显示面板以及显示装置的制作方法

本发明涉及具有显示器的电子装置，更具体地，涉及显示面板以及显示装置。

背景技术：

1、晶体管广泛用作电子装置领域中的开关器件或驱动器件。

2、尤其是，由于薄膜晶体管可在玻璃基板或塑料基板上制造，所以薄膜晶体管广泛用作诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等之类的显示装置中的驱动元件(或驱动晶体管)或开关元件(或开关晶体管)。

3、但是，当晶体管暴露到光、氢等中时，由于诸如物理特性、电特性等之类的晶体管的特性可改变，所以晶体管可能不执行期望的所需功能。

技术实现思路

1、为了解决这些问题，本发明的一个或多个实施方式可提供一种显示面板以及显示装置，其包括具有即使暴露到光、氢等中时也能够提供期望性能的结构的晶体管。

2、本发明的一个或多个实施方式可提供一种显示面板以及显示装置，其包括具有即使晶体管具有更易于暴露到光、氢等中的顶栅结构也能够防止或减少晶体管暴露到光、氢等中的结构的晶体管。

3、本发明的一个或多个实施方式可提供一种显示面板以及显示装置，其包括具有即使显示装置具有更易于暴露到光、氢等中的顶栅结构也能够防止或减少晶体管暴露到光、氢等中的结构的晶体管。

4、本发明的一个或多个实施方式可提供一种显示面板以及显示装置，其包括不同类型的晶体管，每种晶体管被设计为根据在暴露到光、氢等中时晶体管的特性变化而有利或不利的相应优化结构。

5、根据本发明的多个方面，可提供一种显示面板，其包括提供数据信号的数据信号线、提供扫描信号的扫描信号线、以及设置在子像素中的第一晶体管，在所述子像素中连接所述数据信号线和所述扫描信号线。

6、所述第一晶体管可包括：第一有源层；连接至所述第一有源层的一侧的第一源极；连接至所述第一有源层的另一侧的第一漏极；以及第一栅极，所述第一栅极与所述第一有源层交叠、与所述第一源极的全部或至少一部分交叠、并且与所述第一漏极的全部或至少一部分交叠。

7、所述子像素还可包括发光元件、第二晶体管和存储电容器。

8、所述发光元件可包括第一电极、发光层和第二电极。

9、所述第二晶体管可包括：第二有源层；连接至所述第二有源层的一侧的第二源极；连接至所述第二有源层的另一侧的第二漏极；以及第二栅极，所述第二栅极与所述第二有源层的一部分交叠，但是不与所述第二源极和所述第二漏极交叠。

10、所述第一晶体管可以是驱动晶体管，所述第二晶体管可以是作为一种开关晶体管的扫描晶体管。

11、所述第一晶体管的第一栅极可以是位于所述第一有源层上方的顶栅极，所述第二晶体管的第二栅极可以是位于所述第二有源层上方的顶栅极。

12、所述第一栅极具有比所述第二栅极的尺寸更大的尺寸，并且所述第一栅极足够长并且宽以防止氢或光渗透到所述第一有源层中。

13、在一个或多个实施方式中，所述显示面板还可包括设置在所述存储电容器和所述第一晶体管之间的侧屏蔽部(side shield)。例如，所述侧屏蔽部可包括沟槽形接触孔线(或沟槽形接触孔)，其中第二电容器电极和所述第一栅极连接至所述沟槽形接触孔线。

14、在一个或多个实施方式中，所述显示面板还可包括：基板；在所述基板上的缓冲层；以及位于所述基板和所述缓冲层之间并且与所述第一有源层交叠的下屏蔽部。

15、例如，所述下屏蔽部可电连接至所述第一源极。

16、在另一示例中，所述下屏蔽部可电连接至所述第一栅极。

17、所述第一栅极可包括第一下栅极和第一上栅极。所述第一下栅极可接触所述第二电容器电极并且包括与第一电容器电极相同的材料。

18、在一个或多个实施方式中，设置在所述显示面板中的子像素的发光区可位于所述存储电容器上方。

19、在一个或多个实施方式中，设置在所述显示面板中的第一栅极可形成为单层并且包括与所述第一电容器电极相同的材料。

20、在一个或多个实施方式中，设置在所述显示面板中的子像素的发光区可与所述第一晶体管交叠并且位于所述第一晶体管上方。

21、在一个或多个实施方式中，在所述显示面板中，所述第一源极与所述第一栅极交叠的面积可大于所述第一漏极与所述第一栅极交叠的面积。

22、在一个或多个实施方式中，在所述显示面板中，可通过在所述第一源极和所述第一栅极之间的交叠形成附加存储电容器。

23、根据本发明的多个方面，可提供包括基板以及在所述基板上的第一晶体管和第二晶体管的显示装置。

24、所述第一晶体管可包括：第一有源层；连接至所述第一有源层的一侧的第一源极；连接至所述第一有源层的另一侧的第一漏极；以及与所述第一有源层的全部或者至少一部分交叠的第一栅极。

25、所述第二晶体管可包括：第二有源层；连接至所述有源层的一侧的第二源极；连接至所述第二有源层的另一侧的第二漏极；以及与所述第二有源层的一部分交叠的第二栅极。

26、所述显示装置还可包括设置在所述第一有源层和所述第一栅极之间以及设置在所述第二有源层和所述第二栅极之间的栅极绝缘层。

27、例如，在所述栅极绝缘层的多个部分中的、位于所述第一有源层和所述第一栅极之间的部分中暴露的氢的浓度或者光量可小于在所述栅极绝缘层的多个部分中的、位于所述第二有源层和所述第二栅极之间的部分中暴露的氢的浓度或者光量。

28、根据本发明的多个方面，可提供一种显示装置，包括：第一晶体管，包括：第一有源层、连接至所述第一有源层的一侧的第一源极、连接至所述第一有源层的另一侧的第一漏极、以及与所述第一有源层的至少一部分交叠的第一栅极；第二晶体管，包括：第二有源层、连接至所述第二有源层的一侧的第二源极、连接至所述第二有源层的另一侧的第二漏极、以及与所述第二有源层的一部分交叠的第二栅极；以及设置在所述第一源极和所述第一栅极之间的存储电容器，其中，所述第一栅极具有比所述第二栅极的尺寸更大的尺寸，并且所述第一栅极足够长并且宽以防止氢或光渗透到所述第一有源层中。

29、根据一个或多个实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其包括具有即使暴露到光、氢等中也能够提供期望性能的结构的晶体管。

30、根据一个或多个实施方式，可提供一种显示面板以及显示装置，其包括具有即使晶体管具有更易于暴露到光、氢等中的顶栅结构也能够防止或减少晶体管暴露到光、氢等中的结构的晶体管。

31、根据本发明的一个或多个实施方式，可提供一种显示面板以及显示装置，其包括具有即使显示装置具有更易于暴露到光、氢等中的顶栅结构也能够防止或减少晶体管暴露到光、氢等中的结构的晶体管。

32、根据本发明的一个或多个实施方式，可提供一种显示面板以及显示装置，其包括不同类型的晶体管，每种晶体管被设计为根据在暴露到光、氢等中时晶体管的特性变化而有利或不利的相应优化结构。

技术特征：

1.一种显示面板，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括设置在所述子像素中的发光元件、第二晶体管和存储电容器，

3.根据权利要求2所述的显示面板，其中第一栅极是位于所述第一有源层上方的顶栅极，所述第二栅极是位于所述第二有源层上方的顶栅极，

4.根据权利要求2所述的显示面板，其中所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，

5.根据权利要求4所述的显示面板，还包括设置在所述存储电容器和所述第一晶体管之间的侧屏蔽部，

6.根据权利要求4所述的显示面板，还包括：

7.根据权利要求6所述的显示面板，其中所述存储电容器还包括电连接至所述第一源极和所述第一电容器电极的第三电容器电极，

8.根据权利要求6所述的显示面板，其中所述下屏蔽部电连接至所述第一源极。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其中所述下屏蔽部与所述存储电容器中包括的电容器电极一体地形成。

10.根据权利要求6所述的显示面板，其中所述下屏蔽部电连接至所述第一栅极。

11.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述第一栅极包括第一下栅极和第一上栅极，

12.根据权利要求11所述的显示面板，还包括：

13.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述子像素具有位于所述存储电容器上方的发光区。

14.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述第一栅极形成为单层并且包括与所述第一电容器电极相同的材料。

15.根据权利要求4所述的显示面板，还包括：

16.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述子像素具有位于所述第一晶体管上方的发光区。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一源极与所述第一栅极交叠的面积大于所述第一漏极与所述第一栅极交叠的面积。

18.根据权利要求2所述的显示面板，还包括通过在所述第一源极和所述第一栅极之间的交叠形成的附加存储电容器。

19.一种显示装置，包括：

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述第一栅极与所述第一源极的全部或者至少一部分交叠，并且与所述第一漏极的全部或者至少一部分交叠，所述第二栅极不与所述第二源极和所述第二漏极交叠。

21.根据权利要求20所述的显示装置，还包括设置在所述第一源极和所述第一栅极之间的存储电容器，

22.一种显示装置，包括：

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中所述第二栅极允许氢或光渗透到所述第二有源层中。

24.根据权利要求22所述的显示装置，还包括设置在所述存储电容器和所述第一晶体管之间的侧屏蔽部，其中所述侧屏蔽部包括沟槽形接触孔线，所述第二电容器电极和所述第一栅极连接至所述沟槽形接触孔线，

25.根据权利要求22所述的显示装置，还包括被设置为与所述第一有源层交叠的下屏蔽部。

26.根据权利要求22所述的显示装置，还包括设置在所述第一栅极和所述第二栅极上的保护层。

技术总结
本发明提供一种显示面板以及显示装置。所述显示面板包括：用于提供数据信号的数据信号线；用于提供扫描信号的扫描信号线；以及连接至所述数据信号线和所述扫描信号线并且包括第一晶体管的子像素，其中所述第一晶体管包括：第一有源层；连接至所述第一有源层的一侧的第一源极；连接至所述第一有源层的另一侧的第一漏极；以及第一栅极，所述第一栅极与所述第一有源层交叠、与所述第一源极的全部或者至少一部分交叠、并且与所述第一漏极的全部或者至少一部分交叠。本发明能够防止第一晶体管暴露到光或氢中，由此防止由于光或氢导致的第一晶体管的特性退化。

技术研发人员：丁燦墉,高永贤,白朱爀
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11