一种电流随温度自适应调节的led驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及照明领域，特别涉及一种电流随温度自适应调节的LED驱动电 路。
【背景技术】
[0002] 当今大功率LED在灯光装饰和照明等领域中已得到了广泛应用，由于其功率较 大，LED驱动输出以及LED本身均工作在大电流之下，因而产生的热功耗都比较大，这很容 易致使LED驱动电路系统温度过高，从而导致LED驱动芯片损坏，影响LED照明系统的使用 寿命。针对这一问题，现有解决方案是采用过温关断保护，在系统发生过温时，不经调控直 接关断电路。这种解决方案使得电路只工作于完全导通和彻底关断两种极端状态，存在频 繁关断电路的缺陷，而对于照明应用而言，照明设施被非正常突然熄灭的情况是要求避免 的，过温关断保护方案显然不能满足这一要求。
【发明内容】
[0003] 为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种结构简单并且能够在不直接关断电 路条件下可实施过温保护的电流随温度自适应调节的LED驱动电路。
[0004] 本实用新型解决上述问题的技术方案是：一种电流随温度自适应调节的LED驱 动电路，包括基准电压单元、自适应调控单元、运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第三 晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和取样电阻，所述基准电压单元的输出端与 运算放大器的正相输入端相连，运算放大器的输出端与第一晶体管的栅极相连，所述运算 放大器的反相输入端与第一晶体管的源极相连，第一晶体管的源极经取样电阻后接地，所 述第二晶体管的漏极与第一晶体管的漏极相连，所述第二晶体管与第三晶体管共源共栅连 接，所述第三晶体管的漏极端与第四晶体管的漏极相连，第四晶体管的源极与第五晶体管 的漏极相连，第五晶体管的源极接地，所述第五晶体管与所述第六晶体管共源共栅连接，所 述自适应调控单元具有两个输出端，包括过温滞回关断信号输出端和自适应调控电流输出 端，所述过温滞回关断信号输出端与所述第四晶体管的栅极相连，自适应调控电流输出端 与所述第六晶体管漏极端相连，所述第六晶体管的漏极与负载LED相连。
[0005] 上述电流随温度自适应调节的LED驱动电路中，所述自适应调控单元包括正温度 系数电流产生电路I、正温度系数电流产生电路II、电流镜像电路I、电流镜像电路II、温 度判断比较电路I、温度判断比较电路II、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相 器、第五反相器、第六反相器、施密特触发器和第七晶体管，所述正温度系数电流产生电路I 的输出端分别与电流镜像电路I的输入端、电流镜像电路II的输入端连接，所述电流镜像 电路I的输出端、温度判断比较电路I、施密特触发器、第一反相器、第二反相器、第三反相 器依次串接，第三反相器的输出端与第四晶体管的栅极相连，所述电流镜像电路II的输出 端、温度判断比较电路II、第四反相器、第五反相器、第六反相器依次串接，所述第六反相器 的输出端与第七晶体管的栅极相连，所述正温度系数电流产生电路II的输出端与第七晶 体管的漏极相连，第七晶体管的源极与第六晶体管的漏极相连。
[0006] 上述电流随温度自适应调节的LED驱动电路中，所述第一晶体管、第四晶体管、 第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管均为NMOS型晶体管，第二晶体管和第三晶体管均为 PMOS晶体管。
[0007] 本实用新型的有益效果在于：本实用新型设有自适应调控单元，自适应调控单元 产生随系统温度自适应调控的电流以及过温滞回关断保护信号，从而实现驱动电流随系统 温度自适应调节的功能，进而达到对驱动电路热功耗的自适应管理与调控，在实现对系统 过温保护的同时，并不会造成驱动电路的频繁关断和人眼主观亮度的骤变，更加适用于LED 照明等应用领域。
【附图说明】
[0008] 图1为本实用新型电路图。
[0009] 图2为图1中自适应调控单元的结构框图。
【具体实施方式】
[0010] 下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
[0011] 如图1所示，本实用新型包括基准电压单元、自适应调控单元、运算放大器0PA、第 一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6 和取样电阻Rset，所述第一晶体管M1、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6均为 NMOS型晶体管，第二晶体管M2和第三晶体管M3均为PMOS晶体管。
[0012] 所述基准电压单元的输出端与运算放大器OPA的正相输入端相连，运算放大器 OPA的输出端与第一晶体管Ml的栅极相连，所述运算放大器OPA的反相输入端与第一晶体 管Ml的源极相连，第一晶体管Ml的源极经取样电阻Rset后接地，所述第二晶体管M2的漏 极与第一晶体管Ml的漏极相连，所述第二晶体管M2与第三晶体管M3共源共栅连接，所述 第三晶体管M3的漏极端与第四晶体管M4的漏极相连，第四晶体管M4的源极与第五晶体管 M5的漏极相连，第五晶体管M5的源极接地，所述第五晶体管M5与所述第六晶体管M6共源 共栅连接，所述自适应调控单元具有两个输出端，包括过温滞回关断信号输出端和自适应 调控电流输出端，所述过温滞回关断信号输出端与所述第四晶体管M4的栅极相连，自适应 调控电流输出端与所述第六晶体管M6漏极端相连，所述第六晶体管M6的漏极与负载LED 相连。
[0013] 基准电压单元、自适应调控单元、运算放大器OPA由外部的电压源VDD供电，LED负 载由外部的电压源VCC供电。在实际应用中，VDD可由VCC降压后得到，也可以由其他方式 提供。
[0014] 基准电压单元输出经运算放大器OPA的正相输入端与第一晶体管Ml栅极连接，同 时取样电阻Rsrt与第一晶体管Ml源极相连，构成了基于电流负反馈的控制电路，自适应调 控单元的过温滞回关断信号输出端Val与第四晶体管M4栅极相连，控制第四晶体管M4的导 通（关断），调控极端温度下电路的输出，自适应调控单元的自适应温控电流13(1与第六晶 体管M6漏极相连，直接接入到了负载LED中，第二晶体管M2和第三晶体管M3共源共栅连 接构成电流镜，第五晶体管M5与第六晶体管M6共源共栅连接构成电流镜，通过调整晶体管 的宽长比来调整驱动电流1_。
[0015] 如图2所示，所述自适应调控单元包括正温度系数电流产生电路I、正温度系数电 流产生电路II、电流镜像电路I、电流镜像电路II、温度判断比较电路I、温度判断比较电 路II、第一反相器invl、第二反相器inv2、第三反相器inv3