一种短纤维增强压电复合材料结构的制作方法

本技术涉及压电复合材料，具体为一种短纤维增强压电复合材料结构。

背景技术：

1、由热塑性聚合物与无机压电材料所组成的压电材料，称为压电复合材料，又称复合型高分子压电材料，其特征是兼有无机压电材料优良压电性和高分子压电材料的优良加工性能，而且不需要进行拉伸等处理，即可获得压电性。而这种压电性在薄膜内无各向异性，故在任何方向上都显示出相同的压电性。是一类基于电能与机械能之间相互耦合作用的功能复合材料,目前压电材料的抗压性强度不高，在受到外力按压的状态下容易产生难以修复的形变，且缺少较为有效的抗形变结构，且容易弯折断裂。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种短纤维增强压电复合材料结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：包括复合压电材料结构，还包括：

3、防护结构，所述防护结构粘合于复合压电材料结构的上下两侧；

4、抗弯折结构，所述抗弯折结构粘合于复合压电材料结构的两侧。

5、作为本实用新型优选的方案，所述复合压电材料结构包括：

6、pzt方块矩阵，所述pzt方块矩阵为多个pzt方块拼接而成；

7、压电纤维带，所述压电纤维带固定于pzt方块矩阵的内部；

8、混合环氧脱水的短纤维，所述混合环氧脱水的短纤维包裹于压电纤维带的外部，通过设置的pzt方块矩阵内部加入混合环氧脱水的短纤维，能够实现增强压电复合材料的的韧性

9、作为本实用新型优选的方案，所述复合压电材料结构还包括：

10、sic复合填充材料，所述sic复合填充材料包裹于混合环氧脱水的短纤维的外部，通过设置的sic复合填充材料能够实现对混合环氧脱水的短纤维和压电纤维带的加固。

11、作为本实用新型优选的方案，所述防护结构包括：

12、绝缘片，所述绝缘片固定于pzt方块矩阵的两侧；

13、槽口，所述槽口开设于绝缘片的内部；

14、第一钛丝记忆合金片，所述第一钛丝记忆合金片插合于槽口的内部，所述第一钛丝记忆合金片与槽口的内部粘合，通过设置的第一钛丝记忆合金片能够避免其弯折后无法进行回弹造成的复合材料性能下降。

15、作为本实用新型优选的方案，所述防护结构还包括：

16、第二钛丝记忆合金片，所述第二钛丝记忆合金片间隔分布于pzt方块矩阵的内部。

17、作为本实用新型优选的方案，所述抗弯折结构包括：

18、绝缘框，所述绝缘框固定于pzt方块矩阵的上下两侧，上下两侧的绝缘框之间固定连接有绝缘片；

19、第一超高分子聚乙烯纤维布，所述第一超高分子聚乙烯纤维布固定于绝缘框的内部，通过设置的第一超高分子聚乙烯纤维布能够实现对pzt方块矩阵的绝缘及防护；

20、第二超高分子聚乙烯纤维布，所述第二超高分子聚乙烯纤维布固定于第一超高分子聚乙烯纤维布的底部，所述第二超高分子聚乙烯纤维布与pzt方块矩阵贴合，通过设置的第二超高分子聚乙烯纤维布和第一超高分子聚乙烯纤维布能够实现对pzt方块矩阵进行双层防护。

21、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

22、1、本实用新型中，通过设置的pzt方块矩阵内部加入混合环氧脱水的短纤维，能够实现增强压电复合材料的的韧性，通过设置的sic复合填充材料能够实现对混合环氧脱水的短纤维和压电纤维带的加固，两侧的第一钛丝记忆合金片实现对pzt方块矩阵的抗弯折效果。

23、2、本实用新型中，通过设置的第二超高分子聚乙烯纤维布和第一超高分子聚乙烯纤维布能够实现对pzt方块矩阵进行双层防护。

技术特征：

1.一种短纤维增强压电复合材料结构，包括复合压电材料结构（1），其特征在于，还包括：

2.根据权利要求1所述的一种短纤维增强压电复合材料结构，其特征在于：所述复合压电材料结构（1）包括：

3.根据权利要求2所述的一种短纤维增强压电复合材料结构，其特征在于：所述复合压电材料结构（1）还包括：

4.根据权利要求1所述的一种短纤维增强压电复合材料结构，其特征在于：所述防护结构（2）包括：

5.根据权利要求2所述的一种短纤维增强压电复合材料结构，其特征在于：所述防护结构（2）还包括：

6.根据权利要求2所述的一种短纤维增强压电复合材料结构，其特征在于：所述抗弯折结构（3）包括：

技术总结
本技术涉及压电复合材料技术领域，尤其为一种短纤维增强压电复合材料结构，包括复合压电材料结构，还包括：防护结构，所述防护结构粘合于复合压电材料结构的上下两侧；抗弯折结构，所述抗弯折结构粘合于复合压电材料结构的两侧，本技术中，通过设置的PZT方块矩阵内部加入混合环氧脱水的短纤维，能够实现增强压电复合材料的的韧性，通过设置的Sic复合填充材料能够实现对混合环氧脱水的短纤维和压电纤维带的加固，两侧的第一钛丝记忆合金片实现对PZT方块矩阵的抗弯折效果。

技术研发人员：朱岳群,郑万里,朱岳云
受保护的技术使用者：上海博瓷电子科技有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/1/15