本发明构思涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。
背景技术：
1、随着半导体装置变得越来越高度集成，各电路图案正在变得更加精细，以在同一区域中实现更多的半导体器件。也就是说，随着半导体装置的集成度增大，针对半导体装置的构成元件的设计规则减小。
2、在高度缩放的半导体装置中，形成多条位线和与其连接的直接接触件的工艺正在变得越来越复杂和困难。
技术实现思路
1、一些示例实施例提供了一种具有改善的可靠性和生产率的半导体装置和/或用于制造该半导体装置的方法。
2、一些示例实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括由器件隔离层限定的有源区域；字线，与有源区域交叉且叠置；位线，在与字线不同的方向上与有源区域交叉；直接接触件，将有源区域和位线连接，并且包括金属材料；掩埋接触件，连接到有源区域；以及位线间隔件，位于位线与掩埋接触件之间。直接接触件的宽度可以与位线的宽度不同，并且位线间隔件可以位于直接接触件的上表面上。
3、一些示例实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括由器件隔离层限定的有源区域；字线，与有源区域交叉且叠置；位线，在与字线不同的方向上与有源区域交叉；直接接触件，将有源区域和位线连接，并且包括金属材料；硅化物层，位于有源区域与直接接触件之间；掩埋接触件，连接到有源区域；第一位线间隔件，位于直接接触件的上表面上；第二位线间隔件，位于第一位线间隔件与掩埋接触件之间；以及接合垫，通过掩埋接触件连接到有源区域，其中，直接接触件的宽度比位线的宽度大。
4、一些示例实施例提供了一种半导体装置的制造方法，其中，所述方法可以包括以下步骤：在基底中形成器件隔离层，以限定有源区域；在基底上形成绝缘层，然后将绝缘层图案化，以形成直接接触沟槽，从而暴露有源区域的上表面；在有源区域的暴露的上表面上在直接接触沟槽中形成沟槽间隔件；在直接接触沟槽中形成包括金属材料的第一材料层；在绝缘层和第一材料层上顺序地堆叠第二材料层、第三材料层和第四材料层；基于对第二材料层、第三材料层和第四材料层中的至少一些进行图案化来形成位线；形成第一位线间隔件，以覆盖位线的侧表面；使用第一位线间隔件作为蚀刻掩模对沟槽间隔件和第一材料层进行图案化，形成连接到有源区域和位线的直接接触件；形成覆盖第一位线间隔件和直接接触件的第二位线间隔件；形成连接到有源区域的掩埋接触件；以及形成通过掩埋接触件连接到有源区域的接合垫。
5、根据一些示例实施例，由于包括低介电材料的位线间隔件设置在位线的侧表面上，因此可以提供具有改善的电特性的半导体装置。
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
18.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其中，
20.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其中，