节省NorFlash光罩的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种节省nor flash光罩的方法。

背景技术：

1、在nor flash中，存储元胞(cell)的阈值电压通过离子注入调整，存储元胞离子注入后进行存储元胞的凹槽形成工艺；

2、现有技术中通常需要使用一道光罩打开存储元胞区进行离子注入，之后形成浮栅多晶硅层，再使用一道光罩打开存储元胞区进行凹槽形成工艺，其工艺较为复杂。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的节省nor flash光罩的方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种节省nor flash光罩的方法，用于解决现有技术中需要使用一道光罩打开存储元胞区进行离子注入，之后形成浮栅多晶硅层，再使用一道光罩打开存储元胞区进行凹槽形成工艺，其工艺较为复杂的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种节省nor flash光罩的方法，包括：

3、步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出存储元胞区，所述存储元胞上形成有离子注入缓冲层；

4、步骤二、在所述衬底上利用淀积、研磨形成浮栅多晶硅层；

5、步骤三、在所述浮栅多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述存储元胞区上的所述浮栅多晶硅层裸露；

6、步骤四、对裸露的所述浮栅多晶硅层及其下方的离子注入缓冲层、所述衬底进行离子注入，以调节所述存储元胞区的阈值电压。

7、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

8、优选地，步骤一中的所述浅沟槽隔离的高度高于所述衬底。

9、优选地，步骤一中的所述离子注入缓冲层的材料为二氧化硅。

10、优选地，步骤二中的所述研磨的方法为化学机械平坦化研磨。

11、优选地，步骤二中的所述浮栅多晶硅层的厚度为1600至2000埃。

12、优选地，步骤二中研磨所述所述浮栅多晶硅层至所述浅沟槽隔离上。

13、优选地，步骤四中进行所述离子注入之后，还包括去刻蚀所述存储元胞区上裸露的所述浅沟槽隔离至所需高度，之后去除所述光刻胶层。

14、如上所述，本发明的节省nor flash光罩的方法，具有以下有益效果：

15、本发明在浮栅光刻后进行离子注入，节约了一道光罩的使用。

技术特征：

1.一种节省nor flash光罩的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

3.根据权利要求1所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤一中的所述浅沟槽隔离的高度高于所述衬底。

4.根据权利要求1所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤一中的所述离子注入缓冲层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤二中的所述研磨的方法为化学机械平坦化研磨。

6.根据权利要求1所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤二中的所述浮栅多晶硅层的厚度为1600至2000埃。

7.根据权利要求3所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤二中研磨所述所述浮栅多晶硅层至所述浅沟槽隔离上。

8.根据权利要求3所述的节省nor flash光罩的方法，其特征在于：步骤四中进行所述离子注入之后，还包括去刻蚀所述存储元胞区上裸露的所述浅沟槽隔离至所需高度，之后去除所述光刻胶层。

技术总结
本发明提供一种节省Nor Flash光罩的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出存储元胞区，存储元胞上形成有离子注入缓冲层；在衬底上利用淀积、研磨形成浮栅多晶硅层；三在浮栅多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得存储元胞区上的浮栅多晶硅层裸露；对裸露的浮栅多晶硅层及其下方的离子注入缓冲层、衬底进行离子注入，以调节存储元胞区的阈值电压。本发明在浮栅光刻后进行离子注入，节约了一道光罩的使用。

技术研发人员：贾红丹,张超然,何应春,顾林,张引桐
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16