专利名称：锥光纤环形腔光梳状波分复用器及其制造方法
技术领域：
本发明属于光导和其它光学元件的装置，尤其属于有多波长选择分复用功 能装置的锥光纤环形腔光梳状波分复用器及其制造方法.
背景技术：
本发明所述的光梳状波分复用器(Optical Comb-add/drop multiplexer ， OCADM)是一种用在光纤通信中密集波分复用(DWDM)系统的光学路由器 (Optical router), 是一种光无源器件。利用光梳状波分复用器可以提高光 纤通信密集波分复用信道数量，它可以在现有滤波器带宽的基础上，进一步降 低信道间P鬲，提高系统信道密集度。光梳状波分复用器的解复用功能是可把单 组输入密集波分复用(或光频分复用OFDM)光信号分解成两组光信道输出，其 中一组为等间隔的光信道输出；光梳状波分复用器的复用功能是解复用功能的 逆过程，是把两组信道互为相间且其中一组为等间隔的DWDM光信号复合为一 组信号。
现有的光交叉波分复用器(Interleaver) 6如图1所示，仅能把单组输入 密集波5分成奇偶两组等间隔方式光信道输出，或将奇偶两组等间隔方式光信 道输入复合为一组信号输出。
目前光交叉波分复用器主要有三种全光纤马赫-曾德尔干涉仪型(All fiber Mach-Zehnder interferometer)、 麦克尔逊干涉仪(Michelson interferometer)加GTR ( Gires-Tournois Resonator)型和利用偏振光干涉 的双折射晶体型。其中基于双折射晶体设计光交叉波分复用器是目前实现光交 叉复用/解复用功能的重要途径，它是利用晶体的双折射和偏振光的干涉原理 来实现的。目前商用化的光交叉波分复用器(Interleaver)是基于钒酸镱(YV04)双折射晶体设计的，这种商用的双折射晶体型光^f危状波分复用器具有 体积较大、结构复杂、与光纤的耦合效率低而光损耗较大(1.5—1. 8dB)、成 本高等缺点。采用全光纤设计MZI型的优势在于结构简单、具有较低的偏糾目 关损耗和附加损耗，但它存在的主要问题是隔离度小、温度稳定性差而很难达 到实际应用。
为了得到较大的信道间隔，光梳状波分复用器可串接^f吏用，图2表示了由 三个光交叉波分复用器按两级结构串^i文在一起的输入输出关系。其中图右两 个光交叉波分复用器输入输出信道间隔分别是图左光交叉波分复用器输入输 出信道间隔的两倍。假如最左边输入光信号信道间隔是50 GHz ，则经第一级光 交叉波分复用器后信道间隔变为IOO GHz ，再经过第二级光交叉波分复用器后 在最右边输出光信号信道间隔变为200 GHz ，从而大大减低原输入信道间隔50 GHz光信号的接收和处理的技术难度。当然，光交叉波分复用器还可以三级甚 至四级串放，但其插入损耗较大，实际应用较为少见。
发明内容
本发明目的在于克服目前光交叉波分复用器的缺点，提供一种耦合效率争支 高、光损耗较小、性能更佳、可光集成化的、并可工业化生产的、替代现有商 用光交叉波分复用器的锥光纤环形腔光^^状波分复用器，并提供其制造方法。
本发明所采用的技术方案为一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，其结构 要点在于它包括光纤、环形腔，环形腔水平中截面的外径大于光纤的直径，每 根光纤拉成中部细的锥型，形成锥光纤，光纤与环形腔间隔布置，相邻两条光 纤的锥腰与环形腔水平中截面的外圆相切。
本发明的工作原理为
光学介质环形腔内部存在着一系列特别高品质因子(Q值)(可达1 x 108) 和非常小模式体积的回廊模，简称WG模，这些WG模式的频率与环形腔的尺寸、 介质折射率有关，当耦合到环形腔WG模的信号光波为其形貌特征谐振谱时，就与环形腔形成共振，能耦合入/出环形腔。但WG模式所对应的近球表面的光
场分布却是一倏逝波，不为传播波。因此，若信号光波以平面波方式直4I:照射环
形腔谐振器，由于很大部分光穿过环形腔而没能耦合到WG模式中，因而耦合效 率很低。锥光纤(特别是锥腰直径为l-3微米的)是一种近场耦合器，它产生 倏逝波，能与环形腔的WG ;f莫式有;f艮高的耦合效率，这样将锥光纤与环形腔相 组合就构成了一种高效窄带滤波器。通过测试得知，对谐振波长锥光纤与环形 腔间光的耦合效率可达90%。
为了使光纤和环形腔有一良好的固定，本发明还设计了一个承栽基片，将 环形腔直接制在承载基片上，在承载基片上制有若干条平行的能容纳光纤的V 型槽，两V型槽中心间距为环形腔的外环直径与锥光纤的锥腰直径的和，锥光 纤固定于V型槽中，在两V型槽之间的中部制有一个环形腔，相邻两条光纤的 锥腰与环形腔水平中截面的外圆相切。
具体设计为 一种光梳状波分复用器它由二条光纤制成的锥光纤、 一个 Si02环形腔、 一个承载基片组成，承载基片的材料选用晶向为<100>的单晶硅， 刻蚀有二条平行的V型槽，V型槽的顶部宽度大于光纤外径的0. 82倍，最佳为 1. 22倍。
可以选择不同的环形腔(不同直径和折射率)来达到选择不同波长间隔的 梳状光信号的目的。
这组等间隔的环形腔谐振光谱间隔由其自由光谱范围公式决定
C为光在真空中的速度；n为制作环形腔的介质折射率，R为环形腔的半径， R-D/2。
取C=3. 0*108m/s， n=1.465 tt=3. 14159 (1) i殳△ u-200GHz-FSR A入-l. 6nmR=D/2;及=~^~ = ~^~
得R-O. 162957,162. 96jum
(2) 设△ u-100GHz-FSR, A入-O. 8nm 得R=0. 3259148mm=325. 9148 ju m ;
(3) 设Au-50GHz=FSR ，AX=0. 4nm
R=0. 6518300mm=651. 830jum 上述锥光纤环形腔光梳状波分复用器制造方法，包括锥光纤、环形腔、承 载基片的制作及其组装，其承载基片的制作方法为利用晶向为<100>单晶硅 的各向异性腐蚀特性制作V型槽，制作工艺为设计用于光刻的掩模板，当选 择正型光刻胶时，掩模板的透光区图形与实际要腐蚀形成的图形相似，掩模板 上的透光区图形为与V型槽的顶部宽度相同的长方形和以环形腔外圆为边界向 两边延伸10—200jLim内圓外方的形状，用于在硅片上光刻腐蚀^:置光纤的V 型槽和制作环形腔，其余部分为不透光区。若选择负型光刻胶时，掩模板的透 光区图形与上述图形刚好相反。光刻过程为先将单晶硅用氧化法生长出Si02 层，涂光刻胶，烘干，盖上掩模板，紫外线曝光，取走掩模板，对承载基片 进行显影、漂洗、烘千、用HF酸腐蚀SiO"去除光刻胶，用硅腐蚀物如四曱 基氢氧化铵(TMAH)等腐蚀剂进行腐蚀，形成^L置光纤的V型槽和制作环形腔 的圆盘。环形腔的制作方法为将Si02圆盘用电弧或激光进行高温融化，在表
面张力作用下冷却后形成环形腔。
其组装过程为①锥光纤放置入V型槽首先将锥光纤固定在固定件上，然 后将此固定件和制作好的承载基片各固定在一个微调节架上，分别调节微调节 架，同时在显微镜下观察锥光纤与环形腔，让锥腰与环形腔相切，锥外部分落 在V型槽内；②锥光纤放入V型槽后，在锥外V型槽卡住部分处点上紫外固 化胶，用紫外曝光灯照射紫外固化胶30秒，将环形腔与锥光纤固定。封装工艺为封装时应选择温度特性与光纤与环形腔材料相匹配的，折射 率也应低于光纤折射率的材料作为填充材料，可供采用的胶合剂有丙烯酸树 脂、环氧树脂，封装材料选用硅弹性树脂、氟化聚合物、硅油和甘油，其中硅 弹性树脂能最适合于作填料兼包层材料。
本发明的优点在于，对输入、输出光处理方便、简单，结构紧凑，耦合效 率较高，可实现光集成化，可工业化生产，实用性好。通过测试得知，对谐振 波长锥光纤与环形腔间光的耦合效率可达90%，与目前商用晶体双折射型OCADM 相比，本发明谱线带宽窄，分出插入波长信道损耗小，对直通信号波长损耗4艮 小，适合密集波长信道的光纤通信。
图1为现有光交叉波分复用器原理示意图
图2为两级光交叉波分复用器原理示意图
图3为本发明的结构示意图
图4为本发明实施例2的结构示意图
图5为图4的A—A放大2倍的剖视图
图6为图4的B—B放大2倍的剖视图
图7为本发明等间隔波分复用器原理示意图
图8为实施例2使用正型光刻胶时掩模板透光区结构示意图
图9为本发明实施例3的结构示意图
图IO为本发明实施例3使用负型光刻胶时掩模板透光区结构示意图
其中l承载基片IIV型槽 15掩模板2光纤21锥腰23输入端口
24输出端口 25分出端口 26插入端口 3环形腔 31水平中截面 32外圓
33凹槽5波6光交叉波分复用器7光;^状波分复用器
具体实施例方式
下面结合视图对本发明进行详细的描述实施例l,如图3所示， 一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，它包括光纤 2、环形腔3，环形腔3水平中截面31的外径大于光纤2的直径，每根光纤拉成中 部细的锥型，形成锥光纤，光纤2的直径为125Mm，锥腰21直径为2. 0Mm，环形
腔3的半径及=~^~ = _^(am,其中Au为信道间隔，C为光在真空中的速
度，n为制作环形腔的介质折射率，FSR为环形腔谐振光语的自由光谱范围， 取 C=3. 0*108m/s, n=1.465 tt=3. 14159 当△ u-100GHz-FSR， △入=0. 8nm 得R-O. 3259148鹏-325. 9148|um 即环形腔3的半径为325. 9陶。
光纤2与环形腔3间隔布置，相邻两条光纤的锥腰21与环形腔3水平中截面 31的外圆32相切。输入端口23输入一组DWDM光信号，当其中的某些光信号波长 为环形腔3的谐振谱时，这些波长就耦合入环形腔3中，并从分出端口25分出 (Drop),相同波长的光从插入端口26插入(Add),从输出端口24输出，实现 了对一组波长的光波分复用功能(Add/Drop功能)。这种器件对不谐振波长信 号损耗小(<0. 3dB),对谐振波长信号损耗(由锥光纤与环形腔耦合引起)也 较小(<ldB)。
实施例1的应用， 一组国际电联(ITU)规定的DWDM第21至第52标准 信道为192 100 GHz ，192 200 GHz , 195 200 GHz ，经过锥光纤环形腔光 梳状波分复用器输出奇信道频率为192 100 GHz ， 192 300 GHz ， 192 500 GHz , …，195 100 GHz共16信道，输出偶信道频率为192 200 GHz ，192 400 GHz ， 192 600 GHz ,'.， 195 200 GHz共16信道。
实施例2，如图4所示， 一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，它由二条光 纤2制成的锥光纤、 一个环形腔3、 一个承载基片l组成，将环形腔3直接制在承 载基片1上，承载基片1上刻蚀有二条平行的V型槽11和一个环形腔3， V型槽ll的顶部宽度为光纤外径的1.22倍，光纤2的直径为125Mfli，锥腰21直径为2. OMm， 环形腔3的半径及=~￡~ = _^_ym,其中Au为信道间隔，C为光在真空中
的速度，n为制作环形腔的介质折射率，FSR为环形腔谐振光谱的自由光谱范围， 取 C-3. 0*108m/s， n-l. 465 丌=3. 14159 当△ u =50GHz=FSR ; △入-0. 4nm 得R-O. 6518300鹏=651. 830jam 即环形腔3的半径为651. 83Mm。
承载基片1的厚度为500Mm，两V型槽中心间距为1305. 66Mm， V型槽ll 的顶部宽度为152. 5Mm,锥光纤的锥腰21与环形腔3的水平中截面在同一水平 面上，相邻两条光纤的锥腰21分别与环形腔3水平中截面31的外圆32相切。 承载基片1的材料选用晶向为〈100〉的单晶硅，V型槽ll的顶部宽度为光纤外 径的1. 22倍。可以选择不同折射率的材料、和不同直径的环形腔来达到环形 腔的谐振波长与ITU-T标准DWDM波长中心、波长间隔相一致，以达到对所选 择的光信号进光梳状波分复用。
图5为图4的A—A放大2倍的剖视图，图6为图4的B~B放大2倍的剖 视图，环形腔纵断面的直径d约为4一8jam，水平中截面直径D为几十微米一-十几毫米。由于环形腔的表面为Si02,不受硅腐蚀物影响，而下方的硅被腐蚀 形成向内的凹槽33。
利用本发明所述的光梳状波分复用器7可以使如图7所示的光信号信道波 5分成一组为等间隔的(如3的倍数信道)，另一组不等间隔的光信道输出方 式。它使较窄信道间隔设计的DWDM ，如IOO GHz(或50 GHz)能进一步解复用 成信道间隔为200 GHz (或100 GHz)的更疏松的DWDM系统。
上述锥光纤环形腔光梳状波分复用器制造方法，包括锥光纤、环形腔3、 承载基片l的制作及其组装。1、 锥光纤的制作，目前有三种方法，分別为
① 氢氟酸(HF)腐蚀法
其操作步骤是(1)将光纤的塑料涂覆层用光纤剥离钳剥去约4cm,并用 无水乙醇棉球擦拭干净，并将其固定于固定件中；(2)配制HF溶液，配比为 氢氟酸氟化铵去离子水-3(ml):6(g):10(ml)，加入氟化铵是为了緩冲腐蚀 使光纤表面光滑；(3)将此段棵光纤浸于器皿的HF酸溶液中，器皿放在可移 动平台上。腐蚀区的长度和锥度，可通过改变浸泡HF溶液的光纤长度来控制。 (4)在腐蚀过程中，腐蚀质量和进程要通过显微镜观察和测量通过其中的光 功率进行监测。每次要中止腐蚀时，则将光纤^，用去离子水冲洗，烘千， 然后放到显微镜下观察、测量，整个过程在室温下进行。
② 火焰加热拉伸法
采用拉锥机制作锥光纤。其拉伸速度、拉伸长度、火焰运动速度等参数均 可通过计算机进行设置。
③ 0)2激光光源加热拉伸法
用COs激光器作为加热光源，干净、可控、起动快、无惯性，点状光源配 以程序控制振镜扫描加热，可制作出任意锥度和锥腰的锥光纤。
2、 承栽基片的制作方法为
选用高阻(〉100Q.cm) 〈100〉单晶硅，利用晶向为<100〉单晶硅的各向异 性腐蚀特性(由于各种晶面上原子排列密度不同导致了硅单晶各向异性，突出 地表现为腐蚀速率不同。各向异性腐蚀液腐蚀单晶硅时，沿〈100 〉晶向比< 111 〉 晶向有更高的腐蚀速率，约为U00〉 〈110〉 〈111〉=50: 30: 1 (jum/小时) 制作工艺为设计用于光刻的掩模板，当选择正型光刻胶时，掩模板的透光区 图形与实际要腐蚀形成的图形相似，掩才莫^反上的透光区图形如图8所示的阴影
部分，为与V型槽的顶部宽度相同的长方形和以环形腔外圆为边界向两边延伸 10—200 ym内圆外方的形状，用于在硅片上光刻腐蚀放置光纤的V型槽和制作环形腔，其余部分为不透光区。若选择负型光刻胶时，掩才莫板的透光区图形与
上述图形刚好相反。制作过程为珪衬底使用标准化学机械抛光技术抛光，接 着清洗，然后双面热氧化生长Si02厚度大约2pm，用匀胶机涂一薄层光刻胶 (约为1000nm),烘干，盖上掩模板，紫外线曝光，取走掩模板，对承载基片 l进行显影、漂洗、烘干、用氢氟酸腐蚀SiO,，去除光刻胶，用硅腐蚀物如四 甲基氢氧化铵(TMAH)等硅腐蚀剂进行腐蚀，形成放置光纤的顶角为70.52° 的V形槽和制作环形腔的圆盘。
硅腐蚀物常用的各向异性腐蚀液有KOH和TMAH。 TMAH具有刻硅速率高、 晶向选择性好、低毒性，是MEMS工艺中常用的刻蚀剂。TMAH湿法刻蚀获得光 滑刻蚀表面的工艺。首先，制备质量百分比为25%的TMAH溶液，溶液静置48h 后，取出40ml》文在500ml烧杯中，加入160ml去离子水，充分搅拌后，加入 2g过硫酸铵，搅拌直至完全溶解。在85。C水浴下，在〈100〉硅上进行V形槽 刻蚀，刻蚀速率可达1. 1 Mm/min，而且刻蚀表面光滑。
用TMAH在〈100〉硅片上刻蚀V形槽，TMAH溶液的浓度在25%(质量百分 比)，刻蚀温度介于60—90。C水浴, 一支回流管用于保持溶液的浓度不至因为水 气蒸发等而发生变化。刻蚀速率随着温度的升高而增加，刻蚀速率随着TMAH 的浓度增加而降低。
3、光学环形腔的制备，主要有两种方式
(l)高温熔融法；高温熔融主要用于二氧化硅环形腔的制备。采用高温电 弧、干净火焰、C02激光器中的一种来加热二氧化硅微盘。高温将二氧化硅微 盘熔融，在表面张力作用下形成较标准的环形腔，冷却后便是一个环形腔，其 环横截面直径d为4~8um。这种方法可以得到预期直径的、圓度高的环形腔， 其表面光滑、干净，有低的光WGM传输损耗。(2)溶胶一凝胶法。环形腔制备 后，其谐振频率就确定了 ，为了能对谐振频率进行调节，可以采用改变温度和应 力使环的半径R或折射率发生改变来调节谐振频率。4、其组装过程为
①锥光纤的放置首先将锥光纤固定在固定件上，固定件为一边开放的框 架，在两侧边框的开口端有固定锥光纤的槽，然后将此固定件和制作好的承载 基片l各固定在一个微调节架上，分别调节微调节架，同时在显微镜下观察锥 光纤与环形腔，让锥腰与环形腔相切，锥外部分落在V型槽内；②锥光纤放 入V型槽后，在锥外V型槽卡住的部分点上紫外固化胶，开起紫外曝光灯照射 紫外固化胶30秒，将锥光纤与环形腔相切固定，固定件与锥光纤分离。
实施例3,如图9所示， 一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，它由三条 光纤2制成的锥光纤、两个不同大小的环形腔3、 一个承载基片l组成，承载 基片1上刻蚀有三条平行的V型槽11和两个环形腔3，光纤2与环形腔3间隔 布置，相邻两条光纤的锥腰21与环形腔3水平中截面31的外圆32相切。两V 型槽中心间距为其中间的环形腔3的外环直径与锥光纤的锥腰21直径的和， 使用负型光刻胶进行光刻，掩模板的透光区图形如图9所示的阴影部分。利用 该锥光纤环形腔光梳状波分复用器可同时分复用两组不同间隔的光信号。其余 未述部分与上例相似。
权利要求
1、一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，其特征在于，它包括光纤(2)、环形腔(3)，环形腔(3)水平中截面(31)的外径大于光纤(2)的直径，每根光纤拉成中部细的锥型，形成锥光纤，光纤(2)与环形腔(3)间隔布置，相邻两条光纤的锥腰(21)与环形腔(3)水平中截面(31)的外圆(32)相切。
2、 根据权利要求l所述的一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，其特征在于， 它还有一个承载基片(1)，在承载基片(1)上制有若干条平行的能容纳光纤(2)的V型槽(11)，两V型槽中心间距为环形腔(3)的外环直径与锥光纤 的锥腰(21)直径的和，锥光纤(2)固定于V型槽(11)中，在两V型槽之 间的中部制有一个环形腔(3),相邻两条光纤的锥腰(21)与环形腔(3)水 平中截面(31)的外圆(32 )相切。
3、 根据权利要求2所述的一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，其特征在于， 承载基片(1)的材料选用晶向为〈100〉的单晶硅，V型槽(11)的顶部宽度大 于光纤外径的0. 82倍，最佳为1. 22倍。
4、 根据权利要求2所述的一种锥光纤微球型光分插复用器，其特征在于，它 由二条光纤(2)制成的锥光纤、 一个环形腔(3)、 一个承载基片(1)组成， 承载基片(1)上刻蚀有二条平行的V型槽(11)和一个环形腔(3 ), V型槽(11 ) 的顶部宽度为光纤外径的1. 22倍，锥光纤的锥腰(21)与环形腔(3 )的水平 中截面(31)在同一水平面上，相邻两条光纤的锥腰(21)分别与环形腔(3) 水平中截面(31)的外圆(32)相切。
5、 根据权利要求2所述的一种锥光纤环形腔型光分插复用器，其特征在于， 它由三条光纤(2)制成的锥光纤、两个环形腔(3)、 一个承栽基片(l)组成， 承载基片(1 )上刻蚀有三条平行的V型槽(11 )和两个环形腔(3), V型槽(11) 的顶部宽度为光纤外径的1. 22倍，锥光纤的锥腰(21)与环形腔(3 )的水平中截面(31)在同一水平面上，相邻两条光纤的锥腰(21)分别与环形腔(3) 水平中截面(31)的外圆(32 )相切。
6、 根据权利要求1所述的一种锥光纤环形腔型光分插复用器，其特征在于，环形腔(3)的半径及=_~^—= ~^~Mm,其中Au为信道间隔，C为光在真2加還 2朋Au空中的速度，n制作环形腔的介质折射率，FSR为环形腔自由光i瞽范围，乌其 最佳匹配的锥光纤锥腰直径为1. 5—3 pm。
7、 一种锥光纤环形腔光^^状波分复用器制造方法，包括锥光纤、环形腔(3)、 承载基片(1)的制作，其特征在于，承载基片(1)的制作方法为利用晶向 为〈100〉单晶硅的各向异性腐蚀特性制作V型槽(11)和Si02圆盘，制作工艺 为设计用于光刻的掩模板(15)，掩模板上的透光区图形为与V型槽(11) 的顶部宽度相同的长方形和以环形腔(3)外圆为边界向两边延伸10—200 inm 内圆外方的形状，其余部分为不透光区，制作过程为先将单晶硅用氧化法生 长出Si02层，涂正型光刻胶，烘干，盖上掩模板(15)，紫外线曝光，取走掩 模板(15)，对承载基片进行显影、漂洗、烘干、用氢氟酸腐蚀Si02,去除光 刻胶，用硅腐蚀物进行腐蚀，形成放置光纤的V型槽和制作环形腔的圆盘，环 形腔(3)的制作方法为将Si02圆盘用电弧或激光进行高温融化，在表面张 力作用下冷却后形成环形腔(3)。
8、 根据权利要求7所述的一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器制造方法，其 特征在于，其组装过程为①锥光纤的放置首先将锥光纤固定在固定件上，然 后将此固定件和制作好的承载基片各固定在一个微调节架上，分别调节微调节 架，同时在显微镜下观察锥光纤与环形腔，让锥腰与环形腔相切，锥外部分落 在V型槽内；②锥光纤放入V型槽后，在锥外V型槽卡住的部分点上紫外固 化胶，开起紫外曝光灯照射紫外固化胶30秒，将锥光纤与环形腔固定。
9、 一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器的封装工艺，其特征在于，封装时应选择温度特性与光纤与环形腔材料相匹配，折射率也应低于光纤折射率的材料 作为填充材料，可供采用的胶合剂有丙烯酸树脂、环氧树脂。
10、根据权利要求9所述的一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器的封装工艺， 其特征在于，封装材料选用硅弹性树脂、氟化聚合物、硅油和甘油，其中硅弹 性树脂能最适合于作填料兼包层材料。
全文摘要
本发明属于光导和其它光学元件的装置，尤其属于有多波长选择分复用功能装置的锥光纤环形腔光梳状波分复用器及其制造方法。本发明为一种锥光纤环形腔光梳状波分复用器，其结构要点在于它包括光纤、环形腔，环形腔水平中截面的外径大于光纤的直径，每根光纤拉成中部细的锥型，形成锥光纤，光纤与环形腔间隔布置，相邻两条光纤的锥腰与环形腔水平中截面的外圆相切。本发明的优点在于，对输入、输出光处理方便、简单，结构紧凑，耦合效率较高，信道损耗小，可实现光集成化，可工业化生产，实用性好。通过测试得知，对谐振波长锥光纤与环形腔间光的耦合效率可达90％。
文档编号H04B10/12GK101308232SQ20071000897
公开日2008年11月19日 申请日期2007年5月15日 优先权日2007年5月15日
发明者黄衍堂 申请人:福州大学