半导体装置的制作方法

本发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括竖直沟道晶体管的半导体装置。

背景技术：

1、为满足优秀性能和经济可行性，需要增大半导体装置的集成度。具体地，存储器装置的集成度是决定产品经济可行性的重要因素。二维存储器装置的集成度主要由单位存储器单元所占的面积确定，因此二维存储器装置的集成度极大地取决于精细图案形成技术的水平。然而，需要昂贵的仪器来形成精细图案并且芯片裸晶的面积受限，因此二维存储器装置的集成度已经得到增大，但仍受限。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种集成度增大和电特性提高的半导体装置，其包括竖直沟道晶体管。

2、本发明构思的技术思想要解决的问题不限于上述问题，并且从下面的描述中，本领域普通技术人员可清楚地理解未提及的其它问题。

3、根据本发明构思的一方面，一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的第一位线；第一位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与第一位线交叉地延伸；第一字线，其在第二方向上延伸，其中第一有源图案设置在第一字线与背栅电极之间；第二字线，其在第二方向上延伸，其中第二有源图案设置在第二字线与背栅电极之间；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个。接触图案包括在垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠在彼此上的外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

4、根据本发明构思的另一方面，一种半导体装置包括：衬底；位线，其在第一方向上在衬底上延伸；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间，并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的第一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的第二侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个。接触图案包在垂直于衬底的上表面的竖直方向上括堆叠在彼此上的未掺杂的外延生长层、掺杂的外延生长层和硅化物层。

5、根据本发明构思的另一方面，一种半导体装置包括：衬底；第一位线，其在第一方向上在衬底上延伸；第二位线，其邻近于第一位线；间隙结构，其设置在第一位线与第二位线之间的空间中，并且在第一方向上延伸；第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在第一方向上在第一位线上交替地布置；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间，并且在垂直于第一方向的第二方向上与第一位线交叉地延伸；第一字线，其邻近于第一有源图案并且在第二方向上延伸；第二字线，其邻近于第二有源图案并且在第二方向上延伸；栅极绝缘图案，其在第一有源图案和第二有源图案与第一字线和第二字线之间；背栅绝缘图案，其在背栅电极与第一有源图案和第二有源图案中的每一个之间；接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个；接触图案上的着陆焊盘；以及数据储存图案，其连接至着陆焊盘。接触图案包括：未掺杂的外延生长层；掺杂的外延生长层，其在未掺杂的外延生长层上，并且具有逐渐增大的掺杂浓度；掺杂的多晶硅层，其在掺杂的外延生长层上并且以比掺杂的外延生长层更高的浓度被掺杂；以及掺杂的多晶硅层上的金属硅化物层。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

11.一种半导体装置，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.根据权利要求11所述的半导体装置，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，

16.一种半导体装置，包括：

17.根据权利要求16所述的半导体装置，

18.根据权利要求17所述的半导体装置，

19.根据权利要求16所述的半导体装置，

20.根据权利要求16所述的半导体装置，

技术总结
一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的位线；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个，其中，接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

技术研发人员：金泰赫,姜泰逵,申硕浩,李基硕,李相昊,金根楠,朴硕汉,慎重赞,郑文泳,赵银珠
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4