射频前端模组的制作方法

本技术涉及射频，尤其涉及一种射频前端模组。

背景技术：

1、在无线通信系统中，功率放大器的作用越来越重要，其被普遍地应用在无线远程通信、定位导航、卫星通信等系统中。功率放大器的性能好坏会严重地影响无线通信系统的质量。

2、在相关技术中，功率放大器可以集成设置在功率放大芯片或者基板上，当功率放大器集成设置在芯片上，由于功率放大芯片中的电路设计以及电子元器件的布局不合理，且功率放大芯片的面积有限，导致射频前端模组中功率放大器的性能不佳，从而影响了射频前端模组的整体性能。

技术实现思路

1、本技术提出了一种射频前端模组，包括：基板，以及设置在所述基板上的功率放大芯片以及电感，所述功率放大芯片包括功率放大电路、电容；所述功率放大电路的信号输入端用于接收射频输入信号，所述功率放大电路的信号输出端连接至所述基板上的信号传输端，所述功率放大电路的接地端连接至所述功率放大芯片上的第一接地端；所述电容的第一端连接至所述功率放大芯片上的第二接地端，所述电容的第二端与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端连接至所述基板上的信号传输端；其中，所述第一接地端与所述第二接地端为两个不同的接地端。

2、可选地，所述功率放大电路包括第一功率放大晶体管以及第二功率放大晶体管，所述电容包括第一电容以及第二电容，所述电感包括第一电感以及第二电感，所述信号传输端包括第一信号传输端以及第二信号传输端，所述第一接地端包括第三接地端以及第四接地端，所述第二接地端包括第五接地端以及第六接地端；所述第一功率放大晶体管的第一端用于接收第一射频输入信号，所述第一功率放大晶体管的第二端连接至所述第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端连接至所述第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第一端用于接收第二射频输入信号，所述第二功率放大晶体管的第二端连接至所述第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端连接至所述第四接地端；所述第一电容的第一端连接至所述第五接地端，所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端连接至所述第一信号传输端；所述第二电容的第一端连接至所述第六接地端，所述第二电容的第二端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端连接至所述第二信号传输端。

3、可选地，所述功率放大芯片通过引线键合工艺设置在所述基板上，所述第一电感包括第一引线，所述第二电感包括第二引线；所述第一功率放大晶体管的第二端通过第三引线键合连接至所述第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端通过第一金属通孔连接至所述第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第二端通过第四引线键合连接至所述第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端通过第二金属通孔连接至所述第四接地端；所述第一电容的第一端通过第三金属通孔连接至所述第五接地端，所述第一电容的第二端通过第一焊盘与所述第一引线的第一端连接，所述第一引线的第二端连接至所述第一信号传输端；所述第二电容的第一端通过第四金属通孔连接至所述第六接地端，所述第二电容的第二端通过第二焊盘与所述第二引线的第一端连接，所述第二引线的第二端连接至所述第二信号传输端。

4、可选地，所述功率放大芯片通过倒扣工艺设置在所述基板上，所述第一电感包括第一走线，所述第二电感包括第二走线；所述第一功率放大晶体管的第二端通过第一铜柱连接至所述第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端通过第二铜柱连接至所述第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第二端通过第三铜柱连接至所述第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端通过第四铜柱连接至所述第四接地端；所述第一电容的第一端通过第五铜柱连接至所述第五接地端，所述第一电容的第二端通过第六铜柱与所述第一走线的第一端连接，所述第一走线的第二端连接至所述第一信号传输端；所述第二电容的第一端通过第七铜柱连接至所述第六接地端，所述第二电容的第二端通过第八铜柱与所述第二走线的第一端连接，所述第二走线的第二端连接至所述第二信号传输端。

5、可选地，所述第一铜柱以及所述第五铜柱设置于所述第一电容的第一侧，所述第六铜柱设置于所述第一电容的第二侧，且所述第一铜柱远离所述第一电容设置；所述第三铜柱以及所述第七铜柱设置于所述第二电容的第一侧，所述第八铜柱设置于所述第二电容的第二侧，且所述第三铜柱远离所述第二电容设置。

6、可选地，所述第一功率放大晶体管与所述第二功率放大晶体管处于同一金属层，所述第二铜柱与所述第四铜柱处于同一金属层；所述第一功率放大晶体管与所述第二铜柱处于不同的金属层，所述第一功率放大晶体管与所述第二铜柱在垂直方向上的投影至少部分重叠；所述第二功率放大晶体管与所述第四铜柱处于不同的金属层，所述第二功率放大晶体管与所述第四铜柱在垂直方向上的投影至少部分重叠。

7、可选地，所述第二铜柱包括第一长条形铜柱，所述第四铜柱包括第二长条形铜柱；所述第一长条形铜柱的第一端与所述第一功率放大晶体管的第三端连接，所述第一长条形铜柱的第二端连接至所述第三接地端；所述第二长条形铜柱的第一端与所述第二功率放大晶体管的第三端连接，所述第二长条形铜柱的第二端连接至所述第四接地端。

8、可选地，所述射频前端模组还包括设置在所述功率放大芯片上的谐波抑制电路，所述谐波抑制电路被配置为对所述功率放大电路的谐波信号进行滤除。

9、可选地，所述谐波抑制电路包括第三电容、第三电感以及第四电感；所述第三电容的第一端与所述第三电感的第一端连接，所述第三电容的第二端与所述第四电感的第一端连接；所述第三电感的第二端连接至所述第一功率放大晶体管的第二端，所述第四电感的第二端连接至所述第二功率放大晶体管的第二端。

10、可选地，所述第三电感包括第五引线，所述第四电感包括第六引线，所述第五引线以及所述第六引线环绕设置于所述第三电容。

11、可选地，所述第一铜柱设置于所述第三电容的第一侧，所述第三铜柱设置于所述第三电容的第二侧，所述第一铜柱与所述第三铜柱的相对距离的范围为150um-300um。

12、可选地，所述射频前端模组还包括设置在所述基板上的巴伦电路，所述巴伦电路包括初级线圈以及次级线圈；所述初级线圈的第一端连接至所述第一信号传输端，所述初级线圈的第二端连接至所述第二信号传输端；所述次级线圈的第一端用于输出射频输出信号，所述次级线圈的第二端接地。

13、可选地，射频前端模组还包括设置在所述功率放大芯片上的第四电容以及第五电容；所述第四电容的第一端用于接收所述第一射频输入信号，所述第四电容的第二端与所述第一功率放大晶体管的第一端连接；所述第五电容的第一端用于接收所述第二射频输入信号，所述第五电容的第二端与所述第二功率放大晶体管的第一端连接。

14、本技术实施例提供的射频前端模组包括：基板，以及设置在基板上的功率放大芯片以及电感，功率放大芯片包括功率放大电路、电容；功率放大电路的信号输入端用于接收射频输入信号，功率放大电路的信号输出端连接至基板上的信号传输端，功率放大电路的接地端连接至功率放大芯片上的第一接地端；电容的第一端连接至功率放大芯片上的第二接地端，电容的第二端与电感的第一端连接，电感的第二端连接至基板上的信号传输端；其中，第一接地端与第二接地端为两个不同的接地端。基于此，通过将电容设置于功率放大芯片上，并且通过设置连接至功率放大电路的第一接地端和与电容连接的第二接地端为功率放大芯片上的两个不同的接地端，避免了用于滤除谐波信号的电容与用于传输射频输入信号的功率放大电路之间因共地发生信号泄露，在保证了功率放大芯片的信号传输效率的同时，使得功率放大芯片具有较好的谐波抑制性能，从而兼顾了功率放大芯片的空间利用率以及使用性能，提升了射频前端模组的整体性能。