一种模拟开关电路的制作方法

文档序号:8700149阅读:483来源:国知局
一种模拟开关电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电路技术领域,特别涉及一种用于辐射探测仪器的模拟开关电路。
【背景技术】
[0002]目前辐射探测仪器的开关电路通常有一个专用的按键,实现开关功能,不能实现其他的功能,占用体积大。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就是为了克服上述【背景技术】的缺陷,提供一种用于辐射探测仪器的模拟开关电路。
[0004]本实用新型所涉及的一种模拟开关电路,包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2,在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间,然后与R3并联,R4的一端接在Ql的栅极上,另一端接在Q3的漏极上,Q3的源级接地,Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7,Q3的栅极与单片机的1 口相连,电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端,二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接,二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。
[0005]本实用新型所涉及的模拟开关电路,电源键可以用作其它功能,省了一个按键的体积,因而体积小、成本低、使用方便。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型t吴拟开关电路图;
【具体实施方式】
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[0007]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0008]实施例
[0009]本实施例的模拟开关电路图结构如图1所示,该电路包括P沟道场效应开关管Ql、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2,在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间,然后与R3并联,R4的一端接在Ql的栅极上,另一端接在Q3的漏极上,Q3的源级接地,Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7,Q3的栅极与单片机的1 口相连,电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端,二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接,二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。
[0010]本实施例电路工作过程为:当处于关机状态下按下开机键时,KEY_OK为低电平,Ql为P沟道的场效应管(I脚为栅极,2脚为源级,3脚为漏极),Ql的栅源极电压为负,Ql处于导通状态,电池为单片机供电。Q3为N沟道场效应管(I脚为栅极,2脚为源级,3脚为漏极),此时ON/OFF为低电平,Q3截止。单片机供电初始化后进入计时程序,设定的开机时间到后ON/OFF脚置高,Q3导通。此后按键断开后Ql仍处于导通状态,开机成功。若设定时间到之前按键松开则单片机断电,开机失败。同时开机成功后,开机键的按下与否不会影响Ql栅源级电压所以不会影响电路的正常运行,因此开机键还可以作为其他功能复用。
【主权项】
1.一种模拟开关电路,包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2,在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间,然后与R3并联,R4的一端接在Ql的栅极上,另一端接在Q3的漏极上,Q3的源级接地,Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7,Q3的栅极与单片机的1 口相连,电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端,二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接,二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。
【专利摘要】一种模拟开关电路,包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Q1的源级和栅极并联了一个电阻R2,在Q1的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Q1的栅极和地之间,然后与R3并联,R4的一端接在Q1的栅极上,另一端接在Q3的漏极上,Q3的源级接地,Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7,Q3的栅极与单片机的IO口相连,电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端,二极管D3的正极与电阻R5和单片机的IO口联接,二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。本实用新型体积小、成本低、使用方便。
【IPC分类】H03K17-687
【公开号】CN204408302
【申请号】CN201420850020
【发明人】艾斯
【申请人】重庆建安仪器有限责任公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年12月29日
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