一种PCB沉金加镀金工艺阻焊下无金的工艺方法与流程

本发明涉及pcb加工，特别涉及一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺。

背景技术：

1、保证印制电路板良好的可焊性和电气性能，往往采用沉金或镀金工艺进行表面处理,但两者结合的工艺可满足客户特殊焊盘位置绑定要求也逐渐得到发展。同时业界内镀金工艺多为先镀金再做阻焊。因金面结合力差，印制电路板焊接时阻焊下的金面渗锡导致电气性能失效。

技术实现思路

1、本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，能够实现阻焊下无金，突破了常规先沉金加镀金再做阻焊工艺的局限性。

2、根据本发明的第一方面，提供一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，包括以下步骤：开料→层压→钻孔→沉铜→外层图形转移→初次印阻焊→印湿膜→沉镍金→外光成像→二次印湿膜→镀金→蚀刻导线→二次印阻焊→测试→铣边→终检。

3、根据本发明实施例的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，至少具有如下有益效果：一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺包括以下步骤：开料→层压→钻孔→沉铜→外层图形转移→初次印阻焊→印湿膜→沉镍金→外光成像→二次印湿膜→镀金→蚀刻导线→二次印阻焊→测试→铣边→终检。通过先印阻焊再做表面处理最后套印阻焊，实现阻焊下无金。导线位置做阻焊开窗，湿膜法实现整板沉金加局部镀金，导线采用湿膜盖导线加蚀刻导线法去除。实现整板沉金加局部镀金加阻焊下无金的表面处理，解决了导线被绿油覆盖不好去除的问题，突破了常规先沉金加镀金再做阻焊工艺的局限性。

4、根据本发明所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，初次印阻焊步骤中，在印制线路板表面印阻焊，在导线位置开窗处理。

5、根据本发明所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，在印湿膜步骤中，仅在导线位置进行湿膜覆盖，随后在沉镍金步骤中整板沉镍金。

6、根据本发明所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，在二次印湿膜步骤中，仅漏出需要镀金的焊盘，其余位置覆盖湿膜。

7、根据本发明所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，在蚀刻导线步骤中，将工艺导线蚀刻裸露出基材区域。

8、根据本发明所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，在二次印阻焊步骤中，整板套印一次阻焊后完成整板表面处理。

9、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

10、附图说明

11、下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明；

12、图1为本发明较佳实施例的工艺流程图；

13、图2为本发明较佳实施例板材区域划分图；

14、图3为本发明较佳实施例沉镍金前的结构示意图；

15、图4为本发明较佳实施例镀金前的结构示意图；

16、图5为本发明较佳实施例蚀刻导线前的结构示意图；

17、图6为本发明较佳实施例蚀刻导线后的结构示意图；

18、图7为本发明较佳实施例二次印阻焊后的结构示意图。

技术特征：

1.一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：开料→层压→钻孔→沉铜→外层图形转移→初次印阻焊→印湿膜→沉镍金→外光成像→二次印湿膜→镀金→蚀刻导线→二次印阻焊→测试→铣边→终检。

2.根据权利要求1所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，在初次印阻焊步骤中，在印制线路板表面印阻焊，在导线位置开窗处理。

3.根据权利要求1所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，在印湿膜步骤中，仅在导线位置进行湿膜覆盖，随后在沉镍金步骤中整板沉镍金。

4.根据权利要求1所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，在二次印湿膜步骤中，仅漏出需要镀金的焊盘，其余位置覆盖湿膜。

5.根据权利要求1所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，在蚀刻导线步骤中，将工艺导线蚀刻裸露出基材区域。

6.根据权利要求1所述的一种pcb沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，其特征在于，在二次印阻焊步骤中，整板套印一次阻焊后完成整板表面处理。

技术总结
本发明公开了一种PCB沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺，涉及PCB加工技术领域，能够实现阻焊下无金，突破了常规先沉金加镀金再做阻焊工艺的局限性。一种PCB沉金加镀金工艺阻焊下无金的加工工艺包括以下步骤：开料→层压→钻孔→沉铜→外层图形转移→初次印阻焊→印湿膜→沉镍金→外光成像→二次印湿膜→镀金→蚀刻导线→二次印阻焊→测试→铣边→终检。通过先印阻焊再做表面处理最后套印阻焊，实现阻焊下无金。导线位置做阻焊开窗，湿膜法实现整板沉金加局部镀金，导线采用湿膜盖导线加蚀刻导线法去除。实现整板沉金加局部镀金加阻焊下无金的表面处理，解决了导线被绿油覆盖不好去除的问题。

技术研发人员：邹顺,胡伦洪,张勃
受保护的技术使用者：珠海杰赛科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15