技术特征：
技术总结
本发明公开了一种五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器，该混沌信号发生器是通过在经典蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感，并直接采用非理想压控忆阻替换经典蔡氏电路中的非线性电阻元件——蔡氏二极管来实现的。电路包括两部分：经典蔡氏电路和非理想压控忆阻等效实现电路。本发明设计的一种五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器通过调节电路元件参数即可产生混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象，使其成为了一类新型的混沌信号发生器。产生的混沌信号稳定性强，具有显著的混沌特性，对忆阻混沌电路在实际工程应用中的发展起到较大的推进作用。
技术研发人员：林毅;刘文波
受保护的技术使用者：南京航空航天大学
技术研发日：2017.11.24
技术公布日：2018.03.20