专利名称：发声装置的制作方法
技术领域：
发声装置技术领域[0001]本实用新型涉及电声领域，具体涉及一种发声装置。
背景技术：
[0002]现有技术中发声装直包括振动系统，磁路系统，以及收各固定振动系统和磁路系统的壳体。振动系统包括振膜和结合于振膜下侧的音圈。[0003]对于传统结构的振膜，其角部为直角结构，这种结构限制了振膜的尺寸，即限制了振膜的振动面积，不利于提高产品的声学性能。因此，有必要对这种结构的发声装置进行改进，以避免上述缺陷。因此，有必要对这种传统结构的振膜进行改进，以提高其声学性能。实用新型内容[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种发声装置，可以增加振膜的尺寸，增大振膜的振动面积，提高产品的声学性能。[0005]为了实现上述目的，本实用新型提供一种发声装置，包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈，所述振膜为矩形，其中，所述振膜的四个角部均设有定位部，所述定位部为倒斜角结构；所述壳体上对应于所述定位部的位置设有限位部，所述限位部也为对应的倒斜角结构。[0006]此外，优选的方案是，所述发声装置还设有与所述振膜结合的支撑环，所述支撑环对应于所述定位部的位置设有与·所述定位部形状相同的倒斜角结构。[0007]此外，优选的方案是，所述支撑环为环状结构结合于所述振膜的上侧边缘或下侧边缘。[0008]采用上述技术方案后，与传统结构相比，本实用新型采用这种振膜角部设置倒斜角结构的定位部的设计，可以增大振膜的尺寸，提高振膜的振动面积，从而提高产品的声学性能。
[0009]通过
以下结合附图对本实施例进行描述，本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。[0010]图I是本实用新型发声装置的立体分解图。[0011]图2是本实用新型发声装置的立体图。[0012]图3是图2所示发声装置的剖视图。
具体实施方式
[0013]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。[0014]如图I至图3所示，发声装置包括振动系统，磁路系统，以及收容固定振动系统和磁路系统的壳体I。如图3所不振动系统包括振膜21和结合于振膜21下侧的音圈23,为了提升振膜21的高频特性，在振膜21的上侧设置刚性的球顶部；磁路系统包括依次结合的华司31、磁铁32和下导磁板33。[0015]本实用新型振膜21为矩形结构，在矩形振膜21的四个角部设有定位部211，定位部211为倒斜角的结构；壳体I上对应于定位部211的位置设有限位部11，限位部11为对应的倒斜角结构，用于对振膜21进行定位。[0016]这种振膜21角部设置倒斜角结构的定位部211的设计，可以增大振膜21的尺寸， 提高振膜21的振动面积，从而提高产品的声学性能。此外，本实施例发声装置还设有支撑环22，支撑环22结合于振膜21上侧或下侧的边缘位置，用于保持振膜21的形状并且便于与壳体I的结合，在支撑环22的角部设有与定位部211形状相同的的倒斜角结构，以便于与振膜21的配合。在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进和变形，而这些改进和变形，都落在本实用新型的保护范围内，本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本实用新型的目的，本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。
权利要求1.一种发声装直，包括振动系统，磁路系统，以及收各固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈，所述振膜为矩形，其特征在于，所述振膜的四个角部均设有定位部，所述定位部为倒斜角结构；所述壳体上对应于所述定位部的位置设有限位部，所述限位部也为对应的倒斜角结构。
2.根据权利要求I所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置还设有与所述振膜结合的支撑环，所述支撑环对应于所述定位部的位置设有与所述定位部形状相同的倒斜角结构。
3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述支撑环为环状结构结合于所述振膜的上侧边缘或下侧边缘。
专利摘要本实用新型公开了一种发声装置，包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈，所述振膜为矩形，其中，所述振膜的四个角部均设有定位部，所述定位部为倒斜角结构；所述壳体上对应于所述定位部的位置设有限位部，所述限位部也为对应的倒斜角结构。这种结构可以增大振膜的尺寸，提高振膜的振动面积，从而提高产品的声学性能。
文档编号H04R9/06GK202799125SQ20122042422
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日
发明者张志兵, 王建建, 范双双, 徐江, 许超, 陈钢 申请人:歌尔声学股份有限公司