本技术涉及光伏电池，尤其涉及一种彩色双面晶体硅太阳电池。
背景技术：
1、光伏行业中，晶体硅太阳电池占据绝对主流的市场地位，晶体硅太阳电池的类型包括p型双面perc电池、n型双面topcon电池、n型双面hjt电池，以及少部分全背接触bc电池。
2、常规的太阳能电池制备的工艺中，镀减反射膜工艺是在电池表面镀一层或多层光学性质匹配的减反射膜，减反射膜的制作直接影响着太阳能电池对入射光的反射率对太阳能电池的效率的提高起着非常重要的作用。
3、目前主流的双面晶体硅太阳电池的背面颜色以蓝色系列为主，现有双面晶体硅太阳电池的背面减反射膜厚度在75-90nm之间，折射率在2.1左右，受这个膜厚和折射率的限制，该减反射膜基本呈现蓝色、淡蓝色或者深蓝色，由这些双面晶体硅太阳电池封装而成的建筑一体化双玻光伏组件，其背面基本呈暗蓝色，在建筑一体化应用时，双玻光伏组件的正面朝外接收阳光照射，背面朝内面向建筑物的办公场所或者居住场所，光伏组件的背面颜色单一，不能够满足居家或者办公的多样化环境色彩需求，同时目前大规模生产中一般只镀一层减反射膜，具有较低的减反射效果和较差的钝化，影响光电转换效率。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种彩色双面晶体硅太阳电池，以解决现有技术中的上述不足之处。
2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种彩色双面晶体硅太阳电池，包括硅基衬底，所述硅基衬底背面铺设有若干相互交错的的主栅线与副栅线，且主栅线与副栅线之间电性连接，所述硅基衬底背面由内向外设有一对上下对称的内减反射膜层以及一对上下对称的外减反射膜层，且所述外减反射膜层的折射率以及厚度均小于内减反射膜层，所述外减反射膜层中包括处在同一平面上的第一减反射膜与第二减反射膜，相邻的第一减反射膜与第二减反射膜的膜厚折射率乘积差异大于30％。
3、优选的，所述主栅线的数量为10～20根。
4、优选的，所述主栅线和副栅线均由银制成。
5、优选的，所述第一减反射膜和第二减反射膜由氮化硅、氧化硅、氟化镁、氧化铝、氮氧化硅其中一种制成。
6、优选的，所述副栅线间距在1～1.5mm之间。
7、优选的，所述所述硅基衬底为单晶衬底、多晶衬底、准单晶衬底中的一种。
8、本实用新型提供了一种彩色双面晶体硅太阳电池。具备以下有益效果：
9、该一种彩色双面晶体硅太阳电池，通过将外反射膜层分成上下两部分，并且让这两半呈镜像对称，每个半片部分又具有膜厚折射率乘积差异在30％以上的第一减反射膜和第二减反射膜，而膜厚折射率乘积差异即光程差的差异，该差异在30％以上，使得两种减反射膜呈现不同颜色，这种背面色彩可选择的双面晶体硅太阳电池，丰富了光伏建筑一体化对环境色彩的应用，同时外反射膜层和硅基衬底之间又加装内反射膜层，并且外反射膜层的折射率以及厚度均小于内反射膜层，这种不同膜厚的减反射膜层组合的减反射作用高于常规工艺制备的氮化硅薄膜，增强了镀膜的钝化效果，从而提高太阳能电池的转换。
1.一种彩色双面晶体硅太阳电池，包括硅基衬底(1)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种彩色双面晶体硅太阳电池，其特征在于，所述主栅线(2)的数量为10～20根。
3.根据权利要求1所述的一种彩色双面晶体硅太阳电池，其特征在于，所述主栅线(2)和副栅线(3)均由银制成。
4.根据权利要求1所述的一种彩色双面晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一减反射膜(501)和第二减反射膜(502)由氮化硅、氧化硅、氟化镁、氧化铝、氮氧化硅其中一种制成。
5.根据权利要求1所述的一种彩色双面晶体硅太阳电池，其特征在于，所述副栅线(3)间距在1～1.5mm之间。
6.根据权利要求1所述的一种彩色双面晶体硅太阳电池，其特征在于，所述硅基衬底(1)为单晶衬底、多晶衬底、准单晶衬底中的一种。