专利名称：图象失真校正装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于CRT(阴极射线管)显示装置的图象失真校正装置。
<垂直线中间枕形失真>
图18是表示在目前的高品位显示监视器等中所使用的CRT显示装置中，再三成为问题的垂直线的中间部分枕形失真(以下简称为「中间枕形失真」)的模式图。在该图中，在屏幕(画面)20上的周边部表示出了垂直线23，在画面中间部分(画面中心部与周边部的中间部分)表示出了中间部分的垂直线24，当画面周边部的垂直线23为大致直线状时，把中间部分的垂直线24成为失真为枕形的状态称为中间枕形失真。
这样的中间枕形失真仅通过偏转线圈的磁场分布的调整，是难于消除的。
另一方面，作为在电路上校正中间枕形失真的方法之一，广泛使用在垂直扫描线的周期中(以下简称为「垂直周期」)使S字校正量变化的改进S字校正方法。
<S字校正>
首先，对S字校正进行说明。所谓S字校正是这样的校正方法为了使水平方向的线性成为适当的，把水平偏转电流从锯齿状调制成为大致S字状。
图19是表示由锯齿状的水平偏转电流IH所产生的屏幕20上的显示状况的示意图；如该图所示的那样，当由曲线G11所示的锯齿状的波形的水平偏转电流IH流过时，如曲线G12所示的那样，由CRT等的显示器的水平断面内的电子束的轨道25所产生的变位量X发生变化。
此时，屏幕20(把画面逆时针旋转90°)的画面周边部从画面中间部距偏转中心的距离较大，因此，在偏转电流量的变化相同的情况下，电子束在画面周边部比画面中间部发生更大的偏转。因此，在画面周边部上的垂直线(在图中为横线)间隔ΔB大于中间部的纵线间隔ΔA(即ΔA＜ΔB)。
图20是表示波形进行了S字校正的锯齿状的水平偏转电流IH所产生的屏幕20上的显示状况的示意图。为了校正图19所示的水平方向的线性，可以把图19的曲线G11所示的锯齿形的水平偏转电流IH调制为图20曲线G21所示那样的大致S字状。
当把水平偏转电流IH调制为大致S字状时，如图20的曲线G22所示的那样，S字状电流与锯齿状电流相比，在画面中间部的电流量较大，因此，能够弥补画面中间部的偏转量的不足。因此，通过适当地调整大致S字状波形，能够得到在图20的屏幕20所示那样的适当的(即ΔA=ΔB)水平方向的线性画面。
图21是表示具有S字校正功能的水平偏转电路的电路构成例的电路图。如该图所示的那样，在电源E0的正极侧连接回扫变压器41，在负极连接水平输出用晶体管Q1的发射极。水平输出用晶体管Q1的集电极连接在回扫变压器41的原边，由基极接受控制脉冲。
与该水平输出用晶体管Q1并联地分别连接着二极管D20、电容器C20、水平偏转线圈LH与S字校正用电容器CS的串联连接部。而且，二极管D21连接在回扫变压器41的副边上，对由回扫变压器41所变压的信号进行整流。
在这样的构成中，为了把水平偏转电流调制成大致S字状，给水平输出用晶体管Q1的基极提供水平扫描的周期(以下简称为「水平周期」)的脉冲，使水平偏转线圈LH和与其串联连接的S字校正电容器CS以由水平偏转线圈LH和电容器C20决定的谐振频率进行共振，由此在S字校正电容器CS的两端发生图22所示那样的抛物线状的电压。在该电压较高期间即画面的水平方向中间部的扫描期间，电流量变大，因此，能够得到锯齿状电流被调制为大致S字状的水平偏转电流IH。
<由S字校正的垂直调制所产生的中间枕形失真>
为了便于以下的说明，把图19所示的成为ΔA＜ΔB的线性称为外域延伸，反之，把成为ΔA＞ΔB的线性称为内域延伸。
当从水平线性的观点来看中间枕形失真时，可以看出在画面上下端部成为内域延伸，在画面中央部成为外域延伸。可以考虑为内域延伸是S字校正过大的状态，外域延伸是S字校正不足的状态。因此，为了校正中间枕形失真，可以在画面上下端部减小S字校正量，在画面中央部加大S字校正量。即，可以通过垂直周期来适当改变S字校正量的大小。
<具有S字校正的垂直调制功能的现有图象失真校正电路的构成>
图23是表示例如日本专利申请公开公报特开平11-261839号公报所表示的现有的图象失真校正电路的构成的电路图。如该图所示的那样，水平偏转电流IH流在端子P1，端子P2之间，在端子P1，端子P2之间串联连接水平偏转线圈21、水平校正线圈L13和水平校正线圈L14。水平校正线圈L13和水平校正线圈L14绕制在同一铁心13上。而且，考虑到水平偏转线圈21的内部具有单一的线圈或者多个线圈的并联连接等各种构成，为了方便，用方框来表示。
另一方面，垂直偏转电流IV流在端子P3，端子P4之间，在端子P3、中间端子P11之间设置垂直偏转线圈22。而且，考虑到垂直偏转线圈22是单一的线圈或者多个线圈的串联连接和均衡校正用的多个电阻(在一部分中包含可变电阻)的组合电路等构成，为了方便，用方框来表示。
在中间点P11上连接二极管D7的正极和电阻R4的一端，在二极管D7的负极上连接垂直校正线圈L15的一端和二极管D8的负极，在垂直校正线圈L15的另一端上连接电阻R4的另一端和电阻R5的一端，在端子P4上连接二极管D8的正极和电阻R5的另一端。垂直校正线圈L15绕制在铁心13上。
另一方面，中间枕形失真校正饱和电抗器单元10由水平校正线圈L13、L14、垂直校正线圈L15、磁铁11、12和铁心13所构成，在铁心13的两端上，磁铁11、12被配置成磁场在一个方向(图23中的左方向)上被偏置。水平校正线圈L13,L14的绕线方向被反向设定，以便于发生相反方向的磁场，垂直校正线圈L15的绕线方向被设定在这样的方向上在与由磁铁11,12所偏置的方向相反的方向上产生磁场。
在该图象失真校正电路的中间枕形失真校正饱和电抗器单元10中，根据流过垂直校正线圈L15的垂直偏转电流IV，来控制水平偏转电流IH流过的水平校正线圈L13,L14的电感，由此，根据垂直偏转的量改变水平偏转中的S字校正量。
即，把该水平校正线圈L13,L14连接到水平偏转线圈21的一端上，用按垂直周期变化的垂直偏转电流IV来进行调制，由垂直校正线圈L15产生抵消由磁铁11,12所产生的偏置磁场的方向上的磁场，由此，使水平校正线圈L13,L14的电感变化，进行校正。此时，施加在两个水平校正线圈L13,L14上的水平偏转电流IH是在每个水平周期被提供的进行了S字校正的锯齿状波形电流，施加在垂直校正线圈L15上的垂直偏转电流IV是这样的电流通过两个二极管D7,D8和两个电阻R4,R5把在每个垂直周期被提供的锯齿状波形电流整流成为同极性。
而且，图24是表示中间枕形失真校正饱和电抗器单元10的主要部分构造的大致侧面图。如该图所示的那样，外壳39内鼓状的三个部分铁心13a～13c同轴相邻配置，在部分铁心13a上绕制水平校正线圈L13，在部分铁心13b上绕制垂直校正线圈L15，在部分铁心13c上绕制水平校正线圈L14。
在部分铁心13a～13c的两端配置一对磁铁11和磁铁12，它们的极性成为相同方向。如上述那样，水平校正线圈L13,L14的绕制方向是相反方向，垂直校正线圈L15的绕制方向为这样的方向通电时产生的磁场抵消一对磁铁11,12发生的磁场(以下称为偏置磁场)。
<现有装置的作用>
在图23和图24所示构成的现有图象失真校正电路中，垂直校正线圈L15以垂直周期发生的磁场抵消由磁铁11,12所产生的偏置磁场，因此，水平校正线圈L13,L14的电感发生变化。即，在画面上下端部，由于偏置磁场被抵消，故水平校正线圈L13,L14的合成电感变大，在画面中央部，由于偏置磁场仍残存，故水平校正线圈L13,L14的合成电感变小。
因此，由于考虑到水平期间中的S字校正电容器CS的两端电压波形是通过水平偏转线圈21、水平校正线圈L13,L14和S字校正电容器CS的串联谐振而产生的正弦波的一部分，可以通过下式(1)来表示该谐振频率ωsωs=1/{(Lh+Ls)·Cs}···(1)]]>其中，Lh是水平偏转线圈21的电感，Ls是水平校正线圈L13,L14的合成电感，Cs是S字校正电容器CS的电容量。
从式(1)可以看出当水平校正线圈的合成电感Ls较大时，谐振频率ωs变小。结果，抛物线电压波形变成平坦的，S字校正的效果较弱。反之，当水平校正线圈的合成电感Ls较小时，S字校正的效果较强。
因此，在图23和图24所示的图象失真校正电路中，在画面上下端部，由于水平校正线圈的合成电感Ls变大，故S字校正的效果较弱，成为外域延伸，在画面中央部，由于水平校正线圈的合成电感Ls变小，则S字校正的效果较强，而成为内域延伸。这样，能够校正中间枕形失真。
现有的图象失真校正电路，如图24所示的那样，为了实现中间枕形失真校正饱和电抗器单元10的铁心13，使用三个部分铁心13a～13c，因此，成本提高，制造方法变得复杂。
而且，由于包含铁心13和磁铁11,12的系统全体不是闭合磁路，而发生低强度的泄漏磁场，而且，通过二极管来整流垂直校正线圈，因此，存在由于二极管的电阻成分使垂直偏转灵敏度恶化，同时，耗电量变大等问题。
为了解决上述问题，本发明的目的是提供谋求装置的低成本化和低耗电量的构造的图象失真校正装置。
本发明所涉及的技术方案1的图象失真校正装置，包括设在水平偏转电流流过的水平偏转电流路径上的第一和第二水平校正线圈，上述第一和第二水平校正线圈串联连接，同时，设定相对于铁心的绕线方向以便于产生相反方向的磁场，还包括磁场偏置装置，在第一方向上偏置上述磁场；垂直校正线圈，设在垂直偏转电流流过的垂直偏转电流路径上，在作为与上述第一方向相反的方向的第二方向上发生磁场，沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周重叠绕制上述垂直校正线圈。
此外，技术方案2的发明，是在技术方案1记载的图象失真校正装置中，上述铁心包含第一和第二部分铁心，上述第一和第二水平校正线圈包含分别绕制在上述第一和第二部分铁心上的线圈。
此外，技术方案3的发明，是技术方案1记载的图象失真校正装置，上述铁心包含一个单位的一体型铁心，上述第一和第二水平校正线圈包含分别绕制在上述一体型铁心的第一和第二区域上的线圈。
此外，技术方案4的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，上述磁场偏置装置包含分别配置在上述铁心的两端并且极性相一致的第一和第二磁铁。
此外，技术方案5的发明，是在技术方案2记载的图象失真校正装置中，上述磁场偏置装置包含配置在上述第一和第二部分铁心之间的一个单位的磁铁。
此外，技术方案6的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，进一步包括闭合磁路部件，与上述磁场偏置装置及上述铁心中至少一方相连接，与上述磁场偏置装置及上述铁心一起形成闭合磁路。
此外，技术方案7的发明，是在技术方案6记载的图象失真校正装置中，上述闭合磁路部件包含配置成与上述磁场偏置装置或者上述铁心的任一个磁性结合的磁轭板。
此外，技术方案8的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，上述垂直校正线圈包含第一和第二垂直校正线圈，上述第一和第二垂直校正线圈在第一极性的上述垂直偏转电流流过时都在上述第二方向上产生磁场，上述第二垂直校正线圈在作为与上述第一极性相反的极性的第二极性的上述垂直偏转电流流过时在第二方向产生磁场，上述第一和第二垂直校正线圈包含同时绕制在上述第一和第二水平校正线圈的外周上的线圈。
此外，技术方案9的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，进一步包括沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周设置的绝缘性的线圈架，上述垂直校正线圈包含绕制在上述线圈架上的线圈。
此外，技术方案10的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，上述垂直校正线圈包含这样的线圈在与上述第一和第二水平校正线圈分别对应的第一和第二外周区域之间，匝数被设定为大致相同。
此外，技术方案11的发明，是在技术方案10记载的图象失真校正装置中，进一步包括沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周设置的绝缘性的线圈架，上述线圈架在相当于上述第一和第二水平校正线圈的中间部分的位置上具有凸缘部。
此外，技术方案12的发明，是在技术方案1至3中任一项所记载的图象失真校正装置中，上述第一和第二水平校正线圈以及上述垂直校正线圈中的至少一个线圈包含使用集合绞合线作为绕组的线圈。
如以上说明的那样，本发明中的技术方案1的图象失真校正装置，沿着第一和第二水平校正线圈的绕组的外周重叠绕制垂直校正线圈，因此，不需要单独的垂直校正线圈的绕线用的铁心，能够谋求装置的成本的削减。
而且，垂直校正线圈利用从第一和第二水平校正线圈的外周进行绕线的构造，可以使用线径比较粗的绕线，由此，能谋求垂直校正线圈的电阻成分的降低，因此，能够谋求垂直校正线圈所需要的耗电量的降低。
在技术方案2记载的图象失真校正装置中，由于第一和第二水平校正线圈分别绕制在第一和第二部分铁心上，故能够比较容易地减小两者的互感。
技术方案3记载的图象失真校正装置，是在一体型铁心上绕制第一和第二水平校正线圈的构造，因此，对于两个水平校正线圈，能够用一个一体形的铁心来完成，能够谋求装置的成本的削减。
在此基础上，由于在共同的一体型铁心上绕制第一和第二水平校正线圈，而不会在第一和第二水平校正线圈之间产生铁心的轴偏移。
技术方案4记载的图象失真校正装置，通过配置在铁心两端上的第一和第二磁铁，能够在第一和第二磁铁之间使磁场在第一方向上有效地起作用。
技术方案5记载的图象失真校正装置，在第一和第二部分铁心之间配置一个单位的磁铁，使磁场在第一方向上起作用，由此，与使用多个单位的磁铁的构成相比，能够谋求装置的成本的削减。
而且，由于不需要在由第一和第二部分铁心组成的铁心的两端配置磁铁，故绕制在第一和第二部分铁心上的第一和第二水平校正线圈的绕组的引出变得容易，能够谋求装置制造的高效化。
技术方案6记载的图象失真校正装置，通过闭合磁路部件与磁场偏置装置和铁心一起形成闭合磁路，因此，能够有效地抑制漏磁场。
技术方案7记载的图象失真校正装置，通过磁轭板的磁性结合，能够谋求磁场偏置装置或者垂直校正线圈的磁力的提高，因此，能够使磁场偏置装置进一步小型化，谋求装置的成本的削减，或者减少垂直校正线圈的匝数，来谋求低耗电化。
技术方案8记载的图象失真校正装置，通过同时绕制第一和第二垂直校正线圈，能够谋求绕线作业的高效化。而且，由于以大致相同的路径绕制第一和第二垂直校正线圈，能够抑制第一和第二垂直校正线圈间的电阻成分的偏差。
技术方案9记载的图象失真校正装置，通过在第一和第二水平校正线圈与垂直校正线圈之间设置的绝缘性的线圈架，能够有效地抑制第一和第二水平校正线圈与垂直校正线圈之间的短路。
技术方案10记载的图象失真校正装置，在与第一和第二水平校正线圈分别对应的第一和第二外周区域之间，把垂直校正线圈的匝数设定为大致相同，由此，能够抑制在第一和第二水平校正线圈与垂直校正线圈之间产生的感应电流的发生，而减小发热量，能够增大中间枕形失真的校正量。
技术方案11记载的图象失真校正装置，通过线圈架的中间部设置的凸缘部，能够把垂直校正线圈容易地分割成各自的匝数大致相同并且设在第一和第二外周区域中的两个部分线圈。
技术方案12记载的图象失真校正装置，第一和第二水平校正线圈以及垂直校正线圈中的至少一个线圈使用集合绞合线作为绕组，由此，能够抑制趋肤效应所产生的交流电阻的增大，而减小发热量。
本发明的这些和其他的目的、优点及特征将通过结合附图对本发明的实施例的描述而得到进一步说明。在这些附图中图1是表示本发明的实施例1的图象失真校正装置中的电路构成的电路图；图2是表示图1所示的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图；图3是表示水平校正线圈的电感-安匝特性的曲线图；图4是表示加在画面上的各个显示位置上的标号与实际的显示位置的对应关系的示意图；图5是表示画面中心部的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图6是表示画面上端、下端的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图；图7是表示画面左边的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图；图8是表示画面右边的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图；图9是表示画面左上端、左下端的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图；图10是表示画面右上端、右下端的中间枕形失真校正饱和电抗单元的磁场的示意图；图11是表示对于画面显示位置的水平校正线圈的合成电感变化的示意图；图12是表示本发明实施例2的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图；图13是表示本发明实施例3的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图；图14是表示本发明实施例4的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图；图15是表示本发明实施例5的图象失真校正装置的电路构成的电路图；图16是表示实施例5的垂直校正线圈的绕制状况的示意图；图17是表示本发明实施例6的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图；图18是表示中间枕形失真的模式图；图19是表示由波形为锯齿形的水平偏转电流所产生的屏幕上的显示状况的示意图；图20是表示由波形为进行了S字校正的锯齿形的水平偏转电流所产生的屏幕上的显示状况的示意图；图21是表示具有S字校正功能的水平偏转电路的电路构成例的电路图；图22是表示在S字校正用电容器的两端产生的电压分布的曲线图；图23是表示现有的图象失真校正电路的构成的电路图；图24是表示现有的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的主要部分构造的大致侧面图。
实施例1<电路构成>
图1是表示本发明的实施例1的图象失真校正装置中的电路构成的电路图。在图1中，1是中间枕形失真校正饱和电抗器单元，2，3是磁铁，4是铁心。
如该图所示的那样，水平偏转电流IH流过端子P1，端子P2之间的水平偏转电流路径，在端子P1,P2之间串联连接着水平偏转线圈21、水平校正线圈L1和水平校正线圈L2。水平校正线圈L1和水平校正线圈L2分别绕制在铁心4上。
另一方面，垂直偏转电流IV流过端子P3，端子P4之间的垂直偏转电流路径，在端子P3，中间端子P11之间设置垂直偏转线圈22。
在中间端子P11，端子P4之间设置由垂直校正线圈L3、二极管D1～D4和电阻R1组成的垂直校正部31。以下对垂直校正部31的内部构成进行说明。在中间端子P11上连接二极管D1的正极、二极管D3的负极和电阻R1的一端，在二极管D1的负极上连接垂直校正线圈L3的一端和二极管D2的负极，在垂直校正线圈L3的另一端连接二极管D3和D4的正极，在端子P4上连接二极管D2的正极、二极管D4的负极以及电阻R1的另一端。
即，对于设在中间端子P11，端子P4之间的第一电流路径(串联连接二极管D1,D4和垂直校正线圈L3的路径)和第二电流路径(串联连接二极管D2,D3和垂直校正线圈L3的路径)，并联连接作为共用电阻的电阻R1。
在图1所示的电路构成中，为了在垂直校正线圈L3中流过被整流的垂直偏转电流，而使用由二极管D1～D4和电阻R3组成的二极管桥，但是，也可以使用其他的整流电路。
<中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造>
图2是表示图1所示的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图。如该图所示的那样，构成铁心4的部分铁心4a,4b相接触以便于磁结合，并且同轴配置，在其两端上配置磁铁2,3，磁铁2,3在同一方向上配置成磁铁2侧的S极，磁铁3侧的N极，分别与铁心4接触。
在部分铁心4a上绕制水平校正线圈L1，在部分铁心4b上绕制水平校正线圈L2。这两个水平校正线圈L1、L2的匝数被设定为大致相同，绕线方向是以产生相反方向的磁场的方向进行绕制，同时，以水平校正线圈L1、L2之间的互感成为可以忽略的大小这样的距离来进行配置。由于水平校正线圈L1,L2分别绕制在各自的部分铁心4a,4b上，而能够比较容易地实现把互感抑制得较低的配置。而且，水平校正线圈L1和水平校正线圈L2按图1所示的那样串联连接。
在部分铁心4a,4b和磁铁2,3的外周设置沿水平校正线圈L1,L2的绕线方向覆盖的例如圆筒状的线圈架5，线圈架5具有绝缘性。垂直校正线圈L3沿着水平校正线圈L1,L2的绕组上并以部分铁心4a,4b为中心而绕制在线圈架5上。即，垂直校正线圈L3沿着水平校正线圈L1,L2的绕组的外周，通过线圈架5而重叠绕制在水平校正线圈L1,L2上。该垂直校正线圈L3以这样的绕线方向进行绕制产生抵消由磁铁2,3产生的偏置磁场的方向的磁场。
这样，图2所示的中间枕形失真校正饱和电抗器单元1的等效电路是图1所示的中间枕形失真校正饱和电抗器单元1。使用该中间枕形失真校正饱和电抗器单元1，能够象下面详细描述的那样，校正在画面的左右产生的中间枕形失真。
在实施例1的图象失真校正装置中，具有这样的特征在中间枕形失真校正饱和电抗器单元1中，把垂直校正线圈L3重叠绕制在水平校正线圈L1,L2上。
<动作>
这样，实施例1的图象失真校正装置是由中间枕形失真校正饱和电抗器单元1和垂直校正部31的垂直偏转电流的整流电路来构成图象失真校正电路。下面对实施例1的图象失真校正装置的动作进行说明。
图3是表示水平校正线圈的电感-安匝特性的曲线图。在图3中，纵轴表示水平校正线圈的电感，横轴表示安匝或者外部磁场。如该图所示的那样，水平校正线圈的电感在安匝较小的状态下较大，随着安匝变大而变小，在某个值以上的安匝(饱和状态)下，成为大致恒定的小值。
此外，由于两个水平校正线圈L1,L2以能够忽略互感的水平进行配置，两个水平校正线圈L1,L2的合成电感Ls用各自的线圈的电感L1、L2之和来表示。即，成为「Ls=L1+L2」。
下面，对应于画面上的显示位置，来说明水平校正线圈的合成电感Ls的变化。在图4中表示了加在画面上的各个显示位置上的标号与实际的显示位置的对应关系。在图中，把画面的水平轴作为X轴，把垂直轴作为Y轴。
而且，施加在两个水平校正线圈L1,L2上的水平偏转电流IH是在每个水平周期内所提供的进行了S字校正的锯齿状波形电流，施加在垂直校正线圈L3上的垂直偏转电流IV是通过4个二极管D1～D4和一个电阻R1把在每个水平周期内所提供的锯齿状波形电流整流成相同极性的电流。
如图5所示的那样，在显示位置O(画面中央)，水平校正线圈L1,L2、垂直校正线圈L3中都没有流过电流。因此，作用在水平校正线圈L1,L2上的磁场仅是由磁铁2,3所产生的偏置磁场M0。此时，水平校正线圈L1,L2都被设定为饱和状态，合成电感Ls变小。
如图6所示的那样，在显示位置T(Y轴的上端)或者显示位置B(Y轴的下端)，在水平校正线圈L1中没有电流流过，仅在垂直校正线圈L3中流过电流。垂直校正线圈L3产生的磁场M3抵消了磁铁2,3的偏置磁场M0，因此，解除了水平校正线圈L1,L2各自的饱和状态。因此，水平校正线圈L1,L2的电感变大，它们的合成电感Ls变大。
如图7所示的那样，在显示位置L(X轴的左端)，在水平校正线圈L1,L2中流过电流，在垂直校正线圈L3中没有电流流过。此时，水平校正线圈L1产生的磁场M1是抵消由磁铁2,3所产生的偏置磁场M0的方向，因此，解除了水平校正线圈L1的饱和状态，电感L1变大。另一方面，水平校正线圈L2产生的磁场M2是与由磁铁2,3所产生的偏置磁场M0相同的方向，因此，水平校正线圈L2仍是饱和状态，电感L2较小。因此，合成电感Ls增大了L1的增加量。
如图8所示的那样，显示位置R(X轴的右端)为与显示位置L的情况相反的状态，水平校正线圈L1仍是饱和状态，电感较小，另一方面，水平校正线圈L2被解除了饱和状态，因此，电感L2变大。因此，合成电感Ls增大了L2的增加量。
如图9所示的那样，在显示位置TL(画面左上角)或者显示位置BL(画面左下角)的情况下，可以考虑是在显示位置T或者显示位置B的情况下(以下称为Y轴端)叠加了显示位置L的情况而形成的结果。在此情况下，水平校正线圈L1其自身产生的磁场M1和垂直校正线圈L3产生的磁场M3具有相同方向，因此，与Y轴端的状态相比，进一步推进了饱和状态的解除。因此，水平校正线圈L1的电感L1与Y轴端相比更大了。另一方面，水平校正线圈L2其自身产生的磁场M2和垂直校正线圈L3产生的磁场M3具有相反方向，因此，与Y轴端的状态相比，接近饱和状态。因此，水平校正线圈L2的电感L2与Y轴端相比更小了。合成电感Ls由两个线圈的电感L1、L2的Y轴端的变化量之差所决定，但是，通常，与Y轴端的状态相比，相同或者变小了。
如图10所示的那样，显示位置TR(画面右上角)或者显示位置BR(画面右下角)可以考虑是在Y轴端的情况下叠加到显示位置R的情况上的结果。在此情况下，水平校正线圈L1与Y轴端的状态相比接近饱和状态，因此，电感L1与Y轴端的状态相比变小了，水平校正线圈L2与Y轴端的状态相比推进了饱和状态的解除，因此，电感L2与Y轴端的状态相比变大了。合成电感Ls与Y轴端的状态相比，相同或者变小了。
图11是表示对于画面显示位置的水平校正线圈的合成电感变化的示意图。在该图中，在纵轴上表示合成电感Ls，在横轴上表示水平偏转电流IH。在两个曲线中，曲线LC1表示与画面上下端部的横线相对应的合成电感Ls的变化，曲线LC2表示与画面中央部的横线相对应的合成电感Ls的变化。表示与曲线上的各点相对应的画面上的显示位置的标号与图4相同。
从图11可以看出，在画面上下端部，合成电感Ls，在Y轴端最大，越接近画面角部，变得越小。另一方面，在画面中央部，合成电感Ls，在画面中央最小，越接近X轴端，变得越大。
因此，水平校正线圈的合成电感Ls在画面上下端部变大，在画面中央部变小，因此，在画面上下端部减小S字校正量，在画面中央部加大S字校正量，从而能校正中间枕形失真。
而且，通过合成电感Ls对水平偏转电流IH的变化，能够增大中间枕形失真校正效果。即，在画面上下端部，水平校正线圈的合成电感Ls在水平方向的中间部变大，在周边部变小，因此，水平方向的振幅相对地在中间部缩回而在周边部伸长(即外域延伸)。
另一方面，在画面中央部，水平校正线圈的合成电感Ls在水平方向的中间部变小，在周边部变大，因此，水平方向的振幅相对地在中间部伸长而在周边部缩回(即内域延伸)。
而且，在实施例1的图象失真校正装置中，在中间枕形失真校正饱和电抗器单元1中使用的铁心4用的部分铁心用两个(4a,4b)就够了，与由3个部分铁心组成的现有技术相比，能够降低装置成本。
而且，由于铁心13绕制在线圈架5的外侧上，与象现有装置那样绕制在较小的铁心13上的情况下相比，在绕组间存在裕量，因此，能够使用线径大、电阻率小的绕线作为垂直校正线圈L3的线圈，能够减小垂直校正线圈L3的耗电量。
而且，水平校正线圈L1,L2和垂直校正线圈L3通过它们之间存在的绝缘性线圈架5进行绝缘，因此，能够把在水平校正线圈L1,L2和垂直校正线圈L3之间产生短路的可能性抑制到足够低。
而且，如果水平校正线圈L1,L2和垂直校正线圈L3各自线圈本体被充分绝缘，也可以在水平校正线圈L1,L2上直接重叠绕制垂直校正线圈L3。
实施例2图12是表示本发明实施例2的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图。电路构成与图1所示的实施例1的图象失真校正电路的电路构成相同。
如该图所示的那样，图1的铁心4由整体形成的一个单位的铁心6来实现。而且，在铁心6的磁铁2侧的区域中绕制水平校正线圈L1，在磁铁3侧的区域中绕制水平校正线圈L2。其他的构成与图2所示的实施例1相同。
这样构成的实施例2的图象失真校正装置能够进行与实施例1的图象失真校正装置相同的动作。而且，通过实施例2这样的构成，与实施例1相比，从两个单位的铁心4减少为一个单位的铁心6，由于减少了部件数量和装配工时，能够实现装置成本的降低。而且，不会产生实施例1那样的由两个部分铁心构成铁心时产生的轴偏移等问题。
实施例3图13是表示本发明实施例3的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图。电路构成除了磁铁的配置之外与图1所示的实施例1的图象失真校正电路的电路构成相同。
如该图所示的那样，在部分铁心4a,4b之间配置一个磁铁8，来取代磁铁2,3。由磁铁8产生的偏置磁场与由磁铁2,3产生的偏置磁场相同。而且，其他的构成与图2所示的实施例1相同。
这样构成的实施例3的图象失真校正装置能够进行与实施例1的图象失真校正装置相同的动作。而且，通过实施例3这样的构成，与实施例1、2相比，从两个单位的磁铁2、3减少为一个单位的磁铁8，由于减少了部件数量，能够实现装置成本的降低。
而且，由于不需要象实施例1和实施例2那样，在铁心(4a,4b；6)的两端配置磁铁2,3，在把绕组从水平校正线圈L1,L2引出到线圈架5外的过程中，磁铁不会成为障碍，能够谋求装置制造的高效化。而且，不需要在线圈架5上设置绕组引出用的槽，能够简化线圈架构造。
实施例4图14是表示本发明实施例4的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图。而且，电路构成与图1所示的实施例1的图象失真校正电路的电路构成相同。
如该图所示的那样，在线圈架5的一部分的外侧进一步设置大致为コ字形的磁轭板9来作为闭合磁路部件。磁轭板9由例如硅钢片等廉价的材料组成，其两端面分别紧密连接在左右两侧的磁铁2,3的端面上，铁心6-磁铁2,3-磁轭板9作为整体形成闭合磁路。而且，其他的构成与图12所示的实施例2相同。
而且，磁轭板9可以设在上述实施例1或者实施例3所示的中间枕形失真校正饱和电抗器单元上。但是，当在实施例3的构成中设置磁轭板9时，磁轭板9的端面与部分铁心4a,4b的端面紧密连接。即，磁轭板9与磁铁2、3或者部分铁心4a、4b磁结合，而形成闭合磁路。
这样构成的实施例3的图象失真校正装置，由于通过磁轭板9使磁铁2,3发生的磁通密度变大，故能够使用厚度更小的磁铁2,3,能够谋求装置成本的降低和装置的小型化。
而且，通过磁轭板9降低了磁阻，而提高了垂直校正线圈L3的效率，因此，能够减少线圈的匝数，除了能够实现装置成本的降低之外，还能够减小耗电量。而且，由于整体构成闭合磁路，故能够有效地抑制漏磁场。
实施例5图15是表示本发明实施例5的图象失真校正装置的电路构成的电路图。在图15中，7是中间枕形失真校正饱和电抗器单元。
如该图所示的那样，在中间端子P11，端子P4之间构成由垂直校正线圈L4,L5、二极管D5,D6和电阻R2组成的垂直校正部32。以下对垂直校正部32的内部构成进行说明。在中间端子P11上连接二极管D5的正极、二极管D6的负极和电阻R2的一端，在二极管D5的负极上连接垂直校正线圈L4的一端，在垂直校正线圈L4的另一端上连接电阻R2的另一端和端子P4的。在端子P4上连接垂直校正线圈L5的一端，垂直校正线圈L5的另一端连接在二极管D6的正极上。其他构成与图1所示的实施例1的电路构成相同。
这样，对于设在中间端子P11，端子P4之间的第一电流路径(串联连接二极管D5和垂直校正线圈L4的路径)和第二电流路径(串联连接二极管D6和垂直校正线圈L5的路径)，并联连接作为共用电阻的电阻R2。
而且，在垂直校正部32中，在画面的上偏转的情况下和下偏转的情况下，切换电流流过的垂直校正线圈L4,L5，构成为在无论哪种情况下从两个垂直校正线圈的某个产生的磁场都成为抵消磁铁2,3的偏置磁场的方向。
实施例5的中间枕形失真校正饱和电抗器单元7的构造可以是实施例1～实施例4的中间枕形失真校正饱和电抗器单元1的构造中的任一种构造，可以在线圈架5上同时绕制垂直校正线圈L4,L5来取代垂直校正线圈L3。
垂直校正线圈L4,L5，在一次的绕线作业中，同时以相同方向把两条绕线绕制在线圈架5上，由此，如图16所示的那样，能够得到在线圈架5上交替绕制垂直校正线圈L4,L5的构造。
而且，垂直校正线圈L4,L5的磁场产生的方向可以通过电路板上的电路布线来进行控制。通过这样进行绕制，两个垂直校正线圈L4,L5以大致相同的路径进行绕制，因此，能够抑制电感的偏差。而且，绕线作业可以一次完成。
这样构成的实施例5的垂直校正部32，与图1所示的实施例1的垂直校正部31那样把单一的垂直校正线圈L3与二极管桥等整流电路组合使用的情况相比，由于电流通过的二极管的数量减少了，能够减少由二极管的ON电阻所产生的耗电量。
实施例6图17是表示本发明实施例6的图象失真校正装置中的中间枕形失真校正饱和电抗器单元的构造的截面图。而且，电路构成与图1所示的实施例1的图象失真校正电路或者图15所示的实施例5的图象失真校正电路相同。
如该图所示的那样，在线圈架5的两端与凸缘部5a,5b的中间部进一步设置垂直校正线圈的匝数控制用的凸缘部5c。凸缘部5c可以与线圈架5一体构成，也可以作为独立部件装在线圈架5中。凸缘部5c的位置与水平校正线圈L1,L2的中间部或者部分铁心4a,4b的接触面的位置相一致。垂直校正线圈L3由与通过该凸缘部5c隔开的两个部分垂直校正线圈L3a、L3b的串联连接而构成。
部分垂直校正线圈L3a绕制在与水平校正线圈L1相对应的凸缘部5a,5c之间的第一外周区域上，部分垂直校正线圈L3b绕制在与水平校正线圈L2相对应的凸缘部5b,5c之间的第二外周区域上。而且，部分垂直校正线圈L3a,L3b沿相同方向绕制，各自的匝数大致相同。而且，其他构成与图2所示的实施例1相同。
这样构成的实施例6的图象失真校正装置，通过水平校正线圈L1,L2产生的磁通的变化，能够抑制由垂直校正线圈L3产生的感应(串扰)电压。这是因为在构成垂直校正线圈L3的部分垂直校正线圈L3a,L3b中产生的感应电压的极性相反，其绝对值相等，因此，在垂直校正线圈全体中，没有感应电压。以下更详细地进行说明。
由于部分垂直校正线圈L3a绕制在水平校正线圈L1的外周上，受到水平校正线圈L1产生的磁通的变化的影响较多。另一方面，部分垂直校正线圈L3b较多地受到水平校正线圈L2产生的磁通的影响。部分垂直校正线圈L3a,L3b的绕线方向是相同的，水平校正线圈L1,L2产生的磁通的方向是反向的，因此，感应电压的极性不同。即，在某个瞬间，若假定在部分垂直校正线圈L3a中产生的感应电压在绕线开始侧是正的，则部分垂直校正线圈L3b产生的感应电压在绕线开始侧是负的。各自的电压的绝对值由水平校正线圈L1的匝数与部分垂直校正线圈L3a之比、水平校正线圈L2的匝数与部分垂直校正线圈L3b的匝数之比所决定，但是，在此情况下，两者是相等的。因此，在部分垂直校正线圈L3a,L3b中产生的感应电压的极性相反，绝对值相等。
因此，在串联连接着部分垂直校正线圈L3a,L3b的垂直校正线圈的两端不会产生感应电压。因此，在例如图1的电路中，在由垂直校正线圈L3、二极管D2,D4组成的回路中，不会流过感应电压。
正如以上说明的那样，实施例6能够抑制流过垂直校正线圈及其周边电路的水平周期的感应电流，因此，能够减少垂直校正线圈或者其周边电路的发热。而且，在垂直校正线圈中本来就没有流过垂直偏转电流的情况下，由于感应电流流过等设计本意上没有的电流不会流过垂直校正线圈，因此，饱和电抗器单元的动作是适当的，能够增大中间枕形失真的校正量。
如果能够通过绕线上的作业技巧使垂直校正线圈的匝数分配与水平校正线圈L1的外周区域的匝数和水平校正线圈L2的外周区域的匝数成为大致相同匝数，则也可以省略线圈架5的中间部的凸缘部5c。
在实施例6中，表示了图1所示的图象失真校正电路的使用例子，但是，下面简单地说明用于图5所示的图象失真校正电路的情况。在此情况下，在凸缘部5a,5c之间设置由垂直校正线圈L4,L5各自的一部分组成的部分垂直校正线圈L3a；在凸缘部5b,5c之间设置由垂直校正线圈L4,L5各自的其余部分组成的部分垂直校正线圈L3b，同时绕制垂直校正线圈L4,L5。此时，部分垂直校正线圈L3a,L3b沿相同方向绕制，各自的匝数大致相同即可。
实施例7在实施例1～6所示的图象失真校正装置中，可以在水平校正线圈或者垂直校正线圈中使用集合绞合线。通过使用绞合线，这些线圈的表面积变大，因此，能够抑制由趋肤效应所产生的交流电阻的增大。因此，能够减小频率较大的水平偏转电流和由感应电流所产生的损耗，能够减小线圈的发热量。
权利要求
1．一种图象失真校正装置，其特征在于，包括设在水平偏转电流流过的水平偏转电流路径上的第一和第二水平校正线圈，上述第一和第二水平校正线圈串联连接，同时，设定相对于铁心的绕线方向以便于产生相反方向的磁场，还包括磁场偏置装置，在第一方向上偏置上述磁场；垂直校正线圈，设在垂直偏转电流流过的垂直偏转电流路径上，在作为与上述第一方向相反的方向的第二方向上发生磁场，沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周重叠绕制上述垂直校正线圈。
2．根据权利要求1记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述铁心包含第一和第二部分铁心，上述第一和第二水平校正线圈包含分别绕制在上述第一和第二部分铁心上的线圈。
3．根据权利要求1记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述铁心包含一个单位的一体型铁心，上述第一和第二水平校正线圈包含分别绕制在上述一体型铁心的第一和第二区域上的线圈。
4．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述磁场偏置装置包含分别配置在上述铁心的两端并且极性相一致的第一和第二磁铁。
5．根据权利要求2记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述磁场偏置装置包含配置在上述第一和第二部分铁心之间的一个单位的磁铁。
6．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，进一步包括闭合磁路部件，与上述磁场偏置装置及上述铁心中至少一方相连接，与上述磁场偏置装置及上述铁心一起形成闭合磁路。
7．根据权利要求6记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述闭合磁路部件包含配置成与上述磁场偏置装置或者上述铁心的任一个磁性结合的磁轭板。
8．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述垂直校正线圈包含第一和第二垂直校正线圈，上述第一和第二垂直校正线圈在第一极性的上述垂直偏转电流流过时都在上述第二方向上产生磁场，上述第二垂直校正线圈在作为与上述第一极性相反的极性的第二极性的上述垂直偏转电流流过时在第二方向产生磁场，上述第一和第二垂直校正线圈包含同时绕制在上述第一和第二水平校正线圈的外周上的线圈。
9．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，进一步包括沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周设置的绝缘性的线圈架，上述垂直校正线圈包含绕制在上述线圈架上的线圈。
10．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述垂直校正线圈包含这样的线圈在与上述第一和第二水平校正线圈分别对应的第一和第二外周区域之间，匝数被设定为大致相同。
11．根据权利要求10记载的图象失真校正装置，其特征在于，进一步包括沿着上述第一和第二水平校正线圈的外周设置的绝缘性的线圈架，上述线圈架在相当于上述第一和第二水平校正线圈的中间部分的位置上具有凸缘部。
12．根据权利要求1至3中任一项所记载的图象失真校正装置，其特征在于，上述第一和第二水平校正线圈以及上述垂直校正线圈中的至少一个线圈包含使用集合绞合线作为绕组的线圈。
全文摘要
提供低成本和低耗电的构造的图象失真校正装置。在部分铁心4a,4b上分别绕制水平校正线圈L1,L2。这两个水平校正线圈L1,L2的绕线方向是以产生相反的磁场的方向进行绕制。设置沿水平校正线圈L1,L2的绕线方向包覆部分铁心4a,4b和磁铁2,3的外周的具有绝缘性的线圈架5,垂直校正线圈L3沿着水平校正线圈L1,L2绕制在线圈架5上,以使部分铁心4a,4b为中心。该垂直校正线圈L3以产生抵消由磁铁2,3产生的偏置磁场的方向的磁场那样的绕线方向进行绕制。
文档编号H04N3/237GK1323134SQ00134468
公开日2001年11月21日 申请日期2000年12月1日 优先权日2000年5月8日
发明者宫本佳典, 安井裕信, 瓶子晃永, 石森彰, 西野浩章 申请人:三菱电机株式会社