用于总线系统的用户站和用于在用户站的电磁兼容性的范围内提高抗扰度的方法与流程

文档序号:12289904阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于总线系统(1)的用户站(10;30),具有:

用于通过所述总线系统(1)向所述总线系统(1)的另外的用户站(20,30;10,20)发送消息(45,47)的发送装置(12),其中至少暂时地确保一个用户站(10,20,30)对所述总线系统(1)的总线(40)的单独的、无冲突的访问,和

开关装置(150,1400,1450),所述开关装置用于,当检测到在由所述发送装置(12)发送的消息上的HF信号分量并且对所述发送装置(12)实施用于在电磁兼容性的范围内测量抗扰度的方法时,关断所述发送装置(12)的电流限制功能。

2. 根据权利要求1所述的用户站(10;30),其中所述开关装置具有:

第一晶体管(1400),所述第一晶体管与用于所述总线系统(1)的信号CAN_L的输出电流镜(140)并行连接并且不具有电流限制功能,和

第二晶体管(1450),所述第二晶体管与用于所述总线系统(1)的信号CAN_H的输出电流镜(145)并行连接并且不具有电流限制功能。

3. 根据权利要求2所述的用户站(10;30),

其中所述开关装置(150,1400,1450)被构型用于,在所述信号CAN_L、CAN_H的消隐向主导的开关边沿经过之后接通所述第一和第二晶体管(1400,1450)并且在所述信号CAN_L、CAN_H的主导向消隐的开关边沿开始之前关断所述第一和第二晶体管(1400,1450),或者

其中所述开关装置(150,1400,1450)被构型用于,在所述信号CAN_L、CAN_H的消隐向主导的开关边沿处接通所述第一和第二晶体管(1400,1450)并且在所述信号CAN_L、CAN_H的主导向消隐的开关边沿处关断所述第一和第二晶体管(1400,1450)。

4.根据权利要求1或2所述的用户站(10;30),其中为了关断所述发送装置(12)的电流限制功能,所述开关装置(150,1400,1450)被构型成,使得所述信号CAN_L、CAN_H的边沿时间不改变。

5.根据以上权利要求中任一项所述的用户站(10;30),

其中所述发送装置(12)具有用于在所述总线系统(1)中平衡开关边沿的边沿控制装置(120),

其中所述边沿控制装置(120)具有:

用于产生在所述总线系统(1)的总线(40)上的额定电压变化的元件(121,122,124,125),

用于向所述总线(40)传递所产生的额定电压变化的电流镜(130),

其中用于产生所述额定电压变化的元件(121,122,124,125)包括密勒电容器(121),所述密勒电容器在一侧上连接到PMOS晶体管(124)上,并且在另外的侧上连接到电阻(125)上,和/或,

其中用于产生所述额定电压变化的元件(121,122,124,125)包括两个电流源(122),所述电流源连接到PMOS晶体管(124)上。

6.根据以上权利要求中任一项所述的用户站(10;30),其中所述边沿控制装置(120)包括两个电流源(122)、密勒电容器(121)、PMOS晶体管(124)和电阻(125),并且其中所述两个电流源(122)和所述密勒电容器(121)连接在所述PMOS晶体管(124)的栅极上。

7.根据权利要求5所述的用户站(10;30),其中所述电流镜(130)通过MOS高电压晶体管(141,146)与所述总线(40)连接。

8.根据以上权利要求中任一项所述的用户站(10;30),其中所述发送装置(12)此外具有反极性保护二极管(142)以用于针对所述总线系统(1)中主导的电平的电位保护电路和针对信号CAN_L保护反极性保护二极管(147)。

9. 一种总线系统(1),具有:

总线(40),和

至少两个用户站(10,20,30),所述用户站通过所述总线(40)相互连接,使得所述用户站能够相互通信,

其中至少两个用户站(10,20,30)中的至少一个为根据以上权利要求中任一项所述的用户站(10;30)。

10. 一种用于在总线系统(1)的用户站(10,30)的电磁兼容性的范围内提高抗扰度的方法,

其中发送装置(12)通过所述总线系统(1)向所述总线系统(1)的另外的用户站(20,30;10,20)发送消息(45,47),其中至少暂时地确保一个用户站(10,20,30)对所述总线系统(1)的总线(40)的单独的、无冲突的访问,并且

其中当检测到在由所述发送装置(12)发送的消息(45,47)上的HF信号分量(5)并且对所述发送装置(12)实施用于在电磁兼容性的范围内测量抗扰度的方法时,开关装置(150,1400,1450)关断所述发送装置(12)的电流限制功能。

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