采用聚酰亚胺蚀刻液形成的fpcb焊盘的制作方法

文档序号:8850767阅读:218来源:国知局
采用聚酰亚胺蚀刻液形成的fpcb焊盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及柔性线路板领域,尤其是一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘。
【背景技术】
[0002]历来,具有金属配线和树脂层的配线板以挠性配线板的方式,被广泛地用于电子机械领域。
[0003]传统的结构为:在金属配线的表面上贴覆着底层薄膜。金属配线115底层薄膜面相反侧的面上,将含有是聚酰亚胺前驱体的聚酰胺酸的涂布液涂敷、干燥、形成以聚酰胺酸为主成分的新驱体层。然后,将整体加热,使前驱体层含有的聚酰胺酸酰亚胺化形成的聚酰亚胺所构成的树脂层。然后,在该状态的触脂层的表面上涂敷保护层用涂布液,并使之曝光、显影,形成制作布线图案为所定形状的耐喊性的保护层。
[0004]但是,聚酰亚胺基材蚀刻需要在基材的深度上有足够大的蚀刻度,这是相对于基材的表面而言的。如果不能满足该要求,由于在柱形引线下的PI的侧蚀使得制作的易脆的柱形引线得不到合适的支撑,如严重侧蚀的柱形引线能相互接触而引起两表面的短路。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘。
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口 ;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。
[0007]进一步的说,本实用新型所述的半导体的柱形引线与开口的侧壁垂直。
[0008]本实用新型的有益效果是,解决了【背景技术】中存在的缺陷,采用光敏性聚酰亚胺,使得聚酰亚胺化学蚀刻达到最理想的效果;并且开口的蚀刻度很高,这样当它们与半导体连接或弯曲与另外一个导体层相连时,周边的支撑壁就可以与柱形引线垂直来对引线提供足够的支持。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0010]图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图;
[0011]图中:1、基层薄膜层;2、金属配线;3、树脂层;4、开口。
【具体实施方式】
[0012]现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0013]如图1所示的一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口 ;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。
[0014]进一步的说,本实用新型所述的半导体的柱形引线与开口的侧壁垂直。
[0015]本实用新型利用化学蚀刻液将聚酰亚胺的树脂层高精度且迅速的蚀刻掉,制作出合适的电路图形。首先制作普通单面板,再通过图形转移制作窗口,通过蚀刻液的配比,然后蚀刻掉不含有导体部分的聚酰亚胺膜树脂层,形成无支撑的接线端导体。蚀刻液的优化配比,蚀刻液中醇在3重量%以上65重量%以内,碱性化合物在10重量%以上55重量%以内的范围,水为上述碱性化合物的0.75倍以上3.0倍以内的范围,醇是以碳数3以上6以下的二醇或者碳数4以上6以下的三醇任何一者或者两者作为主成分、碱性化合物以碱金属氢氧化物、或4级铵氢氧化物的任何一者或者两者作为主要成分。
[0016]以上说明书中描述的只是本实用新型的【具体实施方式】,各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制,所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的【具体实施方式】做修改或变形,而不背离实用新型的实质和范围。
【主权项】
1.一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,其特征在于:包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口 ;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。
2.如权利要求1所述的采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,其特征在于:所述的半导体的柱形引线与开口的侧壁垂直。
【专利摘要】本实用新型涉及一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。本实用新型采用光敏性聚酰亚胺,使得聚酰亚胺化学蚀刻达到最理想的效果;并且开口的蚀刻度很高,这样当它们与半导体连接或弯曲与另外一个导体层相连时,周边的支撑壁就可以与柱形引线垂直来对引线提供足够的支持。
【IPC分类】H05K1-11
【公开号】CN204560018
【申请号】CN201520251738
【发明人】张南国
【申请人】常州市协和电路板有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月23日
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