一种显示面板及其制作方法与显示装置与流程

本技术涉及显示，特别是涉及一种显示面板及其制作方法与显示装置。

背景技术：

1、目前指纹传感器有电容传感器，超声波传感器，小孔成像的光学传感器等，都有各自的优缺点：电容式由于穿透距离的限制只能集成覆盖，不能用于屏下；超声波式由于材料限制，不易集成屏内，且大面积超声波指纹识别功耗高，价格昂贵，技术不成熟，同时声波在柔软物质和空气中损耗大，导致手机无法贴膜，影响用户体验；小孔成像的光学传感器的优势在于可以最大程度上避免环境光的干扰，在极端环境下的稳定性更好，不足在于制作多大指纹识别区域，就需要多大的指纹识别传感器，成本比较昂贵。缩小识别区域则存在识别率还不够高，识别面积小，另外长期点亮屏幕特定区域，oled屏容易出现老化问题。

2、以上指纹识别方案，或无法集成于屏内，或集成于屏内困难，并且存在识别效率不高的问题。

技术实现思路

1、本技术实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法与显示装置，将指纹识别传感器集成于屏内，减少占用空间，提高指纹识别效率。具体技术方案如下：

2、本技术第一方面提出一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板的一侧的多个第一薄膜晶体管和多个pin光电二极管，所述光电二极管的p层和n层至少部分与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置，所述pin光电二极管的i层位于所述p层和所述n层之间；所述i层远离所述衬底基板一侧的表面具有微纳复合绒面结构，所述微纳复合绒面结构由微米或纳米尺度的具有锥状的硅微柱或硅微坑构成。

3、根据本技术第一方面提出的显示面板，其还可以具有如下技术特征：

4、在一些实施例中，所述微纳复合绒面结构利用sf6/o2等离子体轰击所述i层远离所述衬底基板一侧的表面得到。

5、在一些实施例中，所述p层、所述n层和所述i层与所述有源层同层设置。

6、在一些实施例中，所述显示面板包括缓冲层，所述缓冲层设于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述缓冲层设有沿垂直于所述衬底基板所在平面的第一方向贯穿所述缓冲层第一过孔，所述p层和所述n层的一部分分别搭接于形成所述第一过孔的两侧壁，另一部分位于所述缓冲层远离所述衬底基板的表面，所述i层位于所述p层和所述n层之间，并至少与所述p层和所述n层远离所述衬底基板的表面齐平。

7、在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管包括设于所述有源层远离所述衬底基板一侧的第一栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层，所述层间绝缘层设有多个第二过孔，所述第二过孔沿所述第一方向贯穿所述层间绝缘层、所述第一栅极绝缘层分别延伸至所述有源层的导体化区、所述p层和所述n层；所述第一薄膜晶体管的源漏极层与所述pin光电二极管的电极层包括同层设置于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧的部分，所述源漏极层通过第二过孔与所述有源层的导体化区电连接，所述电极层通过所述第二过孔与所述p层和所述n层电连接。

8、在一些实施例中，所述第二过孔在所述缓冲层的正投影位于所述p层和所述n层之间，所述第二过孔至少暴露所述p层和所述n层位于所述第一过孔内的部分，所述i层位于所述第二过孔内。

9、在一些实施例中，所述显示面板还包括钝化层，所述钝化层设于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且所述钝化层覆盖所述i层。

10、在一些实施例中，所述栅极和所述层间绝缘层之间还设有第二栅极绝缘层和第一金属层，所述第一金属层在所述衬底基板的正投影和所述栅极在所述衬底基板的正投影至少部分交叠形成存储电容。

11、在一些实施例中，所述第二栅极绝缘层设有第三过孔，所述第三过孔在所述缓冲层的正投影位于所述p层和所述n层之间，所述第三过孔至少暴露所述p层和所述n层位于所述第一过孔内的部分，所述i层位于所述第三过孔内。

12、在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管包括设于所述有源层远离所述衬底基板一侧的第一栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层，所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧设有像素定义层，所述像素定义层包括开口区和非开口区，所述开口区内设有发光单元，所述非开口区在所述衬底基板的正投影与所述pin光电二极管在所述衬底基板的正投影重叠。

13、本技术第二方面提出一种显示面板的制作方法，用于制作以上所述的显示面板，包括以下步骤：

14、提供衬底基板，在所述衬底基板的一侧形成多个第一薄膜晶体管和多个pin光电二极管，所述光电二极管的p层和n层与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置，所述pin光电二极管的i层位于所述p层和所述n层之间。

15、对所述i层远离所述衬底基板一侧的表面利用sf6/o2等离子体进行轰击，形成具有微纳复合绒面结构，所述微纳复合绒面结构由微米或纳米尺度的具有锥状的硅微柱或硅微坑构成。

16、在一些实施例中，形成所述pin光电二极管的具体过程为：

17、在所述衬底基板的一侧形成缓冲层。

18、在所述缓冲层沿垂直于所述衬底基板所在平面的第一方向开设贯穿所述缓冲层的第一过孔。

19、在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成多晶硅层，所述多晶硅层包括有源层和pin光电二极管的p层和n层，所述p层和所述n层的一部分分别搭接于形成所述第一过孔的两侧壁，另一部分位于所述缓冲层远离所述衬底基板的表面。

20、在所述多晶硅层远离所述衬底基板一侧制作第一栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层。

21、在所述层间绝缘上开设第二过孔，所述第二过孔沿所述第一方向贯穿所述层间绝缘层、所述第一栅极绝缘层分别延伸至所述有源层的导体化区、所述p层和所述n层，所述第一薄膜晶体管的源漏极层与所述pin光电二极管的电极层包括同层设置于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧的部分，所述源漏极层通过第二过孔与所述有源层的导体化区电连接，所述电极层通过所述第二过孔与所述p层和所述n层电连接。

22、在一些实施例中，在所述层间绝缘层开设第二过孔的步骤中，还包括以下步骤：

23、在所述层间绝缘上开设正投影位于所述p层和所述n层之间的第二过孔，所述第二过孔至少暴露所述p层和所述n层位于所述第一过孔内的部分，在所述第二过孔内填充i层。

24、在一些实施例中，在制作第一栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层的过程中，还包括以下步骤：

25、在所述栅极远离所述衬底基板的一侧依次制作第二栅极绝缘层和第一金属层，所述第一金属层在所述衬底基板的正投影和所述栅极在所述衬底基板的正投影至少部分交叠形成存储电容，在所述第二栅极绝缘层开设第三过孔，所述第三过孔在所述缓冲层的正投影位于所述p层和所述n层之间，所述第三过孔至少暴露所述p层和所述n层位于所述第一过孔内的部分，所述i层位于所述第三过孔内。

26、本技术第三方面提出一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的显示面板。

27、本技术实施例有益效果：

28、本技术实施例提供的显示面板及其制作方法与显示装置，衬底基板的一侧设置多个第一薄膜晶体管和pin光电二极管，使得显示面板具有指纹识别的功能；同时，本技术实施例中的pin光电二极管是利用制备第一薄膜晶体管膜层的过程中进行pin光电二极管相应膜层的制备，无需额外增加过多的膜层制备工艺。i层远离衬底基板一侧的表面的微纳复合绒面结构，使得i层远离衬底基板一侧的表面为黑硅表面，能够降低i层对光线的反射率，提高其对光线的吸收率，增强i层所吸收的光线强度，从而提高pin光电二极管产生光生载流子的强度，增加pin光电二极管的亮态电流，提高pin光电二极管的响应度，提高信噪比，从而提高显示面板的指纹识别效率。

29、当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。