技术总结
处理器与片外DRAM之间的高速数据链路利用脉冲振幅调制(PAM)信令来增大SoC中对于给定带宽和资源预算的数据率。然而，处理器与DRAM之间的传输线接口中使用的端接电阻器在PAM信令期间消耗大量功率。通过在接地与端接电阻器之间增加偏置源，端接电阻器用作确定信令电平的参考的“本底电压”可以被抬升。抬升本底电压降低了跨端接电阻器的电压量并且相应地降低功耗。偏置源被调节到PAM信令的最大振幅的各种增量。PAM信令的最大振幅的一半的本底电压在接收机中产生最小功耗。附加地，数据反相预编码可以与本底电压调节串接以进一步使接口的功率节省最大化。
技术研发人员：L·J·米什拉;T·M·霍利斯
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580037518
技术研发日：2015.05.15
技术公布日：2017.05.10