一种磁路系统、扬声器及移动终端的制作方法

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种磁路系统、一种扬声器及一种移动终端。

背景技术：

随着移动通信技术的发展，移动终端已经成为人们生活中不可或缺的一部分，实现了随时随地无障碍通话，并且，移动终端所包含的很多常用的功能，给人们生活带来便利。

在移动终端中，为了进行通话、播放歌曲等操作，基本会安装扬声器，即将电能转换为声音的换能器件。

在动圈式扬声器中，尤其是在微型的动圈式扬声器中，磁路系统是的重要结构组成部分，能够提供的磁能被音圈利用，产生声音。

当音圈离开磁路系统时，磁场的强度降低，音圈的受力也随之降低，容易造成比较明显的非线性失真，导致发出的声音产生浑浊、发毛、发沙、发破、发炸或者发硬等问题，音质变差。

如果通过增大磁能或者减小磁路间隙来加强磁场对于音圈的作用，受材料的限制，容易漏磁，不仅造成磁能浪费，而且影响周围的电子器件的正常运作。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种磁路系统，以解决如何在避免漏磁的前提下、改善非线性失真的问题。

第一方面，提供了一种磁路系统，所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司；

所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体；

所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中；

所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中；

在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构；

和/或，

在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构。

第一方面，提供了一种扬声器，所述扬声器包括振动系统和磁路系统；

所述振动系统包括振膜和音圈；

所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司；

所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体；

所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中；

所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中；

在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构，和/或，在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构；

所述振膜位于所述磁钢和所述华司之上，所述音圈悬挂在所述振膜之下；

所述音圈的两侧为所述第一尖端结构和/或所述第二尖端结构。

第三方面，提供了一种移动终端，所述移动终端包括上述的扬声器。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，和/或，在华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的剖面图；

图2是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图3是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图4是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图5是一种传统的磁路系统的磁路仿真的示例图；

图6是一种传统的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图；

图7是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图；

图8是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图；

图9是本发明的一种示例性实施例的扬声器的剖面图；

图10是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图；

图11是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图12是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图13是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图14是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图；

图15是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图；

图16是本发明的一种示例性实施例的扬声器的剖面图；

图17是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图；

图18是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图19是本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图；

图20是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图；

图21是本发明的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图；

图22是本发明的一种示例性实施例的扬声器的剖面图；

图23是本发明一个实施例的移动终端的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图1，示出了本发明的一种示例性实施例的磁路系统的剖面图。

如图1所示，该磁路系统100为内磁式结构，较外磁式结构漏磁小、体积小，适用于微型化的扬声器，以应用在移动终端(如手机、平板电脑等等)的受话器、耳机等零部件中。

该磁路系统100可以包括磁钢110(yoke)、磁石120(maghet)和华司130(washer/plate)。

磁钢110为U铁(U-Yoke)，材料多为SPCC(一般用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCD(冲压用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCE(深冲用冷轧碳素钢板及钢带)等，主要通过冲压制作。

磁钢110具有底座111和位于底座111上方的壁体112，通常情况下，底座111为圆形、壁体112为圆环形状，两者吻合，使得磁钢110呈筒形、其剖面图呈“U”形。

磁石120的材料为磁性材料，如铝镍钴和稀土类(如钕硼铁)等，用于产生磁能，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于底座111之上、壁体112包围的区域之中，磁石120一般与底座111直接接触，而与壁体112之间留有空隙，并非直接接触。

华司130又称上板、上片，一般由热轧钢板(含碳量)冲压而成，，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于磁石120之上、壁体112包围的区域之中，华司130一般与磁石120直接接触，而与壁体112之间留有空隙，并非直接接触。

在本发明实施例中，在壁体112内侧设置有至少一个朝向华司130的第一尖端结构113，即第一尖端结构113是壁体112的末端，体积较壁体112小。

如图2所示，华司130与壁体112之间形成磁路间隙140，又称磁隙(GAP)，第一尖端结构113的顶部面积小于壁体112在磁路间隙140中的表面积，第一尖端结构113的顶部面积小于华司130在磁路间隙140中的表面积。

为了保证磁场的导通效果，第一尖端结构113的至少部分结构位于磁路间隙140中，即第一尖端结构113可以有部分结构位于磁路间隙140外。

当第一尖端结构113的数量为两个或两个以上时，多个第一尖端结构113之间的距离(即第一个第一尖端结构113与最后一个第一尖端结构113之间的距离)大于或等于磁路间隙140的宽度，如第一尖端结构113之间的距离为磁路间隙140的宽度的1-1.5倍。

如图3所示，为了提高磁场的导通效果，华司130的边缘结构131可以超出磁石120的外侧边缘。

如图4所示，为了提高磁场的导通效果，壁体112在磁路间隙140中具有凸出结构1121，凸出结构1121超出壁体112的内侧边缘。

同时，为了方便生产，在一个示例中，可以通过开槽的方式设置第一尖端结构113，具体而言，可以在凸出结构1121中设置第一凹槽1122，以在第一凹槽1122两侧的结构形成第一尖端结构113。

在具体实现中，当磁石120充磁后，形成磁场，产生磁力，磁石120的两端有N(北)极、S(南)极，在磁石120内部，磁束是从S极到N极，外部是从N极到S极，磁钢110与华司120作为导磁的作用，即磁钢110通过第一尖端结构113与华司120之间导通磁场。

为使本领域技术人员更好地理解本发明实施例，以下通过具体的磁路仿真来说明本发明实施例的磁路系统。

一、对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图5所示。

其中，如图5所示的磁路间隙中一路线(即图5所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图6所示，其横轴为图5中该路线的位置(即图5所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图5所示，该路线中部磁场强度的值最高，有效的磁能集中分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度迅速降低。

音圈一般在如图5所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流值，L为音圈处在磁场中的长度。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度开始迅速降低，音圈处在磁场中的长度也变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力会急剧减小，音圈在离开磁路间隙较远时，动力较差，此时由于振动系统和阻尼的作用在增加，容易造成比较明显的非线性失真。

二、应用本发明实施例，对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图7所示。

其中，如图7所示的磁路间隙中一路线(即图7所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图8所示，其横轴为图8中该路线的位置(即图8所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图8所示，该路线中部磁场强度的值有所降低，但是，磁场的分布除了分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度衰减减慢，扩宽了有效磁能的分布。

音圈一般在如图7所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流强度，L为音圈处在磁场中的长度。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

实施例二

参照图9，示出了本发明的一种示例性实施例的扬声器的剖面图。

如图9所示，扬声器900包括振动系统、磁路系统和支撑系统等结构。

其中，支撑系统包括盆架、垫圈、防尘盖、端子板、引线等结构。

盆架，是使各部分(振动系统、磁路系统和支撑系统等)结合在一起，起着整体附着和连接的作用。

防尘帽，主要用于防止灰尘及其它杂物进入磁路系统以及美观的用于。对音质表现部分主控高频表现，音材质软硬/弧度大小而异，材质有Mylar(聚酯薄膜)、绢布、铝等等。

垫圈，主要用于让振膜和盆架更好地黏合，以及扬声器边缘高度的控制。

端子板，主要是起焊接外接引线，是外接线和音圈的连接部件。

引线，主要起银泉与端子板连接的作用。

振动系统包括振膜950、音圈940和弹波等结构。

振膜，包括铝膜、陶瓷膜、蚕丝膜、钛膜、铍膜等等，藉由推动振膜的快慢，来产生高低频率。

音圈由金属丝圈依圆周方式缠绕，可以导通电流。

弹波又称阻尼器，定心支片，主要有制动作用和中心保持作用。它可以使音圈在磁隙内运动时，不致磁到磁钢或磁铁。

当然，上述扬声器的结构只是作为示例，在实施本发明实施例时，可以根据实际情况设置其他扬声器的结构，本发明实施例对此不加以限制。另外，除了上述扬声器的结构外，本领域技术人员还可以根据实际需要采用其它扬声器的结构，本发明实施例对此也不加以限制。

磁路系统包括磁钢910、磁石920和华司930等结构。

其中，磁钢910具有底座911和位于底座911上方的壁体912。

磁石920位于底座911之上、壁体912所包围的区域之中。

华司930位于磁石920之上、壁体912所包围的区域之中。

在本发明实施例中，在壁体912内侧设置有至少一个朝向华司930的第一尖端结构913。

振膜950位于磁钢910和华司930之上，音圈940悬挂在振膜950之下。

音圈950一侧为磁钢910的第一尖端结构913，另一侧为华司930。

在本发明的一个实施例中，华司930与壁体912之间形成磁路间隙，第一尖端结构913的顶部面积小于壁体912在磁路间隙中的表面积，第一尖端结构913的顶部面积小于华司930在磁路间隙中的表面积。

在本发明的一个实施例中，华司930与壁体912之间形成磁路间隙，第一尖端结构913的至少部分结构位于磁路间隙中。

在本发明的一个实施例中，当第一尖端结构913的数量为两个或两个以上时，多个第一尖端结构913之间的距离大于或等于磁路间隙的宽度。

在本发明的一个实施例中，华司930的边缘结构超出磁石920的外侧边缘。

在本发明实施例的一个示例中，壁体912在磁路间隙中具有凸出结构，凸出结构超出壁体912的内侧边缘；

在凸出结构中设置第一凹槽，以在第一凹槽两侧的结构形成第一尖端结构913。

当磁石920充磁后，形成磁场，磁钢910通过第一尖端结构913与华司930之间导通磁场。

音圈940引出两根引线焊接至端子板，端子板与外部电信号接通，变化的电流进入音圈940。

当电流进入音圈940时，音圈940在第一尖端结构913与华司930之间导通的磁场中受力，推动振膜950往复运动，压缩空气，产生声音。

在本发明实施例中，由于磁路系统与实施例一的应用基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见实施例一的部分说明即可，本发明实施例在此不加以详述。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

实施例三

参照图10，示出了本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图。

如图10所示，该磁路系统1000为内磁式结构，较外磁式结构漏磁小、体积小，适用于微型化的扬声器，以应用在移动终端(如手机、平板电脑等等)的受话器、耳机等零部件中。

该磁路系统1000可以包括磁钢1010(yoke)、磁石1020(maghet)和华司1030(washer/plate)。

磁钢1010为U铁(U-Yoke)，材料多为SPCC(一般用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCD(冲压用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCE(深冲用冷轧碳素钢板及钢带)等，主要通过冲压制作。

磁钢1010具有底座1011和位于底座1011上方的壁体1012，通常情况下，底座1011为圆形、壁体1012为圆环形状，两者吻合，使得磁钢1010呈筒形、其剖面图呈“U”形。

磁石1020的材料为磁性材料，如铝镍钴和稀土类(如钕硼铁)等，用于产生磁能，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于底座1011之上、壁体1012包围的区域之中，磁石1020一般与底座1011直接接触，而与壁体1012之间留有空隙，并非直接接触。

华司1030又称上板、上片，一般由热轧钢板(含碳量)冲压而成，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于磁石1020之上、壁体1012包围的区域之中，华司1030一般与磁石1020直接接触，而与壁体1012之间留有空隙，并非直接接触。

在本发明实施例中，在华司1030中外侧置有至少一个朝向磁钢1010的第二尖端结构1031，即第二尖端结构1031是华司1030的末端，体积较华司1030小。

如图11所示，华司1030与壁体1012之间形成磁路间隙1040，又称磁隙(GAP)，第二尖端结构1031的顶部面积小于华司1030在磁路间隙1040中的表面积，第二尖端结构1031的顶部面积小于壁体1012在磁路间隙1040中的表面积。

为了保证磁场的导通效果，第二尖端结构1031的至少部分结构位于磁路间隙1040，即第二尖端结构1031可以有部分结构位于磁路间隙1040外。

当第二尖端结构1031的数量为两个或两个以上时，多个第二尖端结构1031之间的距离(即第一个第二尖端结构1031与最后一个第二尖端结构1031之间的距离)大于或等于磁路间隙1040的宽度，如第二尖端结构1031之间的距离为磁路间隙1040的宽度的1-1.5倍。

如图12所示，为了提高磁场的导通效果，壁体1012在磁路间隙1040中具有凸出结构1013，凸出结构1013超出壁体1012的内侧边缘。

如图13所示，为了提高磁场的导通效果，华司1030的边缘结构1032超出磁石1020的外侧边缘。

同时，为了方便生产，在一个示例中，可以通过开槽的方式设置第二尖端结构1031，具体而言，可以在边缘结构1032中设置有第二凹槽1033，以在第二凹槽1033两侧的结构形成第二尖端结构1031。

在具体实现中，当磁石1720充磁后，形成磁场，产生磁力，磁石1720的两端有N(北)极、S(南)极，在磁石1720内部，磁束是从S极到N极，外部是从N极到S极，磁钢1710与华司1730作为导磁的作用，即华司1030通过第二尖端结构1031与磁钢1010之间导通磁场。

为使本领域技术人员更好地理解本发明实施例，以下通过具体的磁路仿真来说明本发明实施例的磁路系统。

一、对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图5所示。

其中，如图5所示的磁路间隙中一路线(即图5所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图6所示，其横轴为图5中该路线的位置(即图5所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图5所示，该路线中部磁场强度的值最高，有效的磁能集中分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度迅速降低。

音圈一般在如图5所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流值，L为音圈处在磁场中的长度。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度开始迅速降低，音圈处在磁场中的长度也变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力会急剧减小，音圈在离开磁路间隙较远时，动力较差，此时由于振动系统和阻尼的作用在增加，容易造成比较明显的非线性失真。

二应用本发明实施例，对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图14所示。

其中，如图14所示的磁路间隙中一路线(即图14所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图15所示，其横轴为图15中该路线的位置(即图8所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图15所示，该路线中部磁场强度的值有所降低，但是，磁场的分布除了分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度衰减减慢，扩宽了有效磁能的分布。

音圈一般在如图14所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流强度，L为音圈处在磁场中的长度。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在华司外侧设置有至少一个朝向磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

实施例四

参照图16，示出了本发明的另一种示例性实施例的扬声器的剖面图。

如图16所示，扬声器1600包括振动系统、磁路系统和支撑系统等结构。

其中，支撑系统包括盆架、垫圈、防尘盖、端子板、引线等结构。

盆架，是使各部分(振动系统、磁路系统和支撑系统等)结合在一起，起着整体附着和连接的作用。

防尘帽，主要用于防止灰尘及其它杂物进入磁路系统以及美观的用于。对音质表现部分主控高频表现，音材质软硬/弧度大小而异，材质有Mylar(聚酯薄膜)、绢布、铝等等。

垫圈，主要用于让振膜和盆架更好地黏合，以及扬声器边缘高度的控制。

端子板，主要是起焊接外接引线，是外接线和音圈的连接部件。

引线，主要起银泉与端子板连接的作用。

振动系统包括振膜1650、音圈1640和弹波等结构。

振膜，包括铝膜、陶瓷膜、蚕丝膜、钛膜、铍膜等等，藉由推动振膜的快慢，来产生高低频率。

音圈由金属丝圈依圆周方式缠绕，可以导通电流。

弹波又称阻尼器，定心支片，主要有制动作用和中心保持作用。它可以使音圈在磁隙内运动时，不致磁到磁钢或磁铁。

当然，上述扬声器的结构只是作为示例，在实施本发明实施例时，可以根据实际情况设置其他扬声器的结构，本发明实施例对此不加以限制。另外，除了上述扬声器的结构外，本领域技术人员还可以根据实际需要采用其它扬声器的结构，本发明实施例对此也不加以限制。

磁路系统包括磁钢1610、磁石1620和华司1630等结构。

其中，磁钢1610具有底座1611和位于底座1611上方的壁体1612。

磁石1620位于底座1611之上、壁体1612包围的区域之中。

华司1630位于磁石1620之上、壁体1612包围的区域之中。

在本发明实施例中，在华司1630外侧设置有至少一个朝向磁钢1610的第二尖端结构1631。

振膜1650位于磁钢1610和华司1630之上，音圈1640悬挂在振膜1650之下。

音圈1650一侧为磁钢1610，另一侧为华司1630的第二尖端结构1631。

在本发明的一个实施例中，华司1630与壁体1610之间形成磁路间隙，第二尖端结构1631的顶部面积小于华司1630在磁路间隙中的表面积，第二尖端结构1631的顶部面积小于壁体1610在磁路间隙中的表面积。

在本发明的一个实施例中，华司1630与壁体1610之间形成磁路间隙，第二尖端结构1631的至少部分结构位于磁路间隙中。

在本发明的一个实施例中，当第二尖端结构1631的数量为两个或两个以上时，多个第二尖端结构1631之间的距离大于或等于磁路间隙的宽度。

在本发明的一个实施例中，壁体1610在磁路间隙中具有凸出结构，凸出结构超出所述壁体的内侧边缘。

在本发明的一个实施例中，华司1630的边缘结构超出磁石1620的外侧边缘。

在边缘结构中设置有第二凹槽，以第二凹槽两侧的结构形成第二尖端结构1631。

当磁石1620充磁后，形成磁场，华司1630通过第二尖端结构1631与磁钢1620之间导通磁场。

音圈1640引出两根引线焊接至端子板，端子板与外部电信号接通，变化的电流进入音圈1640。

当电流进入音圈1640时，音圈1640在第二尖端结构1631与磁钢1620之间导通的磁场中受力，推动振膜1650往复运动，产生声音。

在本发明实施例中，由于磁路系统与实施例三的应用基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见实施例三的部分说明即可，本发明实施例在此不加以详述。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在华司外侧设置有至少一个朝向磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

实施例五

参照图17，示出了本发明的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图。

如图17所示，该磁路系统1700为内磁式结构，较外磁式结构漏磁小、体积小，适用于微型化的扬声器，以应用在移动终端(如手机、平板电脑等等)的受话器、耳机等零部件中。

该磁路系统1700可以包括磁钢1710(yoke)、磁石1720(maghet)和华司1730(washer/plate)。

磁钢1710为U铁(U-Yoke)，材料多为SPCC(一般用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCD(冲压用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCE(深冲用冷轧碳素钢板及钢带)等，主要通过冲压制作。

磁钢1710具有底座1711和位于底座1711上方的壁体1712，通常情况下，底座1711为圆形、壁体1712为圆环形状，两者吻合，使得磁钢1710呈筒形、其剖面图呈“U”形。

磁石1720的材料为磁性材料，如铝镍钴和稀土类(如钕硼铁)等，用于产生磁能，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于底座1711之上、壁体1712包围的区域之中，磁石1720一般与底座1711直接接触，而与壁体1712之间留有空隙，并非直接接触。

华司1730又称上板、上片，一般由热轧钢板(含碳量)冲压而成，，形状大多为圆形、椭圆形，也有组装需要及特殊设计成异型，如方形、三角形等，位于磁石1720之上、壁体1712包围的区域之中，华司1730一般与磁石1720直接接触，而与壁体1712之间留有空隙，并非直接接触。

在本发明实施例中，在壁体1712内侧设置有至少一个朝向华司1730的第一尖端结构1713，即第一尖端结构1713是壁体1712的末端，体积较壁体1712小。

在华司1730外侧设置有至少一个朝向磁钢1710的第二尖端结构1731，即第二尖端结构1731是华司1730的末端，体积较华司1730小。

在具体实现中，第一尖端结构1713和所述第二尖端结构1731数量相等、位置相对。

如图18所示，华司1730与壁体1712之间形成磁路间隙1740，又称磁隙(GAP)，第一尖端结构1713的顶部面积小于壁体1712在磁路间隙1740中的表面积，第一尖端结构1713的顶部面积小于华司1730在磁路间隙1740中的表面积。

第二尖端结构1731的顶部面积小于华司1730在磁路间隙1740中的表面积，第二尖端结构1731的顶部面积小于壁体1712在磁路间隙1740中的表面积。

为了保证磁场的导通效果，第一尖端结构1713的至少部分结构位于磁路间隙1740中，即第一尖端结构1713可以有部分结构位于磁路间隙1740外。

第二尖端结构1731的至少部分结构位于磁路间隙1740，即第二尖端结构1731可以有部分结构位于磁路间隙1740外。

当第一尖端结构1713的数量为两个或两个以上时，多个第一尖端结构1713之间的距离(即第一个第一尖端结构1713与最后一个第一尖端结构1713之间的距离)大于或等于磁路间隙1740的宽度，如第一尖端结构1713之间的距离为磁路间隙1740的宽度的1-1.5倍。

当第二尖端结构1731的数量为两个或两个以上时，多个第二尖端结构1731之间的距离(即第一个第二尖端结构1731与最后一个第二尖端结构1731之间的距离)大于或等于磁路间隙1740的宽度，如第二尖端结构1731之间的距离为磁路间隙1740的宽度的1-1.5倍。

如图19所示，为了提高磁场的导通效果，壁体1712在磁路间隙1740中具有凸出结构17121，凸出结构17121超出壁体1712的内侧边缘。

同时，为了方便生产，在一个示例中，可以通过开槽的方式设置第一尖端结构1713，具体而言，可以在凸出结构17121中设置第一凹槽17122，以在第一凹槽17122两侧的结构形成第一尖端结构1713。

为了提高磁场的导通效果，华司1730的边缘结构1732超出磁石1720的外侧边缘。

同时，为了方便生产，在一个示例中，可以通过开槽的方式设置第二尖端结构1731，具体而言，可以在边缘结构1732中设置有第二凹槽1733，以在第二凹槽1733两侧的结构形成第二尖端结构1731。

在具体实现中，当磁石120充磁后，形成磁场，产生磁力，磁石120的两端有N(北)极、S(南)极，在磁石120内部，磁束是从S极到N极，外部是从N极到S极，磁钢110与华司120作为导磁的作用，即即磁钢1710通过第一尖端结构1713、华司1730通过第二尖端结构1731导通磁场。

为使本领域技术人员更好地理解本发明实施例，以下通过具体的磁路仿真来说明本发明实施例的磁路系统。

一、对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图5所示。

其中，如图5所示的磁路间隙中一路线(即图5所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图6所示，其横轴为图5中该路线的位置(即图5所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图5所示，该路线中部磁场强度的值最高，有效的磁能集中分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度迅速降低。

音圈一般在如图5所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流值，L为音圈处在磁场中的长度。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度开始迅速降低，音圈处在磁场中的长度也变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力会急剧减小，音圈在离开磁路间隙较远时，动力较差，此时由于振动系统和阻尼的作用在增加，容易造成比较明显的非线性失真。

二、应用本发明实施例，对传统的磁路系统进行磁路仿真，其磁场分布如图20所示。

其中，如图20所示的磁路间隙中一路线(即图20所示磁路间隙中的线段)的磁场强度如图21所示，其横轴为图21中该路线的位置(即图21所示磁路间隙中的线段的一端为位置0，另一端为位置4)、纵轴为磁场强度。

如图21所示，该路线中部磁场强度的值有所降低，但是，磁场的分布除了分布在磁路间隙中，若超出了磁路间隙的范围，磁场强度衰减减慢，扩宽了有效磁能的分布。

音圈一般在如图21所示的磁路间隙中的该路线运动，其受力可以通过如下公式计算：

F＝BIL

其中，F为安培力、B为磁场强度、I为音圈中的电流强度，L为音圈处在磁场中的长度。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，以及，在华司外侧设置有至少一个朝向磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

实施例六

参照图22，示出了本发明的另一种示例性实施例的扬声器的剖面图。

如图22所示，扬声器2200包括振动系统、磁路系统和支撑系统等结构。

其中，支撑系统包括盆架、垫圈、防尘盖、端子板、引线等结构。

盆架，是使各部分(振动系统、磁路系统和支撑系统等)结合在一起，起着整体附着和连接的作用。

防尘帽，主要用于防止灰尘及其它杂物进入磁路系统以及美观的用于。对音质表现部分主控高频表现，音材质软硬/弧度大小而异，材质有Mylar(聚酯薄膜)、绢布、铝等等。

垫圈，主要用于让振膜和盆架更好地黏合，以及扬声器边缘高度的控制。

端子板，主要是起焊接外接引线，是外接线和音圈的连接部件。

引线，主要起银泉与端子板连接的作用。

振动系统包括振膜2250、音圈2240和弹波等结构。

振膜，包括铝膜、陶瓷膜、蚕丝膜、钛膜、铍膜等等，藉由推动振膜的快慢，来产生高低频率。

音圈由金属丝圈依圆周方式缠绕，可以导通电流。

弹波又称阻尼器，定心支片，主要有制动作用和中心保持作用。它可以使音圈在磁隙内运动时，不致磁到磁钢或磁铁。

当然，上述扬声器的结构只是作为示例，在实施本发明实施例时，可以根据实际情况设置其他扬声器的结构，本发明实施例对此不加以限制。另外，除了上述扬声器的结构外，本领域技术人员还可以根据实际需要采用其它扬声器的结构，本发明实施例对此也不加以限制。

磁路系统包括磁钢2210、磁石2220和华司2230等结构。

其中，磁钢2210具有底座2211和位于底座2211上方的壁体2212。

磁石2220位于底座2211之上、壁体2212包围的区域之中。

华司2230位于磁石2220之上、壁体2212包围的区域之中。

在壁体2212内侧设置有至少一个朝向华司2230的第一尖端结构2213，以及，在华司2230外侧设置有至少一个朝向磁钢2210的第二尖端结构2231。

在本发明的一个实施例中，华司2230与壁体2212之间形成磁路间隙，第一尖端结构2213的顶部面积小于壁体2212在磁路间隙中的表面积，第一尖端结构2213的顶部面积小于华司2230在磁路间隙中的表面积；

第二尖端结构2231的顶部面积小于华司2230在磁路间隙中的表面积，第二尖端结构3321的顶部面积小于壁体2212在磁路间隙中的表面积。

在本发明的一个实施例中，华司2230与壁体2212之间形成磁路间隙，第一尖端结构2213的至少部分结构位于磁路间隙中；

第二尖端结构2231的至少部分结构位于磁路间隙中。

在本发明的一个实施例中，当第一尖端结构2213的数量为两个或两个以上时，多个第一尖端结构2213之间的距离大于或等于磁路间隙的宽度；

当第二尖端结构2231的数量为两个或两个以上时，多个第二尖端结构2231之间的距离大于或等于磁路间隙的宽度。

在本发明的一个实施例中，第一尖端结构2213和第二尖端结构2231数量相等、位置相对。

在本发明的一个实施例中，壁体2212在磁路间隙中具有凸出结构，凸出结构超出壁体2210的内侧边缘；

在凸出结构中设置有第一凹槽，以在第一凹槽两侧的结构形成第一尖端结构2213。

在本发明的一个实施例中，华司2230的边缘结构超出磁石2220的外侧边缘；

在边缘结构中设置有第二凹槽，以在第二凹槽两侧的结构形成第二尖端结构2231。

当磁石2220充磁后，形成磁场，磁钢2210通过第一尖端结构2213、华司2230通过第二尖端结构2231导通磁场。

音圈2240引出两根引线焊接至端子板，端子板与外部电信号接通，变化的电流进入音圈2240。

当电流进入音圈2240时，音圈2240在第一尖端结构2213与第二尖端结构2231之间导通的磁场中受力，推动振膜2250往复运动，产生声音。

在本发明实施例中，由于磁路系统与实施例五的应用基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见实施例五的部分说明即可，本发明实施例在此不加以详述。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，以及，在华司外侧设置有至少一个朝向磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

图23是本发明一个实施例的移动终端的结构示意图。具体地，图23中的移动终端2300可以为手机、平板电脑、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)、或车载电脑等。

图23中的移动终端2300包括射频(RadioFrequency，RF)电路2310、存储器2320、输入单元2330、显示单元2340、处理器2360、音频电路2370、WiFi(WirelessFidelity)模块2380和电源2390。

其中，输入单元2330可用于接收用户输入的数字或字符信息，以及产生与移动终端2300的用户设置以及功能控制有关的信号输入。具体地，本发明实施例中，该输入单元2330可以包括触控面板2331。触控面板2331，也称为触摸屏，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板2331上的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的，触控面板2331可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给该处理器2360，并能接收处理器2360发来的命令并加以执行。此外，可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板2331。除了触控面板2331，输入单元2330还可以包括其他输入设备2332，其他输入设备2332可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。

其中，显示单元2340可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及移动终端2300的各种菜单界面。显示单元2340可包括显示面板2341，可选的，可以采用LCD或有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)等形式来配置显示面板2341。

应注意，触控面板2331可以覆盖显示面板2341，形成触摸显示屏，当该触摸显示屏检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器2360以确定触摸事件的类型，随后处理器2360根据触摸事件的类型在触摸显示屏上提供相应的视觉输出。

触摸显示屏包括应用程序界面显示区及常用控件显示区。该应用程序界面显示区及该常用控件显示区的排列方式并不限定，可以为上下排列、左右排列等可以区分两个显示区的排列方式。该应用程序界面显示区可以用于显示应用程序的界面。每一个界面可以包含至少一个应用程序的图标和/或widget桌面控件等界面元素。该应用程序界面显示区也可以为不包含任何内容的空界面。该常用控件显示区用于显示使用率较高的控件，例如，设置按钮、界面编号、滚动条、电话本图标等应用程序图标等。

其中处理器2360是移动终端2300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个手机的各个部分，通过运行或执行存储在第一存储器2321内的软件程序和/或模块，以及调用存储在第二存储器2322内的数据，执行移动终端2300的各种功能和处理数据，从而对移动终端2300进行整体监控。可选的，处理器2360可包括一个或多个处理单元。

在本发明实施例中，音频电路2370包括扬声器，所述扬声器包括振动系统和磁路系统；

所述振动系统包括振膜和音圈；

所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司；

所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体；

所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中；

所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中；

在所述壁体中设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构；和/或，在所述华司中设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构

所述振膜位于所述磁钢和所述华司之上，所述音圈悬挂在所述振膜之下；

所述音圈的两侧为所述第一尖端结构和/或所述第二尖端结构。

可选地，所述华司与所述壁体之间形成磁路间隙，所述第一尖端结构的顶部面积小于所述壁体在所述磁路间隙中的表面积，所述第一尖端结构的顶部面积小于所述华司在所述磁路间隙中的表面积；

所述华司与所述壁体之间形成磁路间隙，所述第二尖端结构的顶部面积小于所述华司在所述磁路间隙中的表面积，所述第二尖端结构的顶部面积小于所述壁体在所述磁路间隙中的表面积。

可选地，所述华司与所述壁体之间形成磁路间隙，所述第一尖端结构的至少部分结构位于所述磁路间隙中，所述第二尖端结构的至少部分结构位于所述磁路间隙中。

可选地，当所述第一尖端结构的数量为两个或两个以上时，多个所述第一尖端结构之间的距离大于或等于所述磁路间隙的宽度；

当所述第二尖端结构的数量为两个或两个以上时，多个所述第二尖端结构之间的距离大于或等于所述磁路间隙的宽度。

可选地，所述华司的边缘结构超出所述磁石的外侧边缘。

可选地，所述壁体在所述磁路间隙中具有凸出结构，所述凸出结构超出所述壁体的内侧边缘；

在所述凸出结构中设置第一凹槽，以子啊所述第一凹槽两侧的结构形成第一尖端结构。

可选地，所述壁体在所述磁路间隙中具有凸出结构，所述凸出结构超出所述壁体的内侧边缘。

可选地，所述华司的边缘结构超出所述磁石的外侧边缘；

在所述边缘结构中设置有第二凹槽，以在所述第二凹槽两侧的结构为第二尖端结构。

可选地，所述第一尖端结构和所述第二尖端结构数量相等、位置相对。

这样，本发明实施例中，利用磁的尖端聚集现象，在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构，和/或，在华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构，从而到达引导磁场的效果，磁场在导磁介质中通过，对于尖锐的部位，引起的物理效应会更强，即磁场强度会增强。

当音圈位置离开磁路间隙之后，磁场强度降低缓慢，音圈处在磁场中的长度变小，在音圈中的电流值不变的情况下，音圈所受的安培力缓慢减小，可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡，而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大，让音圈在离开磁路间隙较远时，也能够有较好的动力，提高喇叭的灵敏度，减缓非线性失真。

并且，对磁路系统并没有进行大的改造，没有对增大磁能或者减少磁路间隙，来加强磁场对于音圈的作用，因此，避免了漏磁，从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。