的电场可能会导致存储介质中的电子逸出，从而导致sonos存储器件的数据丢失。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种sonos存储器件的制作方法，方案如下：

2、一种sonos存储器件的制作方法，包括：

3、提供一衬底，所述衬底具有mos器件区和sonos器件区；所述mos器件区的表面内具有第一阱区和sonos器件区的表面内具有第二阱区；

4、在所述第一阱区的表面上形成mos器件的栅极，在所述第二阱区的表面上形成sonos器件的栅极；

5、基于砷离子注入工艺，在所述mos器件的栅极两侧的第一阱区表面内形成第一低压轻掺杂漏极，在所述sonos器件的栅极两侧的第二阱区表面内形成第二低压轻掺杂漏极；其中，所述第一低压轻掺杂漏与所述第二低压轻掺杂漏极同时形成；

6、在所述第一阱区内的两第一低压轻掺杂漏极内分别形成mos器件的源极和漏极，在所述第二阱区内的两第二低压轻掺杂漏极内分别形成sonos器件的源极和漏极。

7、优选的，在上述介绍的制作方法中，所述第一阱区和所述第二阱区均为p型离子注入区；

8、其中，所述第一阱区的p型离子注入浓度小于第二阱区的p型离子注入浓度。

9、优选的，在上述介绍的制作方法中，在形成所述第一低压轻掺杂漏极和所述第二低压轻掺杂漏极之后，在形成所述mos器件的源极和漏极以及所述sonos器件的源极和漏极之前，还包括：

10、将衬底设置在750℃-1000℃的温度下进行热处理。

11、优选的，在上述介绍的制作方法中，在所述第一阱区的表面上形成mos器件的栅极，在所述第二阱区的表面上形成sonos器件的栅极的方法包括：

12、在所述衬底的表面沉积隧穿层；

13、在所述遂穿层的背离所衬底的一侧表面沉积隔离层；

14、在所述隔离层的背离所述衬底的一侧形成和调度层；

15、刻蚀所述隧穿层、隔离层和调度层，在mos器件区形成图形化的第一功能层，在所述sonos器件区的表面形成图形化的第二功能层；

16、基于所述第一功能层，形成所述mos器件的栅极；基于所述第二功能层形成所述sonos器件的栅极

17、其中，所述第一功能层包括区块化的隧穿层；所述第二功能层包括区块化的隧穿层、隔离层和调度层。

18、优选的，在上述介绍的制作方法中，所述第一低压轻掺杂漏极掺杂的离子浓度为2×1013-2.5×1013个/cm3；

19、所述第二低压轻掺杂漏极掺杂的离子浓度为2×1013-2.5×1013个/cm3。

20、优选的，在上述介绍的制作方法中，所述sonos器件的漏极掺杂的离子浓度为1015-1016个/cm3；

21、所述sonos器件的源极掺杂的离子浓度为1015-1016个/cm3。

22、优选的，在上述介绍的制作方法中，所述mos器件的漏极掺杂的离子浓度为1×1015-2×1016个/cm3；

23、所述mos器件的源极掺杂的离子浓度为1×1015-2×1016个/cm3。

24、优选的，在上述介绍的制作方法中，在所述mos器件的栅极两侧的第一阱区表面内形成第一低压轻掺杂漏极，在所述sonos器件的栅极两侧的第二阱区表面内形成第二低压轻掺杂漏极后，还包括：

25、在所述mos器件的栅极两侧形成第一侧墙结构；在所述snons器件的栅极两侧形成第二侧墙结构。

26、优选的，在上述介绍的制作方法中，所述第一侧墙结构包括：依次沉积在mos器件的栅极侧壁的第一氧化层、第一氮化层和第一氧化硅层；

27、所述第二侧墙结构包括：依次沉积在sonos器件的栅极侧壁的第二氧化层、第二氮化层和第二氧化硅层。

28、优选的，在上述介绍的制作方法中，形成所述第一低压轻掺杂漏极和所述第二低压轻掺杂漏极的方法包括：

29、在所述mos器件区和所述sonos器件区的表面上形成区块化的牺牲层；

30、所述区块化的牺牲层在所述mos器件区具有第一开口；在所述sonos器件区具有第二开口；

31、采用砷离子注入工艺，基于所述第一开口，在所述mos器件区内形成所述第一低压轻掺杂漏极；基于所述第二开口，在所述sonos器件区内形成所述第二低压轻掺杂漏极；

32、去除所述区块化的牺牲层。

33、基于上述介绍，本申请提供了一种sonos存储器件的制作方法，采用砷离子注入工艺来制备第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极，简化了工艺流程。同时还降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极中的离子浓度，有效的降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极对器件中电子的干扰，进而提高该sonos存储器件中数据的可靠性。

技术特征：

1.一种sonos存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一阱区和所述第二阱区均为p型离子注入区；

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一低压轻掺杂漏极和所述第二低压轻掺杂漏极之后，在形成所述mos器件的源极和漏极以及所述sonos器件的源极和漏极之前，还包括：

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阱区的表面上形成mos器件的栅极，在所述第二阱区的表面上形成sonos器件的栅极的方法包括：

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一低压轻掺杂漏极掺杂的离子浓度为2×1013-2.5×1013个/cm3；

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述sonos器件的漏极掺杂的离子浓度为1015-1016个/cm3；

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述mos器件的漏极掺杂的离子浓度为1×1015-2×1016个/cm3；

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述mos器件的栅极两侧的第一阱区表面内形成第一低压轻掺杂漏极，在所述sonos器件的栅极两侧的第二阱区表面内形成第二低压轻掺杂漏极后，还包括：

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一侧墙结构包括：依次沉积在mos器件的栅极侧壁的第一氧化层、第一氮化层和第一氧化硅层；

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一低压轻掺杂漏极和所述第二低压轻掺杂漏极的方法包括：

技术总结
本申请提供了一种SONOS存储器件的制作方法，该制作方法采用砷离子注入工艺来制备第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极，简化了工艺流程。同时还降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极中的离子浓度，有效的降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极对器件中电子的干扰，进而提高该SONOS存储器件中数据的可靠性。

技术研发人员：贾宬,王志刚
受保护的技术使用者：珠海创飞芯科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16