二次上变频器的制作方法

本技术涉及无线通信，尤其涉及一种二次上变频器。

背景技术：

1、微波电子领域竞争日趋激烈，对设备的高度集成化，设备小型化要求越来越高，要求研制周期越来越短。

2、二次上变频器主要用于将0.1ghz~1.1ghz的中频输入信号经过多次变频产生0.8ghz~18ghz宽带射频输出信号，并提供衰减控制等。然而，现在的二次上变频器存在适配性差、适用面窄等问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种二次上变频器，以解决现有的二次上变频器适配性差、适用面窄的问题。

2、为了达到上述目的，本实用新型提供了一种二次上变频器，包括依次相连的：

3、一次混频器，用于将中频信号与本振信号进行混频，以产生窄带射频信号；

4、二次混频器，用于将所述窄带射频信号与宽带频率源发出的信号进行混频，以产生宽带射频信号；以及，

5、末端调控器，用于对宽带射频信号进行滤波及功率控制。

6、可选的，所述一次混频器包括依次相连的低通滤波器、第一数控衰减器、第二数控衰减器、第一温补衰减器及第一混频器，所述中频信号输入所述低通滤波器中，所述本振信号输入所述第一混频器中，所述第一混频器输出所述窄带射频信号。

7、可选的，所述中频信号的频率为0.6±0.5ghz，所述本振信号的频率为24ghz，所述窄带射频信号为23.4±0.5ghz。

8、可选的，所述二次混频器包括依次相连的第一固定衰减器、带通滤波器、第三数控衰减器、第二固定衰减器及第二混频器，所述窄带射频信号输入所述第一固定衰减器中，所述宽带频率源发出的信号输入所述第二混频器中，所述第二混频器输出所述宽带射频信号。

9、可选的，所述宽带频率源发出的信号的频率为24.4~41.4ghz，所述宽带射频信号的频率为0.8ghz~18ghz。

10、可选的，所述末端调控器包括依次相连的第二温补衰减器、高通滤波器、衰减器、第四数控衰减器、第五数控衰减器及放大器。

11、在本实用新型提供的二次上变频器中，一次混频器用于将中频信号与本振信号进行混频，以产生窄带射频信号；二次混频器用于将所述窄带射频信号与宽带频率源发出的信号进行混频，以产生宽带射频信号；末端调控器用于对宽带射频信号进行滤波及功率控制。本实用新型提供的二次上变频器可以满足大多变频通道的应用场景，与传统的二次上变频器相比，适配性更强，具有使用灵活、使用性广、体积小等优点，同时可以批量备货，根据不同应用场景进行项目配置。

技术特征：

1.一种二次上变频器，其特征在于，包括依次相连的：

2.如权利要求1所述的二次上变频器，其特征在于，所述一次混频器包括依次相连的低通滤波器、第一数控衰减器、第二数控衰减器、第一温补衰减器及第一混频器，所述中频信号输入所述低通滤波器中，所述本振信号输入所述第一混频器中，所述第一混频器输出所述窄带射频信号。

3.如权利要求2所述的二次上变频器，其特征在于，所述中频信号的频率为0.6±0.5ghz，所述本振信号的频率为24ghz，所述窄带射频信号的频率为23.4±0.5ghz。

4.如权利要求1所述的二次上变频器，其特征在于，所述二次混频器包括依次相连的第一固定衰减器、带通滤波器、第三数控衰减器、第二固定衰减器及第二混频器，所述窄带射频信号输入所述第一固定衰减器中，所述宽带频率源发出的信号输入所述第二混频器中，所述第二混频器输出所述宽带射频信号。

5.如权利要求4所述的二次上变频器，其特征在于，所述宽带频率源发出的信号的频率为24.4~41.4ghz，所述宽带射频信号的频率为0.8ghz~18ghz。

6.如权利要求1所述的二次上变频器，其特征在于，所述末端调控器包括依次相连的第二温补衰减器、高通滤波器、衰减器、第四数控衰减器、第五数控衰减器及放大器。

技术总结
本技术提供了一种二次上变频器，一次混频器用于将中频信号与本振信号进行混频，以产生窄带射频信号；二次混频器用于将所述窄带射频信号与宽带频率源发出的信号进行混频，以产生宽带射频信号；末端调控器用于对宽带射频信号进行滤波及功率控制。本技术提供的二次上变频器可以满足大多变频通道的应用场景，与传统的二次上变频器相比，适配性更强，具有使用灵活、使用性广、体积小等优点，同时可以批量备货，根据不同应用场景进行项目配置。

技术研发人员：晋良国,杨万明,杨洪锦,邓兴江
受保护的技术使用者：成都益为创科技有限公司
技术研发日：20230913
技术公布日：2024/4/17