一种分频喇叭的制作方法

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一种分频喇叭的制作方法

本实用新型涉及耳机音响领域,确切地说是指一种分频喇叭。



背景技术:

现有喇叭通常设为一个磁铁贴合在喇叭腔体里面,再结合一张振动膜在磁路上方,再装上护盖来保护振动膜。现在技术的缺点:由于现有的喇叭振动膜是设计在一张膜片上,喇叭内腔只有单磁和单音圈来驱动声音,不能把音乐中的低、高频很好地区分开,从而影响了喇叭输出声音的品质,不能同时很好地输出低频和高频音乐部分,声音动态差,没有层次感,有了低音效果就没有了高音,有了高频音域就会失去低音部份。



技术实现要素:

针对上述缺陷,本实用新型解决的技术问题在于提供一种分频喇叭,可以同时输出低频和高频声音效果,使声音更有层次感,具有高音清晰、低音丰满的优点。

为了解决以上的技术问题,本实用新型提供的分频喇叭,包括基板、磁框、第一磁铁、第一华司、第一音圈、第一振膜、前盖、第二磁铁、第二华司、第二音圈、第二振膜和护盖,其中:

所述基板设置在所述磁框上面,所述磁框的下部设置有第一空腔,所述磁框的第一空腔内放置有所述第一磁铁和所述第一华司,所述第一磁铁和所述第一华司为上下结构,所述第一音圈套接在所述第一磁铁和所述第一华司的外围,所述第一振膜设置在所述磁框的第一空腔的开口处,所述第一振膜为环形结构,所述第一振膜的中部为中空结构;

所述前盖设置的下部有第二空腔,所述第二空腔内放置有所述第二磁铁和所述第二华司,所述第二磁铁和所述第二华司为上下结构,所述第二音圈套接在所述第二磁铁和所述第二华司的外围,所述第二振膜设置在所述前盖的第二空腔的开口处;

所述前盖的上部设置有第三空腔,所述前盖的上部与所述磁框的下部盖合在一起;

所述护盖盖在所述前盖的下部。

优选地,所述第一振膜包括第一膜片内环、第一膜片外环和第一膜片,所述第一膜片内环与所述第一华司连接,所述第一膜片外环设置在所述磁框的第一空腔的内边缘处,所述第一膜片覆盖在所述第一膜片内环和所述第一膜片外环之间的区域,所述第一膜片与所述第一音圈连接。

优选地,所述第二振膜包括第二膜片外环和第二膜片,所述第二膜片外环设置在所述前盖的第二空腔的内边缘处,所述第二膜片覆盖所述第二膜片外环内的区域,所述第二膜片与所述第二音圈连接。

优选地,所述磁框的第一空腔为圆形空腔,所述前盖的第二空腔为圆形空腔,所述第一空腔、所述第二空腔、所述第一磁铁、第二磁铁、第一华司和第二华司的圆心重合在一起。

优选地,所述磁框的第一空腔的直径大于所述第一磁铁和第一华司的直径,从而使所述第一磁铁和第一华司与所述磁框的第一空腔之间形成一个环形间隙。

优选地,所述第一音圈设置在所述第一磁铁、第一华司与所述磁框的第一空腔之间的环形间隙内。

优选地,所述前盖的第二空腔的直径大于所述第二磁铁和第二华司的直径,从而使所述第二磁铁和第二华司与所述前盖的第二空腔之间形成一个环形间隙。

优选地,所述第二音圈设置在所述第二磁铁、第二华司与所述前盖的第二空腔之间的环形间隙内。

优选地,所述前盖设置有多个低频气流出音小孔,所述护盖设置有一个高频气流中孔,所述前盖的低频气流出音小孔和所述护盖的高频气流中孔为同一朝向。

本实用新型提供的分频喇叭,基板设置在磁框上面,磁框的下部设置有第一空腔,磁框的第一空腔内放置有第一磁铁和第一华司,第一磁铁和第一华司为上下结构,第一音圈套接在第一磁铁和第一华司的外围,第一振膜设置在磁框的第一空腔的开口处,第一振膜为环形结构,第一振膜的中部为中空结构;前盖设置的下部有第二空腔,第二空腔内放置有第二磁铁和第二华司,第二磁铁和第二华司为上下结构,第二音圈套接在第二磁铁和第二华司的外围,第二振膜设置在前盖的第二空腔的开口处。喇叭的振膜为一分二,将低频与高频之间振膜分隔成两部份,第二音圈内围部份作为高频率振动设计,第一音圈外围部份作为低频振动设计,第一振膜部份设置在喇叭磁框的磁路之下,第二振膜设置在喇叭前盖之中,一只喇叭内同时设计有双磁和双动圈驱动。与现有技术相比,本实用新型提供的分频喇叭,振动音膜分隔成第一振膜和第二振膜,第一振膜和第二振膜分别对应低频振膜和高频振膜两部份,设置双动圈和双磁来驱动低频振膜和高频振膜,可以同步输出低频和高频音乐效果,使声音更有层次感,具有高音清晰、低音丰满的优点。

附图说明

图1为本实用新型实施例中包括分频喇叭的耳机结构示意图;

图2为本实用新型实施例中分频喇叭的分解结构图。

具体实施方式

为了本领域的技术人员能够更好地理解本实用新型所提供的技术方案,下面结合具体实施例进行阐述。

请参见图1-图2,图1为本实用新型实施例中包括分频喇叭的耳机结构示意图;图2为本实用新型实施例中分频喇叭的分解结构图。

本实施例提供的分频喇叭,包括基板S101、磁框S102、第一磁铁S103、第一华司S104、第一音圈S105、第一振膜M100、前盖S109、第二磁铁S110、第二华司S111、第二音圈S112、第二振膜M200和护盖S115,其中:

基板S101设置在磁框S102上面,磁框S102的下部设置有第一空腔S116,磁框S102的第一空腔S116内放置有第一磁铁S103和第一华司S104,第一磁铁S103和第一华司S104为上下结构,第一音圈S105套接在第一磁铁S103和第一华司S104的外围,第一振膜M100设置在磁框S102的第一空腔S116的开口处,第一振膜M100为环形结构,第一振膜M100的中部为中空结构;

前盖S109设置的下部有第二空腔S117,第二空腔S117内放置有第二磁铁S110和第二华司S111,第二磁铁S110和第二华司S111为上下结构,第二音圈S112套接在第二磁铁S110和第二华司S111的外围,第二振膜M200设置在前盖S109的第二空腔S117的开口处;

前盖S109的上部设置有第三空腔S118,前盖S109的上部与磁框S102的下部盖合在一起;

护盖S115盖在前盖S109的下部。

第一振膜M100包括第一膜片S108内环S106、第一膜片S108外环S107和第一膜片S108,第一膜片S108内环S106与第一华司S104连接,第一膜片S108外环S107设置在磁框S102的第一空腔S116的内边缘处,第一膜片S108覆盖在第一膜片S108内环S106和第一膜片S108外环S107之间的区域,第一膜片S108与第一音圈S105连接。

第二振膜M200包括第二膜片S114外环和第二膜片S114,第二膜片S114外环设置在前盖S109的第二空腔S117的内边缘处,第二膜片S114覆盖第二膜片S114外环内的区域,第二膜片S114与第二音圈S112连接。

磁框S102的第一空腔S116为圆形空腔,前盖S109的第二空腔S117为圆形空腔,第一空腔S116、第二空腔S117、第一磁铁S103、第二磁铁S110、第一华司S104和第二华司S111的圆心重合在一起。

磁框S102的第一空腔S116的直径大于第一磁铁S103和第一华司S104的直径,从而使第一磁铁S103和第一华司S104与磁框S102的第一空腔S116之间形成一个环形间隙。第一音圈S105设置在第一磁铁S103、第一华司S104与磁框S102的第一空腔S116之间的环形间隙内。

前盖S109的第二空腔S117的直径大于第二磁铁S110和第二华司S111的直径,从而使第二磁铁S110和第二华司S111与前盖S109的第二空腔S117之间形成一个环形间隙。第二音圈S112设置在第二磁铁S110、第二华司S111与前盖S109的第二空腔S117之间的环形间隙内。

前盖S109设置有多个低频气流出音小孔,护盖S115设置有一个高频气流中孔,前盖S109的低频气流出音小孔和护盖S115的高频气流中孔为同一朝向,保持低频和高频同步输出。

请参见图1,分频喇叭装在耳机耳壳里。分频喇叭安装在耳机前腔R502里面固定密封好,再将耳机后腔R501合上组装形成一个音腔,耳机后腔R501设置有声腔排放空间。耳机前腔S502设置有一个出音口H500来结合分频喇叭的气流排放,分频喇叭的前盖S109正面朝向耳机前腔R502的台阶位置,分频喇叭的前盖S109设置有气流孔,气流孔的气流流入耳机前腔R502的出音口H500的出音方向。该图的耳机耳壳为一个右耳耳机,可放置于人耳的右耳中使用。

第一振膜M100中间部份,即第一音圈S105对应的部分被切掉后,就失去了高频振动部份,从而得到的只有低频振动频率。第二振膜M200没有低频振动部份,从而只有了高频振动频率。基板S101用来连接音圈导线。第一磁铁S103和第二磁铁S110起导磁作用。第一华司S104和第二华司S111贴合在磁铁之上起磁场导向作用。第一音圈S105和第二音圈S112导电之后,在磁场之内带动振动膜作用。

分频喇叭的振膜为一分二,将低频与高频之间振膜分隔成两部份,第二音圈S112内围部份作为高频率振动设计,第一音圈S105外围部份作为低频振动设计,第一振膜M100部份设置在磁框S102的磁路之下,第二振膜M200设置在前盖S109之中,一只喇叭内同时设计有双磁和双动圈驱动。

与现有技术相比,本实用新型提供的分频喇叭,振动音膜分隔成第一振膜和第二振膜,第一振膜和第二振膜分别对应低频振膜和高频振膜两部份,设置双动圈和双磁来驱动低频振膜和高频振膜,可以同步输出低频和高频音乐效果,使声音更有层次感,具有高音清晰、低音丰满的优点。

对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

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