本实用新型涉及移动通信技术领域，尤其是涉及一种支持MIMO(多入多出)技术和DPD(数字预失真)校正的铁塔高效率一体化功放模块结构。
背景技术：
在中国的电信市场，一直由移动、联通、电信三巨头占据着，随着市场需求提高和市场竞争的白热化，三大运营商只得不断加大基础建设以适应市场化的需求。但早期的这种各自为政、无序竞争和重复建设，造成了对资源的极大浪费，重复投资问题突出，网络资源利用率普遍偏低。随着技术的飞速发展，提高电信基础设施共建共享水平，三网融合是必然的趋势。
随着绿色环保、低碳经济理念在全球不断的推广深入人心，运营商对于移动通信基站的效率提出了越来越高的需求。而在基站设备中，射频功放的能耗占到总能耗的60％左右，因此，高效率、低成本一体化功率放大器成为了未来移动运营商降低运营成本、实现绿色节能的最为有效的手段。
功放模块作为无线收发系统的核心部件之一，传统的A类及AB类功放(回退10-15dB)效率一般只能做到10％-15％左右，而且输出的功率小，覆盖地方少，系统功耗大，体积大，成本高。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服上述技术的不足，提供一种体积小、输出功率大、功耗低、成本低的一体化功放模块结构。
本实用新型提供的一种一体化功放模块结构，包括：用于与天线相接的多工器、与多工器连接的功放模块A、与功放模块A连接的数字板A；与所述多工器连接的功放模块B、与功放模块B连接的数字板B；所述功放模块A、功放模块B都包括第一链路部分、第二链路部分、第三链路部分；所述功放模块A还包括第四链路部分，所述功放模块B还包括第五链路部分。
进一步地，所述第一链路部分包括第一下行链路和第一上行链路；所述第一下行链路包括依次连接的第一下行端口匹配电路、第一压控衰减器、第一初级功率放大器、第一二级功率放大器、第一隔离器、第一电桥、第一末级功率放大器和第一环形器；所述第一上行链路包括依次连接的第一初级低噪声放大器、第一末级低噪声放大器、第一射频声表滤波器以及第一上行端口匹配电路。
进一步地，所述第一下行链路还包括与所述第一末级功率放大器连接的第一耦合器、第一射频接头；所述第一耦合器用于将所述第一末级功率放大器输出的射频信号耦合成第一路射频信号和第二路射频信号并将第一路射频信号、第二路射频信号分别输出到所述第一射频接头、监控模块的功率检测单元，所述第一压控衰减器与监控模块的DAC电路连接。
进一步地，所述第二链路部分包括第二下行链路和第二上行链路；所述第二下行链路的结构与所述第一链路部分的第一下行链路的结构相同，所述第二上行链路的结构与所述第一链路部分的第一上行链路的结构相同。
进一步地，所述第三链路部分包括第三下行链路、第三上行链路以及连接在第三下行链路和第三上行链路之间的电源开关电路，所述第三下行链路包括依次连接的第三下行端口匹配电路、第三压控衰减器、第三初级功率放大器、第三二级功率放大器、第三隔离器、第三初级电桥、第三末级功率放大器和第三环形器；所述第三上行链路包括依次连接的第三初级低噪声放大器、第三末级低噪声放大器、第三射频声表滤波器和第三上行端口匹配电路；所述第三环形器通过第一射频开关与所述第三初级低噪声放大器连接。
进一步地，所述第三下行链路还包括与所述第三末级功率放大器连接的第三耦合器、与第三耦合器连接的第三末级电桥以及第三射频接头，所述第三耦合器用于将所述第三末级功率放大器输出的信号耦合成第三路路射频信号，所述第三末级电桥用于将所述第三路射频信号分为第一路输出射频信号和第二路输出射频信号并将第一路输出射频信号、第二路输出射频信号分别输出到所述第三射频接头、监控模块的功率检测单元，所述第三压控衰减器与监控模块的DAC电路连接。
进一步地，所述第四链路部分包括第四下行链路和第四上行链路，所述第四下行链路包括依次连接的第四下行端口匹配电路、第四压控衰减器、第四滤波器、第四初级功率放大器、第四末级功率放大器和第四环形器，所述第四上行链路包括依次连接的第四初级低噪声放大器、第四末级低噪声放大器、第四射频声表滤波器和第四上行端口匹配电路。
进一步地，所述第四下行链路还包括与所述第四末级功率放大器连接的第四耦合器、与第四耦合器连接的第四电桥以及第二射频开关，所述第四耦合器用于将所述第四末级功率放大器输出的信号耦合成第四路射频信号，所述第四电桥用于将所述第四路射频信号分为第三路输出射频信号和第四路输出射频信号并将第三路输出射频信号经所述第二射频开关输出到所述第三链路部分的第三射频接头、将第四路输出射频信号输出到监控模块的功率检测单元，所述第四压控衰减器与监控模块的DAC电路连接。
进一步地，还包括监控模块A和监控模块B，所述监控模块A和监控模块B都包括主控单元以及与主控单元连接的功率检测单元、电流检测单元、温度检测单元、DAC电路。
进一步地，所述功放模块A和监控模块A集成在A PCB板上；所述功放模块B和监控模块B集成在B PCB板上。
本实用新型的一体化功放模块结构采用功放模块A和功放模块B组合建网，包含2G、3G、4G多种网络，且支持MIMO技术和DPD校正，支持多个制式、多个频段混合组网，可实现三网共建共享，能够解决重复建设资源的极大浪费、工程建设困难等问题。同时相对传统的A类及AB类功放相比在同样的功耗条件下，可输出更大的功率，覆盖更多的地方；在输出同样功率的情况下，系统功耗大在为降低，更加的节能环保，且散热结构和外观都可以做得更小，这样不但可节约的金属材料，而且能够节约安装空间，大大降低建设成本，更加的易于让用户所接受。
【附图说明】
图1为本实用新型一实施例提供的一种一体化功放模块结构的示意图；
图2是图1所示一体化功放模块结构的监控模块A、监控模块B的示意图；
图3是图1所示一体化功放模块结构的功放模块A、功放模块B的第一链路部分和第二链路部分的示意图；
图4是图1所示一体化功放模块结构的功放模块A的第三链路部分以及第四链路部分的示意图；
图5是图1所示一体化功放模块结构的功放模块B的第三链路部分以及第五链路部分的示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
参考图1和图2，本实用新型提供的一种一体化功放模块结构，包括：用于与天线(MS)相接的多工器90、与多工器90连接的功放模块A 10、与功放模块A 10连接的数字板A 70；与多工器90连接的功放模块B 30、与功放模块B 30连接的数字板B 80。其中，数字板A 70和数字板B 80分别用于连接到对应的光纤。优选地，天线为重发天线。
功放模块A 10、功放模块B 30都包括第一链路部分11、第二链路部分15、第三链路部分17。功放模块A 10还包括第四链路部分19，功放模块B 30还包括第五链路部分21。
第一链路部分11包括第一下行链路111和第一上行链路122。第二链路部分15包括第二下行链路151和第二上行链路152。第三链路部分17包括第三下行链路171和第三上行链路183。第四链路部分19包括第四下行链路191和第四上行链路201。第五链路部分21包括第五下行链路211和第五上行链路218。
功放模块A 10和功放模块B 30的各链路部分都具有上下行链路。功放模块A 10、功放模块B 30各链路部分的下行链路主要是放大基站信号便于手机接收，基站发射的下行信号通过前端机耦合进行电光转换经光纤拉远到远端机，再经数字板A 70、数字板B 80进行处理和光电转换，分别进入对应的功放模块A 10、功放模块B 30各链路部分的下行链路进行下行放大，最后经多工器90和重发天线将经放大的下行信号传送给手机。经放大的信号便于手机接收。功放模块A10、功放模块B 30各链路部分的上行链路主要是放大手机信号便于基站接收，重发天线接收手机所发出的信号，先进入多工器90滤波，再分别进入功放模块A 10、功放模块B 30各链路部分的上行链路进行上行放大，通过对应的数字板A70、数字板B 80进行光电转换，经光纤拉远到近端机，进行光电转换为上行信号发送给基站，从而达到扩大、拉远、优化移动通信信号的目的。
本实施例中，功放模块A 10包括以下4种制式信号频段：电信LTE FDD2.1G、联通WCDMA2100、移动TD-LTE(E频段)、电信CDMA800。其中，电信LTE FDD2.1G、联通WCDMA2100这两个频段对应功放模块A 10的第一链路部分11和第二链路部分15，功放模块A 10的第一链路部分11和第二链路部分15实现功能一样，支持电信LTE2.1G MIMO技术。移动TD-LTE(E频段)这个频段对应功放模块A 10的第三链路部分17，电信CDMA800这个频段对应功放模块A 10的第四链路部分19。
功放模块B 30包括以下6种制式信号频段：移动GSM1800、联通DCS1.8G、电信LTE FDD1.8G、移动TD-LTE(E频段)、移动/联通GSM900。其中，移动GSM1800、联通DCS1.8G、电信LTE FDD1.8G这三个频段对应功放模块B 30的第一链路部分11和第二链路部分15，功放模块B 30的第一链路部分11和第二链路部分15实现功能一样，支持电信LTE FDD1.8G MIMO技术。移动TD-LTE(E频段)这个频段对应功放模块B 30的第三链路部分17，移动/联通GSM900这个频段对应功放模块B 30的第五链路部分21。
本实用新型通过将功放模块A 10和功放模块B 30组合建网，可支持支持LTE信号的MIMO技术，包括移动GSM1800，支持MIMO；联通DCS1800/LTE FDD1.8G，支持LTE MIMO；电信LTE FDD1.8G，支持LTE MIMO；电信LTE FDD2.1G，支持LTE MIMO；联通WCDMA2100，支持MIMO；移动TD-LTE(E频段)，支持LTE MIMO。相对传统的A类及AB类功放相比在同样的功耗条件下，可输出更大的功率，覆盖更多的地方；在输出同样功率的情况下，系统功耗大在为降低，更加的节能环保，且散热结构和外观都可以做得更小，这样不但可节约的金属材料，而且能够节约安装空间，大大降低建设成本，更加的易于让用户所接受。
功放模块A10和功放模块B30是两个独立的功放模块，可以理解地，功放模块A10和功放模块B30也可单独使用。
本实用新型还包括监控模块A和监控模块B。监控模块A用于对功放模块A 10进行监控。监控模块B用于对功放模块B 30进行监控。如图2所示，监控模块A和监控模块B都包括主控单元58以及与主控单元58连接的功率检测单元51、电流检测单元52、温度检测单元53、DAC电路54、电源接口55、通信接口56和控制接口57。下面以监控模块A为例进行详细说明，监控模块B进行监控的原理与监控模块A相同，故在此不再赘述。监控模块A包括：
主控单元58为一MCU微处理器，MCU微处理器为32位单片机(ATMEGA32)。
DAC(DA转换电路,也就是把数字信号转换成模拟信号输出的电路)电路54包括：a、栅压调节部分，包含常温下调节功放管栅压，使得其性能最优化以及根据功放模块A 10的温度对功放模块A 10的栅压进行修正补偿；b、ALC(自动电平控制)功率控制部分，用于控制功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的最大输出功率，主要是通过控制功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的压控衰减器来实现输出功率的调节；c、PA开关控制部分，用于控制功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的开关状态。
功率检测单元51用于对功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的输出功率进行正向检波。功率检测单元51采用均值检波器来提高检测精度。
温度检测单元53用于检测功放模块A 10的温度并发送到主控单元58。主控单元58根据温度检测单元53提供的温度值，对功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的输出功率控制值进行修正补偿。
电流检测单元52用于检测功放模块A 10的电流并发送到主控单元58。主控单元58根据电流检测单元52提供的漏极电流值，来判断功放模块A 10的各个链路部分的下行链路的功率放大电路开关是否关闭，功率放大器件是否正常工作。
通信接口56用于与外部通信。电源接口55用于连接电源以实现对功放模块结构供电。控制接口57用于与外部设备例如电脑等连接，从而实现通过外部设备对功放模块A10整体的控制。
参考图3，功放模块A 10、功放模块B 30的第一链路部分11包括第一下行链路111和第一上行链路201。
第一下行链路111包括依次连接的第一下行端口匹配电路112、第一压控衰减器113、第一初级功率放大器114、第一二级功率放大器115、第一隔离器116、第一电桥117、第一末级功率放大器118和第一环形器119。输入射频信号经第一下行端口匹配电路112输出，通过第一压控衰减器113到第一初级功率放大器114进行功率初级放大。第一压控衰减器113采用MA4P7455压控衰减器，可调衰减范围达30dB(分贝)。第一初级功率放大器114采用BG13放大管，射频信号放大后输出到第一二级功率放大器115进行功率二级放大。第一二级功率放大器115采用AFT27S010NT1推动管，工作频率范围为728-2700M(兆)，P1dB(1dB压缩点，指输出功率的性能参数)输出功率达40dBm(分贝毫瓦)，射频信号放大后输出到第一隔离器116进行隔离后经第一电桥117分为两路信号，分别输入到第一末级功率放大器118进行功率放大。第一末级功率放大器118采用A2718H100-25S或A2T21H100-25S双管功率放大管，即两个管芯封装在一个管子上，P1dB输出功率达50dBm，采用反向Doherty(多尔蒂)结构设计即反型Doherty结构，提高了功放效率，射频信号放大后经第一环形器119输出，第一环形器119采用8G环形器。
第一下行链路111还包括与第一末级功率放大器118连接的第一耦合器、第一射频接头121。第一耦合器用于将第一末级功率放大器118输出的射频信号耦合成第一路射频信号和第二路射频信号并将第一路射频信号、第二路射频信号分别输出到第一射频接头121、监控模块50的功率检测单元51。第一压控衰减器113与监控模块50的DAC电路54连接。功率检测单元51用于对第二路射频信号进行正向检波。检波后的直流信号分两路：一路输送到主控单元58实现正向功率检测，另一路则经DAC电路54反馈到第一压控衰减器113上，实现第一下行链路111的ALC控制。
功放模块A 10的第一链路部分11的第一射频接头121可通过电缆连接到数字板A 70，因而经第一耦合器耦合的第一路射频信号输出到第一射频接头121后可输出到数字板A 70做DPD校正用，从而实现功放模块A 10的第一链路部分11的输出信号的DPD校正。
功放模块B 30的第一链路部分11的第一射频接头121可通过电缆连接到数字板B 80，因而经第一耦合器耦合的第一路射频信号输出到第一射频接头121后可输出到数字板B 80做DPD校正用，从而实现功放模块B 30的第一链路部分11的输出信号的DPD校正。
功放模块A 10、功放模块B的第一上行链路122包括依次连接的第一初级低噪声放大器123、第一末级低噪声放大器124、第一射频声表滤波器125以及第一上行端口匹配电路126。射频信号经第一初级低噪声放大器123进行初级低噪声放大后输出到第二末级低噪声放大器124进行末级低噪声放大，第一初级低噪声放大器123采用MGA-6系列的低噪声放大管，噪声较小，噪声系数在0.5dB左右，体积小，匹配简单，增益在2GHz(吉赫兹)，频段为18dB左右，第二末级低噪声放大器124采用AG50低噪声放大管，具有电流小性能稳定、匹配简单等特点。第二末级低噪声放大器124输出的信号经第一射频声表滤波器125滤波后由第一上行端口匹配电路126进行输出。第一射频声表滤波器125采用2.11G滤波器，具有体积小、插损低、带外抑制好等特点。
第二链路部分15包括第二下行链路151和第二上行链路152。第二下行链路151的结构与第一链路部分11的第一下行链路111的结构相同，第二上行链路152的结构与第一链路部分11的第一上行链路122的结构相同，这里不再赘述。
参考图4，功放模块A 10的第三链路部分17包括第三下行链路171、第三上行链路183以及连接在第三下行链路171和第三上行链路183之间的电源开关电路。
第三下行链路171包括依次连接的第三下行端口匹配电路172、第三压控衰减器173、第三初级功率放大器174、第三二级功率放大器175、第三隔离器176、第三初级电桥177、第三末级功率放大器178和第三环形器179。
其中，第三下行端口匹配电路172、第三压控衰减器173、第三初级功率放大器174、第三二级功率放大器175、第三隔离器176、第三初级电桥177分别与第一下行端口匹配电路112、第一压控衰减器113、第一初级功率放大器114、第一二级功率放大器115、第一隔离器116、第一电桥117为相同的器件，这里不再赘述。第三环形器179采用2.345G环形器进行射频信号输出。
第三末级功率放大器178用于对射频信号进行末级功率放大。第三末级功率放大器178由两个A2T27S020N功率放大管组成，两个A2T27S020N功率放大管组成一个传统的Doherty结构电路，以提高末级功率放大的效率。
第三下行链路171还包括与第三末级功率放大器178连接的第三耦合器、与第三耦合器连接的第三末级电桥181以及第三射频接头182。第三耦合器用于将第三末级功率放大器178输出的信号耦合成第三路路射频信号，第三末级电桥181用于将第三路射频信号分为第一路输出射频信号和第二路输出射频信号并将第一路输出射频信号、第二路输出射频信号分别输出到第三射频接头182、监控模块50的功率检测单元51。第三压控衰减器173与监控模块50的DAC电路54连接。功率检测单元51用于对第二路射频信号进行正向检波。检波后的直流信号分两路：一路输送到主控单元58实现正向功率检测，另一路则经DAC电路54反馈到第三压控衰减器173上，实现第三下行链路171的ALC控制。
功放模块A 10的第三链路部分17的第三射频接头182可通过电缆连接到数字板A 70，因而经第三耦合器耦合的第一路输出射频信号输出到第三射频接头182后可输出到数字板A 70做DPD校正用，从而实现功放模块A 10的第三链路部分17的输出信号的DPD校正。
功放模块A 10的第三上行链路183包括依次连接的第三初级低噪声放大器184、第三末级低噪声放大器185、第三射频声表滤波器186和第三上行端口匹配电路187。第三初级低噪声放大器184、第三上行端口匹配电路187分别与第一初级低噪声放大器123、第一上行端口匹配电路126为相同的器件，这里不再赘述。第三末级低噪声放大器185采用BG8C低噪声放大管用于对输入的射频信号进行低噪声放大。第三射频声表滤波器186采用2.345G滤波器用于对输入的射频信号进行滤波。
第三环形器179通过第一射频开关188与第三初级低噪声放大器184连接。第三链路部分17属于时分系统，第一射频开关188和电源开关电路一起，用于切换第三下行链路171和第三上行链路183的工作状态，增大第三下行链路171和第三上行链路183的隔离度。
功放模块A 10的第四链路部分19包括第四下行链路191和第四上行链路201。
第四下行链路191包括依次连接的第四下行端口匹配电路192、第四压控衰减器193、第四滤波器194、第四初级功率放大器195、第四末级功率放大器196和第四环形器197。其中，第四下行端口匹配电路192、第四压控衰减器193分别与第三下行端口匹配电路172、第三压控衰减器173为相同的器件，这里不再赘述。第四滤波器194采用800M滤波器对输入的射频信号进行滤波。第四初级功率放大器195采用65162功率放大管，用于对输入的射频信号进行初级功率放大。第四末级功率放大器196采用A2T27S020N单管功率放大管，用于对输入的射频信号进行功率放大。第四环形器197采用800M环形器进行射频信号输出。
第四下行链路191还包括与第四末级功率放大器196连接的第四耦合器、与第四耦合器连接的第四电桥199以及第二射频开关200。第四耦合器用于将第四末级功率放大器196输出的信号耦合成第四路射频信号。第四电桥199用于将第四路射频信号分为第三路输出射频信号和第四路输出射频信号并将第三路输出射频信号经第二射频开关200输出到第三链路部分17的第三射频接头182、将第四路输出射频信号输出到监控模块50的功率检测单元51。第四压控衰减器193与监控模块50的DAC电路54连接。功率检测单元51用于对第四路射频信号进行正向检波。检波后的直流信号分两路：一路输送到主控单元58实现正向功率检测，另一路则经DAC电路54反馈到第四压控衰减器193上，实现第四下行链路191的ALC控制。
功放模块A 10的第四链路部分19通过第三射频接头182经电缆连接到数字板A 10，因而经第四耦合器耦合的第三路输出射频信号输出到第三射频接头182后可输出到数字板A 70做DPD校正用，从而实现功放模块A 10的第四链路部分19的输出信号的DPD校正。
功放模块A 10的第四上行链路201包括依次连接的第四初级低噪声放大器202、第四末级低噪声放大器203、第四射频声表滤波器204和第四上行端口匹配电路205。其中，第四初级低噪声放大器202、第四上行端口匹配电路205分别与第三初级低噪声放大器184、第三上行端口匹配电路187为相同的器件，这里不再赘述。第四末级低噪声放大器203采用F235低噪声放大管，用于对输入的射频信号进行低噪声放大。第四射频声表滤波器204采用2.11G滤波器，用于对输入的射频信号进行滤波。
参考图5，功放模块B 30的第三链路部分17与功放模块A 10的第三链路部分17相同，这里不再赘述。其中，功放模块B 30的第三链路部分17的第三射频接头182可通过电缆连接到数字板B 80，因而经第三耦合器耦合的第一路输出射频信号输出到第三射频接头182后可输出到数字板B 80做DPD校正用，从而实现功放模块B 30的第三链路部分17的输出信号的DPD校正。
功放模块B 30的第五链路部分21包括第五下行链路211和第五上行链路218。
第五下行链路211包括依次连接的第五下行端口匹配电路212、第五压控衰减器213、第五滤波器214、第五初级功率放大器215、第五末级功率放大器216和第五环形器217。其中，第五下行端口匹配电路212、第五压控衰减器213、第五初级功率放大器215、第五末级功率放大器216分别、第五环形器217分别与第四下行端口匹配电路192、第四压控衰减器193、第四初级功率放大器195、第四末级功率放大器196、第四环形器197为相同的器件，这里不再赘述。第五滤波器214采用900M滤波器，用于对输入的射频信号进行滤波。
第五下行链路211还包括与第五末级功率放大器216连接的第五耦合器、与第五耦合器连接的第五电桥223以及第三射频开关224。第五耦合器、第五电桥223、第三射频开关224分别与第四耦合器、第四电桥199、第二射频开关200为相同的器件，这里不再赘述。第三射频开关224与功放模块B 30的第三链路部分17的第三射频接头182连接。
第五上行链路218包括依次连接的第五初级低噪声放大器219、第五末级低噪声放大器220、第五射频声表滤波器221和第五上行端口匹配电路222。其中，第五初级低噪声放大器219、第五末级低噪声放大器220、第五射频声表滤波器221、第五上行端口匹配电路222分别与第四初级低噪声放大器203、第四末级低噪声放大器203、第四射频声表滤波器204、第四上行端口匹配电路205为相同的器件，这里不再赘述。
综上，功放模块A 10和功放模块B 30都第一链路部分11、第二链路部分15、第三链路部分17，且功放模块A 10的第四链路部分19和功放模块B 30的第五链路部分21中，只有第四滤波器194和第五滤波器213采用的器件不相同，因而可采用的器件的种类大为减少，可大幅度降低库存压力和成本。
本实施例中，功放模块A 10和监控模块A集成在A PCB板上。功放模块B30和监控模块B集成在B PCB板上。
A PCB板和B PCB板都由四层板组成：板材采用Rogers 4350(美国罗斯杰进口板材的一种)与FR-4(是一种耐燃材料等级的代号)板材混合层压组合，第一二层板材用Rogers 4350，其他层均为FR-4板材；总板厚1.6mm。
第一层(顶层)微波面板，铜箔厚度为0.035mm，主要用于射频布线和控制电路的主要布线；第二层为地层，铜箔厚度为0.035mm；第三层为电源层，主要用于电源的布线；第四层为接地板，主要用于部分射频电路与部分控制检测电路的布线。
为了防止链路自激、防止数字电路对射频链路干扰以及各链路射频信号间的相互干扰，整个PCB板在布局方面分为大信号、小信号及控制等三部分共29个腔体来增大隔离度，29个腔体都可独立屏蔽布线。
A PCB板的下行第一个腔体内为功放模块A 10各下行链路的下行端口匹配电路，第二个腔体内为功放模块A 10各下行链路的压控衰减器和初级功率放大器以及监控模块A的DAC电路54的ALC功率控制部分，第三个腔体内为功放模块A 10各下行链路的二级(推动级)功率放大器，第四个腔体内为功放模块A 10各下行链路的末级功率放大器，第五个腔体内包括功放模块A 10各下行链路的环行器或隔离器，第六个腔体内为监控模块A的功率检测单元51。功放模块A 10各上行链路全部包括在一个腔体中。B PCB板的各个腔体的布局与A PCB板的各个腔体的布局一致，这里不再赘述。
功放模块A 10的第一链路部分11、第四链路部分19分别布局在A PCB板的上下两边，功放模块B 30的第一链路部分11、第五链路部分21分别布局在B PCB板的上下两边，功放模块A10、功放模块B30的这两个链路之间尽量相互远离，尽量提高两链路之间的隔离度，以防止功放模块A10的第四链路部分19、功放模块B30的第五链路部分21的下行输出2阶互调信号落在对应的功放模块A10的第一链路部分11的第一上行链路122的带内、功放模块B30的第一链路部分11的第一上行链路122的带内，从而对功放模块A10的第一链路部分11、功放模块B的第一链路部分11的上行信号形成干扰。
以上实施例仅表达了本实用新型的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，如对各个实施例中的不同特征进行组合等，这些都属于本实用新型的保护范围。