一种新型热源电池的制作方法

文档序号:35997371发布日期:2023-11-16 09:35阅读:25来源:国知局
一种新型热源电池的制作方法

本发明属于电力能源,尤其涉及一种新型热源电池。


背景技术:

1、目前,日益严重的能源危机问题和气候变暖问题已经严重地影响到人类的生存与发展。

2、为此,现在全世界都在大力推广太阳能光伏发电、风力发电等。但光伏发电、风力发电都有一个严重的缺点,就是它们都是间歇性地进行发电。而且光伏发电的光电转换率低,发电功率也较小。人们非常看好可控核聚变这个所谓的终极能源。不幸的是,可控核聚变的商业化应用总是遥望无期。

3、人类必须寻找新类型的、取之不尽用之不竭的清洁能源。太阳辐射出来的热能就是这样的能源。太阳每时每刻都辐射巨量的热量到地球表面,一天24小时,晴天、阴雨雪天,地球表面上的一切物体(包括大气、海水、土壤等),不论其温度是室温、高温、低温,它们都蕴含着量值巨大的热量。而现有常规热源电池的结构和制作都比较复杂,导致其成本居高不下。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种新型热源电池,旨在解决现有技术中的热源电池存在结构和制作复杂,成本高的技术问题。

2、为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:

3、一种新型热源电池,所述热源电池包括电池主体和电极,所述电池主体包括p型的半导体a和n型的半导体b,所述电极包括负极和正极;所述半导体a和所述半导体b相互接触构成一个二极管,对所述二极管的整体进行n型重掺杂;所述半导体a的外侧面设有金属层ⅰ,所述金属层ⅰ作为所述负极;所述半导体b的外侧面设有金属层ⅱ,所述金属层ⅱ作为所述正极。

4、优选的,所述金属层ⅰ的形状、面积分别与所述半导体a外侧面的形状、面积相同,所述金属层ⅱ的形状、面积分别与所述半导体b外侧面的形状、面积相同。

5、优选的,所述半导体a的基础材质和所述半导体b的基础材质均为半导体硅。

6、采用上述技术方案所产生的有益效果在于:与现有技术相比,本发明通过对p型半导体a和n型半导体b接触构成的二极管进行n型重掺杂后,半导体a及半导体b内均新增加数量巨大的自由电子,导致半导体a内仅存在自由电子,半导体b内自由电子的浓度明显高于半导体a内的自由电子浓度,进而半导体a和半导体b的接触区域会出现明显的电势差,进而电池吸收周围物体的热量,实现把吸收的热量直接转换为电能的目的。本发明提供的热源电池完全不需要太阳光的照射,能够全天候、高效、不间断地,稳定地、不经过任何中间机构直接转换为电能,而且本发明大量吸收地球表面物体的热量转换为电能,地球表面的温度就直接下降了,绿色环保,具有深远的意义。



技术特征:

1.一种新型热源电池,其特征在于:所述热源电池包括电池主体和电极,所述电池主体包括p型的半导体a和n型的半导体b,所述电极包括负极和正极;所述半导体a和所述半导体b相互接触构成一个二极管;对所述二极管的整体进行n型重掺杂;所述半导体a的外侧面设有金属层ⅰ,所述金属层ⅰ作为所述负极;所述半导体b的外侧面设有金属层ⅱ,所述金属层ⅱ作为所述正极。

2.根据权利要求1所述的新型热源电池,其特征在于:所述金属层ⅰ的形状、面积分别与所述半导体a外侧面的形状、面积相同,所述金属层ⅱ的形状、面积分别与所述半导体b外侧面的形状、面积相同。

3.根据权利要求2所述的新型热源电池,其特征在于:所述半导体a的基础材质和所述半导体b的基础材质均为半导体硅。


技术总结
本发明公开了一种新型热源电池,属于电力能源技术领域,热源电池的电池主体包括P型的半导体A和N型的半导体B,半导体A和半导体B相互接触构成一个二极管,对该二极管的整体进行N型重掺杂;半导体A外侧面设金属层Ⅰ作为负极,半导体B外侧面设金属层Ⅱ作为正极。本发明相对传统热源电池具有结构简单、制作简便、成本低的优点,能够全天候、高效稳定地吸收周围物体的热能转换为电能,而且大量吸收地球表面物体的热量,就会降低地球表面的温度,绿色环保。

技术研发人员:王会山,曾明生
受保护的技术使用者:北京国信融康科技发展有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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