一种陶瓷基均热板结构的制作方法

本技术涉及陶瓷基均热板领域，具体而言，涉及一种陶瓷基均热板结构。

背景技术：

1、随着电子技术的不断发展，诸如手机，平板电脑的电子产品向着超薄化，集成化，高功率化的方向发展。这使得电子元件在工作时，芯片等发热件的热流密度不断提高，对电子产品的热管理带来了巨大挑战。基于此，均热板，平板热管等两相散热器件凭借其优异的传热能力和理想的厚度，被广泛应用于电子产品的热管理中。

2、市场上常见的均热板通常以铜，不锈钢，铝等金属材料或合金制成。其与芯片的热膨胀系数差异过大，化学稳定性较差，难以满足第三代半导体的封装要求。所以，以氧化铝和氮化铝为首的陶瓷材料，近年来被广泛应用于半导体器件的封装中。但与金属或合金材料不同，陶瓷材料本身的热导率较低，难以满足日益增长的热管理需求。同时，陶瓷材料的现有封装技术，难以满足均热板长时间可靠性的需求。因此，如何发明一种陶瓷基均热板结构来改善这些问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

1、为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种陶瓷基均热板结构，旨在改善现有的陶瓷材料的封装技术，难以满足均热板长时间可靠使用的问题。

2、本实用新型是这样实现的：

3、本实用新型提供一种陶瓷基均热板结构，包括陶瓷基均热板，所述陶瓷基均热板由两个单侧盖板以及铜编织带经高温烧结制成，所述单侧盖板由一个铜焊接边框、两个覆铜陶瓷片以及一个陶瓷片经高温烧结制成，两个所述覆铜陶瓷片的一侧侧壁上均镀有铜材料，所述覆铜陶瓷片镀有铜材料一侧的表面与所述铜焊接边框的表面相接触，所述陶瓷片设置在两个所述覆铜陶瓷片的之间，且所述覆铜陶瓷片未镀有铜材料的一侧表面与陶瓷片相接触。

4、优选的，所述覆铜陶瓷片的长度为80mm，宽度为20mm，所述陶瓷片的面积与覆铜陶瓷片的面积等大，所述覆铜陶瓷片与陶瓷片的厚度分别为0.125mm和0.2mm。

5、优选的，所述铜焊接边框上设置有预留槽，所述陶瓷基均热板上位于两个所述铜焊接边框之间的部位开设有注液通道，所述注液通道由两个预留槽组合经冲压而成。

6、通过采用上述技术方案，方便了后续对注液通道进行冲压。

7、优选的，所述陶瓷基均热板的内腔位于两个所述铜焊接边框之间设置有工作腔。

8、通过采用上述技术方案，方便铜编织带热压后紧贴在工作腔内。

9、优选的，所述铜编织带平铺在两个所述铜焊接边框之间。

10、优选的，与所述铜焊接边框一侧相连接的覆铜陶瓷片侧壁上开设有网状沟槽。

11、通过采用上述技术方案，提高工作液的回流速度，辅助铜编织带进行回液，以增加均热板的毛细性能。

12、本实用新型的有益效果是：

13、通过采用覆铜技术，在陶瓷片表面热压一层铜箔，以形成覆铜陶瓷片-陶瓷片-覆铜陶瓷片结构的单侧盖板，既可以既能满足半导体器件的封装要求，又便于陶瓷基均热板的制造封装，相比于传统的在陶瓷与陶瓷材料间的焊接，转变为金属与金属材料间的焊接，大大提高了两结构间的连接性能，同时在覆铜陶瓷片的铜材料一侧由激光加工出网状沟槽，提高了工作液的回流速度，辅助铜编织带进行回液，有助于优化均热板的毛细性能。

技术特征：

1.一种陶瓷基均热板结构，包括陶瓷基均热板，所述陶瓷基均热板由两个单侧盖板以及铜编织带(31)经高温烧结制成，其特征在于，所述单侧盖板由一个铜焊接边框(11)、两个覆铜陶瓷片(12)以及一个陶瓷片(13)经高温烧结制成，两个所述覆铜陶瓷片(12)的一侧侧壁上均镀有铜材料，所述覆铜陶瓷片(12)镀有铜材料一侧的表面与所述铜焊接边框(11)的表面相接触，所述陶瓷片(13)设置在两个所述覆铜陶瓷片(12)的之间，且所述覆铜陶瓷片(12)未镀有铜材料的一侧表面与陶瓷片(13)相接触。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基均热板结构，其特征在于，所述覆铜陶瓷片(12)的长度为80mm，宽度为20mm，所述陶瓷片(13)的面积与覆铜陶瓷片(12)的面积等大，所述覆铜陶瓷片(12)与陶瓷片(13)的厚度分别为0.125mm和0.2mm。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基均热板结构，其特征在于，所述铜焊接边框(11)上设置有预留槽(21)，所述陶瓷基均热板上位于两个所述铜焊接边框(11)之间的部位开设有注液通道(42)，所述注液通道(42)由两个预留槽(21)组合经冲压而成。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基均热板结构，其特征在于，所述陶瓷基均热板的内腔位于两个所述铜焊接边框(11)之间设置有工作腔(41)。

5.根据权利要求1所述的一种陶瓷基均热板结构，其特征在于，所述铜编织带(31)平铺在两个所述铜焊接边框(11)之间。

6.根据权利要求1所述的一种陶瓷基均热板结构，其特征在于，与所述铜焊接边框(11)一侧相连接的覆铜陶瓷片(12)侧壁上开设有网状沟槽(121)。

技术总结
本技术提供了一种陶瓷基均热板结构，属于陶瓷基均热板技术领域，包括陶瓷基均热板，所述陶瓷基均热板由两个单侧盖板以及铜编织带经高温烧结制成，所述单侧盖板由一个铜焊接边框、两个覆铜陶瓷片以及一个陶瓷片经高温烧结制成，两个所述覆铜陶瓷片的一侧侧壁上均镀有铜材料，所述覆铜陶瓷片镀有铜材料一侧的表面与所述铜焊接边框的表面相接触，所述陶瓷片设置在两个所述覆铜陶瓷片的之间，且所述覆铜陶瓷片未镀有铜材料的一侧表面与陶瓷片相接触。该技术通过采用覆铜技术，在陶瓷片表面热压一层铜箔，以形成覆铜陶瓷片‑陶瓷片‑覆铜陶瓷片结构的盖板，既可以既能满足半导体器件的封装要求，又便于陶瓷基均热板的制造封装。

技术研发人员：尹树彬,汤勇,汪俊翔,黄梓滨,余小媚
受保护的技术使用者：广东畅能达科技发展有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/1/15