显示设备和制造显示设备的方法与流程

文档序号:37717415发布日期:2024-04-23 11:49阅读:11来源:国知局
显示设备和制造显示设备的方法与流程

一个或多个实施方式涉及显示设备和制造显示设备的方法。


背景技术:

1、显示设备可视地显示数据。显示设备被用作诸如移动电话的小型产品的显示单元,并且被用作诸如电视的大型产品的显示单元。

2、近来,显示设备的用途已经多样化。另外,随着显示设备变得更薄和更轻,其使用范围也逐渐扩大。

3、随着显示设备被不同地利用,可存在设计显示设备的形状的一种或多种合适的方法,并且可与显示设备组合或关联的功能也已经增加。


技术实现思路

1、本公开的一个或多个实施方式的各方面涉及其中即使当在高温条件(例如,约370℃或更高)下在包含cu的底部金属层上沉积缓冲层时也防止或减少铜(cu)小丘(hillock)的出现的显示设备、以及制造显示设备的方法。然而,这种技术问题为实例,并且本公开不限于此。

2、额外的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过本描述而明确,或者可通过实践本公开的实施方式而习得。

3、根据本公开的一个或多个实施方式,制造显示设备的方法包括:用含氟(f)的蚀刻剂或氢氟酸(hf)的化学溶液来清洁衬底的表面;以及在衬底的表面上形成底部金属层,底部金属层包括第一层以及在第一层上的第二层,其中清洁之后的衬底的表面粗糙度大于清洁之前的衬底的表面粗糙度。

4、在一个或多个实施方式中,第一层可包括第一材料,并且第二层可包括与第一材料不同的第二材料。

5、在一个或多个实施方式中,第一材料可包含钛(ti),并且第二材料可包含铜(cu)。

6、在一个或多个实施方式中,该方法还可包括:在形成底部金属层之后,在底部金属层上形成缓冲层。

7、在一个或多个实施方式中,缓冲层可包括顺序地堆叠的第一缓冲层和第二缓冲层。

8、在一个或多个实施方式中,第一缓冲层和第二缓冲层可包括不同的材料。

9、在一个或多个实施方式中,第一缓冲层可包含氮化硅(sinx),并且第二缓冲层可包含氧化硅(siox)。

10、在一个或多个实施方式中,在通过x射线衍射分析的第一层的x射线衍射光谱中,(002)面上的峰可大于(103)面上的峰。

11、在一个或多个实施方式中,在通过x射线衍射分析的第二层的x射线衍射光谱中,(111)面上的峰可大于(220)面上的峰。

12、在一个或多个实施方式中,在通过x射线衍射分析的第二层的x射线衍射光谱中,(200)面上的峰(p1)与(111)面上的峰(p2)的比例(p1/p2)可为0.3或更大。

13、在一个或多个实施方式中,该方法还可包括:在形成缓冲层之后,在缓冲层上形成半导体层,以及在半导体层上形成栅电极。

14、根据本公开的一个或多个实施方式,显示设备包括衬底、以及在衬底上并且包括第一层和在第一层上的第二层的底部金属层,其中,在通过x射线衍射分析的第二层的x射线衍射光谱中,(111)面上的峰大于(220)面上的峰。

15、在一个或多个实施方式中,第一层可包括第一材料,并且第二层可包括与第一材料不同的第二材料。

16、在一个或多个实施方式中,第一材料可包含钛(ti),并且第二材料可包含铜(cu)。

17、在一个或多个实施方式中,显示设备还可包括布置在底部金属层上的缓冲层。

18、在一个或多个实施方式中,缓冲层可包括顺序地堆叠的第一缓冲层和第二缓冲层。

19、在一个或多个实施方式中,第一缓冲层和第二缓冲层可包括不同的材料。

20、在一个或多个实施方式中,第一缓冲层可包含氮化硅(sinx),并且第二缓冲层可包含氧化硅(siox)。

21、在一个或多个实施方式中,在通过x射线衍射分析的第一层的x射线衍射光谱中,(002)面上的峰可大于(103)面上的峰。

22、在一个或多个实施方式中,在通过x射线衍射分析的第二层的x射线衍射光谱中,(200)面上的峰(p1)与(111)面上的峰(p2)的比例(p1/p2)可为0.3或更大。

23、通过实施方式的下面的描述、附图和权利要求,这些和/或其它方面将变得明确并且更容易理解。



技术特征:

1.一种制造显示设备的方法,所述方法包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一层包括第一材料,并且所述第二层包括与所述第一材料不同的第二材料。

3.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一材料包含钛,并且所述第二材料包含铜。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的方法,还包括:在形成所述底部金属层之后,在所述底部金属层上形成缓冲层。

5.如权利要求4所述的方法,其中,所述缓冲层包括顺序地堆叠的第一缓冲层和第二缓冲层。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包括不同的材料。

7.如权利要求6所述的方法,其中,所述第一缓冲层包含氮化硅,并且所述第二缓冲层包含氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法,其中,在通过x射线衍射分析的所述第一层的x射线衍射光谱中,(002)面上的峰大于(103)面上的峰。

9.如权利要求1所述的方法,其中,在通过x射线衍射分析的所述第二层的x射线衍射光谱中,(111)面上的峰大于(220)面上的峰。

10.如权利要求1所述的方法,其中,在通过x射线衍射分析的所述第二层的x射线衍射光谱中,(200)面上的峰与(111)面上的峰的比例为0.3或更大。

11.如权利要求4所述的方法,还包括,在形成所述缓冲层之后:

12.一种显示设备,包括:

13.如权利要求12所述的显示设备,其中,所述第一层包括第一材料,并且所述第二层包括与所述第一材料不同的第二材料。

14.如权利要求13所述的显示设备,其中,所述第一材料包含钛,并且所述第二材料包含铜。

15.如权利要求12至14中的任一项所述的显示设备,还包括:

16.如权利要求15所述的显示设备,其中,所述缓冲层包括顺序地堆叠的第一缓冲层和第二缓冲层。

17.如权利要求16所述的显示设备,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包括不同的材料。

18.如权利要求17所述的显示设备,其中,所述第一缓冲层包含氮化硅,并且所述第二缓冲层包含氧化硅。

19.如权利要求12所述的显示设备,其中,在通过x射线衍射分析的所述第一层的x射线衍射光谱中,(002)面上的峰大于(103)面上的峰。

20.如权利要求12所述的显示设备,其中,在通过x射线衍射分析的所述第二层的x射线衍射光谱中,(200)面上的峰与(111)面上的峰的比例为0.3或更大。


技术总结
提供了显示设备和制造显示设备的方法,该方法包括:用含氟(F)的蚀刻剂或氢氟酸(HF)的化学溶液来清洁衬底的表面;以及在衬底的表面上形成底部金属层,底部金属层包括第一层以及在第一层上的第二层,其中清洁之后的衬底的表面粗糙度大于清洁之前的衬底的表面粗糙度。

技术研发人员:许义康
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/22
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