具有无机像素包封阻挡层的OLED面板的制作方法

文档序号:37126353发布日期:2024-02-22 21:38阅读:21来源:国知局
具有无机像素包封阻挡层的OLED面板的制作方法

本文描述的多个实施方式一般涉及显示器。更具体地,本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(oled)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。相关技术的描述包括显示装置的输入装置可用于多种电子系统中。有机发光二极管(oled)是其中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜的发光二极管(led)。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和在基板上制造面板的基板,则oled装置被分类为底部发射装置。顶部发射装置基于从oled装置发射的光是否穿过盖离开来进行分类,该盖在装置的制造之后添加。现今,oled用于形成许多电子器件中的显示装置。现今的电子器件制造商正在推动这些显示装置的大小的缩小,而同时提供比几年前更高的分辨率。oled像素图案化目前基于限制面板大小、像素分辨率和基板大小的工艺。与其利用纯金属(fine metal)掩模,不如使用光刻技术(photo lithography)图案化像素。目前,oled像素图案化要求在图案化工艺之后剥离有机材料。当被剥离时,有机材料留下破坏oled性能的颗粒问题。因此,本领域中需要子像素电路和形成子像素电路的方法来增加每英寸像素并提供改善的oled性能。


背景技术:


技术实现思路

1、在一个实施方式中,提供了一种装置。所述装置包括:基板;相邻像素限定层(pdl)结构,所述相邻pdl结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素;无机悬垂(overhang)结构,所述无机悬垂结构设置在所述pdl结构的上表面上;和多个子像素。每个子像素包括:阳极;有机发光二极管(oled)材料,所述oled材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触;阴极,所述阴极设置在所述oled材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸;和包封层,所述包封层设置在所述阴极之上。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。

2、在另一个实施方式中,提供一种装置。所述装置包括:基板;相邻像素限定层(pdl)结构,所述相邻pdl结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素;无机悬垂结构,所述无机悬垂结构设置在所述pdl结构的上表面上;和多个子像素。每个子像素包括:阳极;有机发光二极管(oled)材料,所述oled材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触;阴极,所述阴极设置在所述oled材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸;和包封层,所述包封层设置在所述阴极之上。所述阴极接触设置在所述无机悬垂结构之下的辅助阴极或在所述无机悬垂结构之下的侧壁的部分中的一者或多者。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。

3、在又一个实施方式中,提供了一种装置。所述装置包括:基板;基板;相邻像素限定层(pdl)结构,所述相邻pdl结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素;无机悬垂结构,所述无机悬垂结构设置在所述pdl结构的上表面上;和多个子像素。每个无机悬垂结构具有:下部分,所述下部分设置在所述pdl结构中的一个pdl结构的上表面上;和上部分,所述上部分设置在所述下部分上,所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。每个子像素包括:阳极;有机发光二极管(oled)材料,所述oled材料设置在所述阳极之上,所述oled材料具有由所述上部分的所述下侧边缘限定的oled边缘,使得所述oled材料不接触所述下部分;和阴极,所述阴极设置在所述oled材料之上,所述阴极具有由所述上部分的所述下侧边缘限定的阴极边缘,使得所述阴极边缘在所述上部分之下延伸,并且所述阴极接触设置在所述下部分之下的辅助阴极或所述下部分的所述侧壁的部分中的一者或多者。



技术特征:

1.一种装置,包括:

2.如权利要求1所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的侧壁延伸。

3.如权利要求2所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的上表面延伸。

4.如权利要求1所述的装置,其中所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。

5.如权利要求4所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的所述下侧边缘延伸。

6.如权利要求1所述的装置,其中所述装置包括点型架构或线型架构。

7.如权利要求1所述的装置,进一步包括整体钝化层,所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构和所述包封层之上。

8.一种装置,包括:

9.如权利要求8所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的侧壁延伸。

10.如权利要求9所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的上表面延伸。

11.如权利要求8所述的装置,其中所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。

12.如权利要求11所述的装置,其中所述包封层进一步沿所述上部分的所述下侧边缘延伸。

13.如权利要求8所述的装置,其中所述装置包括点型架构或线型架构。

14.如权利要求8所述的装置,进一步包括整体钝化层,所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构和所述包封层之上。

15.一种装置,包括:

16.如权利要求15所述的装置,其中所述第一包封层进一步沿所述上部分的侧壁延伸。

17.如权利要求16所述的装置,其中所述第一包封层进一步沿所述上部分的上表面延伸。

18.如权利要求15所述的装置,其中所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。

19.如权利要求18所述的装置,其中所述第一包封层进一步沿所述上部分的所述下侧边缘延伸。

20.如权利要求15所述的装置,进一步包括整体钝化层,所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构和所述第一包封层之上。


技术总结
本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括:基板;相邻像素限定层(PDL)结构,所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素;无机悬垂结构,所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面上;和多个子像素。每个子像素包括:阳极;有机发光二极管(OLED)材料,所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触;阴极,所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸;和包封层,所述包封层设置在所述阴极之上。所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。

技术研发人员:郑知泳,迪特尔·哈斯,林裕新,李政旻,柳盛昊,金时经
受保护的技术使用者:应用材料公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/21
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