一种声表面波滤波器的制作方法

本申请涉及微电子，具体涉及一种声表面波滤波器。

背景技术：

1、目前，滤波器主要分为模拟滤波器与数字滤波器两种，按具体功能分类则包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器四种。其中，带通滤波器的设计研究是人们关注的重点之一，无论是超宽带滤波器还是窄带滤波器的设计，都存在着比较大的技术难点。

2、saw(声表面波滤波器)凭借着体积小、带宽大等诸多优点以及良好的声波操纵性能，在带通滤波器的研究中越来越受到人们的关注。随着声表面波技术的快速发展，声表面波滤波器在通信技术领域得到广泛应用，特别是用于移动通信中的基站和移动终端射频、中频部分。

3、然而，现有的声表面波滤波器中，串联谐振器采用单个独立的谐振器，指对数较少，导致现有声表面波滤波器q值较低、损耗较大；并联谐振器采用单丝接地，寄生电感较大，而对地引线寄生电感对带外抑制的影响较大，因此现有声表面波滤波器带外抑制较低。相对带宽为2％左右的设计方案，插损一般要到3db以上，带外抑制一般能达到35db。可靠性方面，芯片焊盘与外壳焊盘之间的键合丝较短，容易出现键合强度不足的现象。

技术实现思路

1、为此，本申请提供一种声表面波滤波器，以解决现有声表面波滤波器损耗较大，带外抑制较低的技术问题。

2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

3、第一方面，一种声表面波滤波器，包括：

4、外壳；

5、压电晶片，设置在所述外壳内；

6、第一t型电路结构，设置在所述压电晶片上，所述第一t型电路结构包括第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器；所述第一谐振器的一端与输入端子电性连接，另一端与第二谐振器的一端电性连接；所述第三谐振器的一端电性连接于第一谐振器和第二谐振器之间，另一端与接地端子电性连接；所述第三谐振器与所述外壳的焊盘之间键合双丝；

7、第二t型电路结构，设置在所述压电晶片上，所述第二t型电路结构包括第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器；所述第四谐振器的一端与输出端子电性连接，另一端与第五谐振器的一端电性连接；所述第六谐振器的一端电性连接于第四谐振器和第五谐振器之间，另一端与接地端子电性连接；所述第五谐振器与第二谐振器电性连接；所述第六谐振器与所述外壳的焊盘之间键合双丝。

8、可选地，所述压电晶片的材质为钽酸锂。

9、可选地，所述第一t型电路结构与第二t型电路结构在所述压电晶片上对称设置。

10、进一步可选地，所述第一谐振器设置在所述压电晶片的上部，所述第三谐振器设置在所述第一谐振器的下方，所述第二谐振器设置在所述压电晶片的一侧；所述第四谐振器设置在所述压电晶片的下部，所述第六谐振器设置在所述第四谐振器的上方，所述第五谐振器设置在所述第二谐振器的下方。

11、可选地，所述第一谐振器和第四谐振器的型号相同，所述第二谐振器和第五谐振器的型号相同，所述第三谐振器和第六谐振器的型号相同。

12、进一步可选地，所述第一谐振器和第四谐振器的叉指换能器周期为2.5228μm，孔径为44.446μm，指对数为75，反射栅周期为2.5228μm，指条数为21x2；所述第二谐振器和第五谐振器的叉指换能器周期为2.5014μm，孔径为44.444μm，指对数为52，反射栅周期为2.5014μm，指条数为13x2；所述第三谐振器和第六谐振器的叉指换能器周期为2.6004μm，孔径为44.445μm，指对数为280，反射栅周期为2.6004μm，指条数为39x2。

13、相比现有技术，本申请至少具有以下有益效果：

14、本申请提供了一种声表面波滤波器的新的硬件架构，由外壳、设置在外壳内的压电晶片以及设置在压电晶片上的第一t型电路结构和第二t型电路结构构成；其中，第一t型电路结构包括第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器，第二t型电路结构包括第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器，第三谐振器和第六谐振器均与外壳的焊盘之间键合双丝；本申请通过在输入端子与输出端子之间串联第一谐振器、第二谐振器、第四谐振器和第五谐振器，同时并联第三谐振器和第六谐振器，构成了2t阻抗元结构；串联谐振器由四个谐振器串联组成，串联谐振器的换能器电极指对数更多，增加了滤波器的q值，进而减小了滤波器的损耗；第三谐振器和第六谐振器与外壳焊盘之间均键合双丝，增加了键合强度，同时双丝接地相当于并联两个寄生电感，使并联谐振器对地的寄生电感减小50％，能够达到提高滤波器的带外抑制和可靠性的效果。

技术特征：

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述压电晶片的材质为钽酸锂。

3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一t型电路结构与第二t型电路结构在所述压电晶片上对称设置。

4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一谐振器设置在所述压电晶片的上部，所述第三谐振器设置在所述第一谐振器的下方，所述第二谐振器设置在所述压电晶片的一侧；所述第四谐振器设置在所述压电晶片的下部，所述第六谐振器设置在所述第四谐振器的上方，所述第五谐振器设置在所述第二谐振器的下方。

5.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和第四谐振器的型号相同，所述第二谐振器和第五谐振器的型号相同，所述第三谐振器和第六谐振器的型号相同。

6.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和第四谐振器的叉指换能器周期为2.5228μm，孔径为44.446μm，指对数为75，反射栅周期为2.5228μm，指条数为21x2；所述第二谐振器和第五谐振器的叉指换能器周期为2.5014μm，孔径为44.444μm，指对数为52，反射栅周期为2.5014μm，指条数为13x2；所述第三谐振器和第六谐振器的叉指换能器周期为2.6004μm，孔径为44.445μm，指对数为280，反射栅周期为2.6004μm，指条数为39x2。

技术总结
本申请公开了一种声表面波滤波器。包括外壳；压电晶片，设置在外壳内；第一T型电路结构，设置在压电晶片上，包括第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器，第三谐振器与所述外壳的焊盘之间键合双丝；第二T型电路结构，设置在压电晶片上，包括第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器，第六谐振器与外壳的焊盘之间键合双丝。本申请通过在输入端子与输出端子之间串联第一谐振器、第二谐振器、第四谐振器和第五谐振器，同时并联第三谐振器和第六谐振器，构成了2T阻抗元结构；串联谐振器的换能器电极指对数更多，增加了滤波器的Q值，减小了滤波器的损耗；第三谐振器和第六谐振器与外壳焊盘之间均键合双丝，提高了滤波器的带外抑制和可靠性。

技术研发人员：陈小兵,卢翠
受保护的技术使用者：北京中讯四方科技股份有限公司
技术研发日：20230728
技术公布日：2024/2/19