本发明涉及具备形成了导体图案的层叠基板和安装在该层叠基板的表面的安装型元件的高频模块。
背景技术
在专利文献1记载了具备发送滤波器和接收滤波器的分波电路。发送滤波器连接在发送端子与天线端子之间。接收滤波器连接在接收端子与天线端子之间。发送信号从发送端子输入，由发送滤波器进行滤波处理，并从天线端子输出。接收信号从天线端子输入，由接收滤波器进行滤波处理，并从接收端子输出。在天线端子与接收端子之间，相对于接收滤波器并联地连接有修正用的电容器。
从发送滤波器输出的发送信号的一部分经由修正用电容器作为修正用信号传输到接收端子。通过将修正用电容器设为所希望的电容，从而在接收端子处，修正用信号的相位相对于从发送端子泄漏到接收端子的泄漏信号的相位成为相反相位。通过该结构，泄漏信号被修正用信号抑制，发送端子与接收端子之间的隔离度提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5183459号说明书
技术实现要素：
发明要解决的课题
然而，在由层叠基板和安装在该层叠基板的安装型的滤波器元件形成专利文献1记载的分波电路的情况下，有时不能充分抑制泄漏信号，不能在发送端子与接收端子之间确保所希望的隔离度。
此外，不限于分波电路，在由层叠基板和安装型元件形成高频模块的情况下，有时在包含安装型元件的电路的多个端子间也不能确保所希望的隔离度。
因此，本发明的目的在于，提供一种提高了包含安装型元件的电路的多个端子间的隔离度的高频模块。
用于解决课题的技术方案
本发明的高频模块具备安装型元件、层叠基板以及屏蔽导体。安装型元件具备第一安装用端子以及第二安装用端子。在层叠基板安装有安装型元件。屏蔽导体配置在层叠基板的表面侧，是覆盖安装型元件的形状，相对于安装型元件分离地配置。在该高频模块中，将通过从第二安装用端子到第一安装用端子之间的高频信号设为第一信号，将从第二安装用端子经由屏蔽导体传输到第一安装用端子的高频信号设为第二信号。第一安装用端子以及第二安装用端子相对于屏蔽导体配置在如下位置，即，在第一安装用端子处，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号消除的位置。
在该结构中，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号抑制。
此外，在本发明的高频模块中，优选相对于屏蔽导体将第一安装用端子以及第二安装用端子配置为，在将第一信号的至少一部分频带的信号的相位设为θstxl并将第二信号的相位设为θstxc1的情况下，相位差大于90°且为180°以下。
在该结构中，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号更有效地抑制。
此外，在本发明的高频模块中，第一安装用端子以及第二安装用端子优选分别相对于屏蔽导体进行电容耦合。
在该结构中，经由基于第二安装用端子和屏蔽导体的电容器、屏蔽导体、以及基于第一安装用端子和屏蔽导体的电容器，传输第二信号，并调整第二信号的相位。
此外，在本发明的高频模块中，优选为以下结构。层叠基板具备与屏蔽导体连接的第一内部导体图案。第一安装用端子与屏蔽导体进行电容耦合。第二安装用端子与第一内部导体图案进行电容耦合。
在该结构中，经由基于第二安装用端子和第一内部导体图案的电容器、第一内部导体图案、屏蔽导体、基于第一安装用端子和屏蔽导体的电容器，传输第二信号，并调整第二信号的相位。
此外，在本发明的高频模块中，第一内部导体图案优选为接地用的导体图案。
在该结构中，接地用的导体图案被利用于第二信号的传输路径。
此外，在本发明的高频模块中，在以下结构的情况下更有效。安装型元件是具备发送端子、接收端子以及公共端子的分波电路元件。第二安装用端子是发送端子。第一安装用端子是接收端子。
在该结构中，从发送端子泄漏到接收端子的泄漏信号(第一信号)在接收端子处被基于发送信号的第二信号抑制。
此外，在本发明的高频模块中，也可以是以下结构。安装型元件具备作为公共端子的第三安装用端子。安装型元件经由第三安装用端子安装在层叠基板的表面。层叠基板具备与第三安装用端子连接的匹配电路元件。第一安装用端子以及匹配电路元件分别与屏蔽导体进行电容耦合。
在该结构中，经由匹配电路元件、基于匹配电路元件和屏蔽导体的电容器、屏蔽导体、以及基于第一安装用端子和屏蔽导体的电容器，传输第二信号，并调整第二信号的相位。
此外，本发明的高频模块也可以是以下结构。高频模块具备安装型元件、层叠基板以及屏蔽导体。安装型元件具备发送端子、接收端子以及公共端子。在层叠基板安装有安装型元件。屏蔽导体配置在层叠基板的表面侧，是覆盖安装型元件的形状，相对于安装型元件分离地配置。层叠基板具备与公共端子连接的匹配电路元件。将从发送端子泄漏到接收端子的高频信号设为第一信号，将从公共端子经由匹配电路元件以及屏蔽导体传输到接收端子的高频信号设为第二信号。接收端子以及匹配电路元件相对于屏蔽导体配置在如下位置，即，在接收端子处，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号消除的位置。
在该结构中，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号抑制。
此外，在本发明的高频模块中，优选相对于屏蔽导体将第一安装用端子以及第二安装用端子配置为，在将第一信号的至少一部分频带的信号的相位设为θstxl并将第二信号的相位设为θstxc1的情况下，相位差大于90°且为180°以下。
在该结构中，第一信号的至少一部分频带的信号被第二信号更有效地抑制。
此外，在本发明的高频模块中，接收端子以及匹配电路元件优选分别与屏蔽导体进行电容耦合。
在该结构中，经由基于匹配电路元件和屏蔽导体的电容器、屏蔽导体、以及基于接收端子和屏蔽导体的电容器，传输第二信号。
此外，在本发明的高频模块中，匹配电路元件也可以形成在层叠基板的内部。
在该结构中，匹配电路元件在层叠基板内与屏蔽导体进行电容耦合。
此外，在本发明的高频模块中，匹配电路元件也可以安装在层叠基板的表面。
在该结构中，匹配电路元件在层叠基板的表面侧的区域与屏蔽导体进行电容耦合。
此外，在本发明的高频模块中，也可以是以下结构。将安装型元件中的最靠近屏蔽导体的侧面设为第一侧面。从第一侧面观察，具备第一侧面与屏蔽导体重叠的重复部、以及第一侧面与屏蔽导体不重叠的非重复部。
在该结构中，在屏蔽导体中的第二信号的传输路径插入电容器。
此外，在本发明的高频模块中，优选为以下结构。在正面观察下，重复部具有被非重复部分离的第一重复部和第二重复部。第一重复部和第二重复部之间的长度比第一侧面的长度短。
在该结构中，容易得到安装型元件的安装用端子与屏蔽导体的电容耦合。
发明效果
根据本发明，能够提高包含安装型元件的电路的多个端子间的隔离度。
附图说明
图1的(a)是示出本发明的第一实施方式涉及的高频模块的主要结构的俯视图，图1的(b)是示出第一实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。
图2是对高频模块中的分波电路元件的安装部分进行了放大的图。
图3是本发明的第一实施方式涉及的高频模块的电路图。
图4的(a)是去除了屏蔽导体的顶面部和模塑树脂的状态的俯视图，图4的(b)是示出第二实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。
图5是本发明的第二实施方式涉及的高频模块的电路图。
图6是本发明的第三实施方式涉及的高频模块的电路图。
图7是示出本发明的第三实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。
图8的(a)是示出本发明的第四实施方式涉及的高频模块的主要结构的平面剖视图，图8的(b)是其部分放大图。
图9是本发明的第五实施方式涉及的高频模块的电路图。
图10是对高频模块中的滤波器电路元件的安装部分进行了放大的图。
图11是本发明的第六实施方式涉及的高频模块的电路图。
图12是对高频模块中的分波电路元件的安装部分进行了放大的图。
图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)是分别示出使用了具有导体非形成部的屏蔽导体的高频模块的一部分的侧视图。
具体实施方式
参照图对本发明的第一实施方式涉及的高频模块进行说明。图1的(a)是示出第一实施方式涉及的高频模块的主要结构的俯视图。在图1的(a)中，是去除了屏蔽导体的顶面部和模塑树脂的状态的俯视图。图1的(b)是示出第一实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。图1的(b)是图1的(a)中的a-a剖面的图。图2是对高频模块中的分波电路元件的安装部分进行了放大的图。
如图1的(a)、图1的(b)所示，高频模块10具备分波电路元件20、层叠基板101、模塑树脂102、以及屏蔽导体103。层叠基板101将多个电介质层进行层叠而成。在多个电介质层形成有导体图案，通过该结构，在层叠基板101内形成有多个内部导体图案。
在层叠基板101的表面形成有连接盘导体111、112、113。连接盘导体111、112、113在层叠基板101的对置的第一侧面和第二侧面中配置在与第二侧面相比靠近第一侧面的位置。连接盘导体111、112靠近第一侧面，且沿着该第一侧面相互空开间隔进行配置。连接盘导体113配置在比连接盘导体111、112更靠第二侧面侧。在层叠基板101的背面形成有多个外部连接用导体120。
在分波电路元件20的内部形成有实现分波电路的导体图案。在分波电路元件20的背面形成有发送端子211、接收端子212、以及公共端子213。发送端子211对应于本发明的“第二安装用端子”，接收端子212对应于本发明的“第一安装用端子”。
发送端子211以及接收端子212靠近分波电路元件20的第一侧面，且沿着该第一侧面相互空开间隔进行配置。公共端子213靠近分波电路元件20的第二侧面(与第一侧面对置的面)进行配置。换言之，公共端子213比发送端子211以及接收端子212远离第一侧面。发送端子211安装(接合)于连接盘导体111。接收端子212安装(接合)于连接盘导体112。公共端子213安装(接合)于连接盘导体113。
通过该构造，俯视高频模块10，分波电路元件20的第一侧面靠近层叠基板101的第一侧面。换言之，发送端子211以及接收端子212靠近层叠基板101的第一侧面。
模塑树脂102形成为覆盖层叠基板101的表面的整体，且覆盖分波电路元件20。模塑树脂102的各侧面与层叠基板101的各侧面平齐。模塑树脂102具有绝缘性。
屏蔽导体103具备顶面部和四个侧面部。在顶面部的各边连接各个侧面部。屏蔽导体103的顶面部覆盖模塑树脂102的顶面。四个侧面部分别覆盖模塑树脂102的四个侧面。屏蔽导体103由薄膜或者导体板形成。屏蔽导体103的四个侧面部还覆盖层叠基板101的四个侧面的一部分。
通过该构造，如图1的(a)、图2所示，分波电路元件20的发送端子211以及接收端子212靠近屏蔽导体103的一个侧面部(称为第一侧面部。)。因此，如图2所示，发送端子211以及接收端子212相对于屏蔽导体103分别形成电容耦合。具体地，由发送端子211和屏蔽导体103形成电容器cc21。由接收端子212和屏蔽导体103形成电容器cc22。
高频模块10通过具有上述的构造，从而实现图3所示的电路。图3是本发明的第一实施方式涉及的高频模块的电路图。
如图3所示，高频模块10具备分波电路元件20、发送电路31、以及接收电路32。分波电路元件20具备发送端子211、接收端子212、以及公共端子213。分波电路元件20具备tx滤波器21以及rx滤波器22。tx滤波器21和rx滤波器22由分波电路元件20的内部的导体图案实现。
tx滤波器21连接在发送端子211与公共端子213之间。tx滤波器21是如下的滤波器，即，发送信号的频带处于通带内，除了发送信号的频带以外的频带处于衰减带内。
rx滤波器22连接在接收端子212与公共端子213之间。rx滤波器22是如下的滤波器，即，接收信号的频带处于通带内，除了接收信号的频带以外的频带处于衰减带内。
发送端子211与发送电路31连接。发送电路31对发送信号进行放大。在发送电路31具备功率放大器pa。虽然在图1的(a)、图1的(b)、图2中未图示，但是功率放大器pa是安装型元件，与分波电路元件20一起安装在层叠基板101的表面。
接收端子212与接收电路32连接。接收电路32对接收信号进行放大。在接收电路32具备低噪声放大器lna。虽然在图1的(a)、图1的(b)、图2中未图示，但是低噪声放大器lna是安装型元件，与分波电路元件20一起安装在层叠基板101的表面。
在高频模块10中，发送电路31以及接收电路32中的由安装型元件实现的部分以及分波电路元件20以外的部分，由层叠基板101的内部导体图案、以及形成在表面和背面中的至少一方的导体图案实现。
公共端子213与天线ant连接。天线ant形成或安装于安装高频模块1的基板。
而且，在高频模块10中，如上所述，发送端子211以及接收端子212相对于屏蔽导体103进行电容耦合。由此，发送端子211和接收端子212通过旁路电路40进行连接，旁路电路40是电容器cc21、屏蔽导体103、以及电容器cc22的串联电路。
电容器cc21的电容以及电容器cc22的电容由作为从发送端子211泄漏到接收端子212的发送信号(高频信号)的第一信号stxl的相位θstxl和第二信号stxc1的相位θstxc1决定。第一信号是从发送端子211泄漏到接收端子212的发送信号(高频信号)。第二信号是在旁路电路40传输的发送信号的一部分的高频信号。具体地，决定电容器cc21的电容以及电容器cc22的电容，使得在接收端子212中，第一信号stxl的相位θstxl(212)与第二信号stxc1的相位θstxc1(212)成为相反相位(θstxc1(212)＝(180°+θstxl(212)))。电容器cc21的电容能够由发送端子211与屏蔽导体103的距离、发送端子211与屏蔽导体103的对置宽度、以及模塑树脂102的介电常数决定。同样地，电容器cc22的电容能够由接收端子212与屏蔽导体103的距离、接收端子212与屏蔽导体103的对置宽度、以及模塑树脂102的介电常数决定。
通过该结构，第一信号stxl被第二信号stxc1抵消，发送端子211与接收端子212的隔离度提高。
另外，第一信号stxl的相位θstxl和第二信号stxc1的相位θstxc1优选成为相反相位。然而，例如只要相位差大于90°且为180°以下，就能够通过第二信号stxc1将第一信号stxl抑制给定量，提高发送端子211与接收端子212的隔离度。
进而，在接收端子212处，第一信号stxl的振幅的绝对值abs(astxl(212))和第二信号stxc1的振幅的绝对值abs(astxc1(212))优选相同。由此，能够通过第二信号stxc1更有效地抑制第一信号stxl。
像这样，高频模块10使分波电路元件20的发送端子211和接收端子212积极地与屏蔽导体103进行电容耦合。而且，通过它们的电容耦合，形成经由屏蔽导体103的第二信号的传输路径。高频模块10通过该第二信号抑制从发送端子211到接收端子212的第一信号。由此，能够提高发送端子211与接收端子212之间的隔离度，能够将发送端子211与接收端子212之间的隔离度确保得高。
接着，参照图对第二实施方式涉及的高频模块进行说明。图4的(a)是示出本发明的第二实施方式涉及的高频模块的主要结构的俯视图。图4的(a)是去除了屏蔽导体的顶面部和模塑树脂的状态的俯视图。图4的(b)是示出第二实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。图4的(b)是图4的(a)中的b-b剖面的图。图5是本发明的第二实施方式涉及的高频模块的电路图。
本实施方式涉及的高频模块10a与第一实施方式涉及的高频模块10的不同点在于，作为内部导体图案而具有内部接地导体130。此外，高频模块10a与第一实施方式涉及的高频模块10的不同点在于，使用内部接地导体130形成旁路电路40a。高频模块10a的其它结构与第一实施方式涉及的高频模块10相同，省略相同的部位的说明。内部接地导体130对应于本发明的“接地用的导体图案”。
如图4所示，内部接地导体130形成在层叠基板101的内部。俯视高频模块10a，内部接地导体130与发送端子211重叠。内部接地导体130与屏蔽导体103连接。
在这样的结构中，发送端子211和内部接地导体130进行电容耦合，形成电容器cc23。由此，如图5所示，发送端子211和接收端子212通过旁路电路40a进行连接，旁路电路40a是电容器cc23、内部接地导体130、屏蔽导体103、以及电容器cc22的串联电路。
即使是这样的结构，通过适当地决定电容器cc22、cc23的电容，从而也能够在接收端子212处，使第一信号stxl的相位θstxl(212)和第二信号stxc2的相位θstxc2(212)为相反相位(θstxc2(212)＝(180°+θstxl(212)))。由此，发送端子211与接收端子212之间的隔离度提高。在该情况下，只要相位差大于90°且为180°以下，则也能够通过第二信号stxc2将第一信号stxl抑制给定量，提高发送端子211与接收端子212的隔离度。
接着，参照图对本发明的第三实施方式涉及的高频模块进行说明。图6是本发明的第三实施方式涉及的高频模块的电路图。图7是示出本发明的第三实施方式涉及的高频模块的主要结构的侧视剖视图。
本实施方式涉及的高频模块10b与第二实施方式涉及的高频模块10a的不同点在于，具备匹配电路140，以及使用该匹配电路140形成旁路电路40b。高频模块10b的其它结构与第二实施方式涉及的高频模块10a相同，省略相同的部位的说明。
如图6所示，高频模块10b具备匹配电路140。匹配电路140连接在公共端子213与天线ant之间。该公共端子213对应于本发明的“第三安装用端子”。
如图7所示，匹配电路140具备由内部导体图案构成的电感器141和由内部导体图案构成的电容器142。电感器141和电容器142对应于本发明的“匹配电路元件”。电感器141是将包含层间连接导体的线状导体配置为卷绕形而成的。电容器142通过将内部接地导体130和平面导体151对置地进行配置而实现。电感器141和电容器142经由布线导体图案161与连接盘导体113连接。
构成电容器142的平面导体151靠近屏蔽导体103。由此，平面导体151与屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc24。
通过该结构，如图6所示，匹配电路140和接收端子212通过旁路电路40b进行连接，旁路电路40b是电容器cc24、屏蔽导体103、以及电容器cc22的串联电路。在旁路电路40b传输第二信号stxc3。
即使是这样的结构，通过适当地决定电容器cc22、cc24的电容，从而也能够在接收端子212处，使第一信号stxl的相位θstxl(212)和第二信号stxc3的相位θstxc3(212)为相反相位(θstxc3(212)＝(180°+θstxl(212)))。由此，发送端子211与接收端子212之间的隔离度提高。在该情况下，只要相位差大于90°且为180°以下，则也能够通过第二信号stxc3将第一信号stxl抑制给定量，提高发送端子211与接收端子212的隔离度。
接着，参照图对本发明的第四实施方式涉及的高频模块进行说明。图8的(a)是示出本发明的第四实施方式涉及的高频模块的主要结构的平面剖视图，图8的(b)是其部分放大图。
本实施方式涉及的高频模块10c与第三实施方式涉及的高频模块10b的不同点在于，使构成匹配电路140的匹配电路元件为安装型元件。高频模块10c的其它结构与第三实施方式涉及的高频模块10b相同，省略相同的部位的说明。
如图8的ca)所示，匹配电路140具备分别作为安装型元件的匹配电路元件143、144。可以是，双方的匹配电路元件143、144为电感器或电容器，也可以是，一方的匹配电路元件为电感器且另一方的匹配电路元件为电容器。匹配电路元件143、144安装在层叠基板101的表面。匹配电路元件143、144通过形成在层叠基板101的布线导体162与公共端子213连接。
如图8的(b)所示，匹配电路元件144的一个外部连接端子靠近屏蔽导体103。由此，匹配电路元件144的一个外部连接端子与屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc25。
通过该结构，匹配电路140和接收端子212通过旁路电路进行连接，旁路电路是电容器cc25、屏蔽导体103、以及电容器cc22的串联电路。在该旁路电路传输第二信号stxc4。
即使是这样的结构，通过适当地决定电容器cc22、cc25的电容，从而也能够在接收端子212处，使第一信号stxl的相位θstxl(212)和第二信号stxc4的相位θstxc4(212)为相反相位(θstxc4(212)＝(180°+θstxl(212)))。由此，发送端子211与接收端子212之间的隔离度提高。在该情况下，只要相位差大于90°且为180°以下，则也能够通过第二信号stxc4将第一信号stxl抑制给定量，提高发送端子211与接收端子212的隔离度。
接着，参照图对本发明的第五实施方式涉及的高频模块进行说明。图9是本发明的第五实施方式涉及的高频模块的电路图。图10是对高频模块中的滤波器电路元件的安装部分进行了放大的图。
本实施方式涉及的高频模块11d与第一实施方式涉及的高频模块10的不同点在于，具备tx滤波器元件21d和发送电路31，且不具备rx滤波器和接收电路。发送电路31与第一实施方式涉及的高频模块10的发送电路31相同。tx滤波器元件21d是将第一实施方式涉及的高频模块10的分波电路元件20的tx滤波器21的部分设为单体的安装型元件而成的。
tx滤波器元件21d具备发送侧端子211d和天线侧端子213d。发送侧端子211d与发送电路31连接。天线侧端子213d与天线ant连接。天线侧端子213d对应于本发明的“第一安装用端子”，发送侧端子211d对应于本发明的“第二安装用端子”。
如图10所示，tx滤波器元件21d安装在层叠基板101的表面，使得发送侧端子211d和天线侧端子213d排列的方向与屏蔽导体103的第一侧面部并行。发送侧端子211d和天线侧端子213d分别靠近屏蔽导体103。通过该结构，发送侧端子211d与屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc31，天线侧端子213d和屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc32。
因此，发送侧端子211d和天线侧端子213d通过旁路电路40d进行连接，旁路电路40d是电容器cc31、屏蔽导体103、以及电容器cc32的串联电路。在旁路电路40d传输第二信号stxc5。
即使是这样的结构，通过适当地决定电容器cc31、cc32的电容，从而也能够在天线侧端子213d处，使第一信号中的无用的频带的信号stxh的相位θstxh(213d)和第二信号stxc5的相位θstxc5(213d)为相反相位(θstxc5(213d)＝(180°+θstxh(213d)))。第一信号中的无用的频带的信号stxh例如是发送信号的高次谐波信号，是经由tx滤波器元件21d从发送侧端子211d向天线侧端子213d传输的信号。第二信号stxc5是发送信号的高次谐波信号中的在旁路电路40d传输的信号。
由此，对于发送信号的高次谐波信号，发送侧端子211d与天线侧端子213d之间的隔离度提高。在该情况下，只要相位差大于90°且为180°以下，则也能够通过第二信号stxc5将第一信号中的无用的频带的信号stxh抑制给定量，提高发送侧端子211d与天线侧端子213d的隔离度。
像这样，本发明的结构不仅能够应用于分波电路的发送端子与接收端子之间的隔离度的提高，还能够应用于滤波器电路等具有多个安装用端子的电路元件的多个安装用端子间的隔离度的提高。
接着，参照图对本发明的第六实施方式涉及的高频模块进行说明。图11是本发明的第六实施方式涉及的高频模块的电路图。图12是对高频模块中的分波电路元件的安装部分进行了放大的图。
本实施方式涉及的高频模块10e是对第一实施方式涉及的高频模块10应用了第五实施方式的高频模块10d的概念的高频模块。
在高频模块10e中，发送端子211和公共端子213用tx滤波器21进行连接，并且通过旁路电路40e进行连接。
如图12所示，旁路电路40e通过对层叠基板101安装分波电路元件20而实现。分波电路元件20配置为发送端子211和公共端子213靠近屏蔽导体103。由此，发送端子211和屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc21。此外，公共端子213和屏蔽导体103进行电容耦合，形成电容器cc33。旁路电路40e由电容器cc21、屏蔽导体103、以及电容器cc33的串联电路实现。
即使是这样的结构，通过适当地决定电容器cc21、cc33的电容，从而也能够在公共端子213处，使第一信号中的无用的频带的信号stxh的相位θstxh(213)和在旁路电路40e传输的第二信号stxc6的相位θstxc6(213)为相反相位(θstxc6(213)＝(180°+θstxh(213)))。
由此，对于发送信号的高次谐波信号，发送端子211与公共端子213之间的隔离度提高。在该情况下，只要相位差大于90°且为180°以下，则也能够通过第二信号stxc6将第一信号中的无用的频带的信号stxh抑制给定量，提高发送端子211与公共端子213的隔离度。
另外，上述各实施方式的结构能够分别进行组合，被输入发送信号的安装用端子与除其以外的安装用端子之间的隔离度提高。
此外，在上述的各实施方式的结构中，也可以在屏蔽导体103设置导体非形成部。
图13是示出使用了具有导体非形成部的屏蔽导体的高频模块的一部分的侧视图。在图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)中，导体非形成部的形状分别不同。
在图13的(a)所示的高频模块10f1中，屏蔽导体103具有导体非形成部301。导体非形成部301形成在屏蔽导体103的四个侧面部中的最靠近分波电路元件20的发送端子211以及接收端子212的第一侧面部331。导体非形成部301是从第一侧面部331中的屏蔽导体103的顶面部侧的端部一直到其相反侧的端部(前端侧的端部)的形状。导体非形成部301的第一侧面部331的长度比分波电路元件20中的发送端子211与接收端子212的距离短。即，导体非形成部301的第一侧面部331的长度比分波电路元件20的与第一侧面部331平行的方向上的长度短。在此，所谓导体非形成部301的第一侧面部331的长度，是与屏蔽导体103的顶面部平行的长度。导体非形成部301配置在如下的位置，即，俯视高频模块10f1(从第一侧面部331侧观察)，发送端子211和接收端子212与屏蔽导体103重叠的位置。
换言之，俯视高频模块10f1，分波电路元件20的侧面中的、发送端子211以及接收端子212所靠近的侧面具有相对于屏蔽导体103的第一侧面部331重复的重复部和与第一侧面部331中的具有导体的部分不重复(相对于屏蔽导体103的导体非形成部301重复)的非重复部。重复部由发送端子211侧的第一重复部和接收端子212侧的第二重复部构成，第一重复部和第二重复部被非重复部分离。
在该结构中，在第一重复部与第二重复部之间形成有电容器。由此，能够在旁路电路中的屏蔽导体103的部分进一步串联地连接电容器。由此，能够进一步调整第二信号的相位，更可靠地提高隔离度。
特别是，在图13的(a)的结构中，发送端子211和接收端子212都靠近屏蔽导体103(屏蔽导体103中的具有导体的部分)。因此，发送端子211和接收端子212双方相对于屏蔽导体103能够形成给定的大小以上的电容耦合，是有效的。
图13的(b)所示的高频模块10f2相对于图13的(a)所示的高频模块10f1在导体非形成部302的形状上不同。对高频模块10f2进行侧视，导体非形成部302与接收端子212重复。换言之，在高频模块10f2中，屏蔽导体103与接收端子212不重复。
即使是这样的结构，也能够在旁路电路中的屏蔽导体103的部分进一步串联地连接电容器。
图13的(c)所示的高频模块10f3相对于图13的(a)所示的高频模块10f1在导体非形成部303的形状上不同。导体非形成部303未达到屏蔽导体103的第一侧面部331的顶面侧的端部以及前端侧的端部。
即使是这样的结构，也能够在旁路电路中的屏蔽导体103的部分进一步串联地连接电容器。
另外，在本发明的高频模块中，屏蔽导体103的导体非形成部并不限于图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)所示的形状。具体地，只要具有导体非形成部，使得俯视高频模块时，与屏蔽导体103进行电容耦合的安装型元件(分波电路元件20等)中的进行电容耦合的多个端子中的至少一个端子和屏蔽导体103的具有导体的部分重叠即可。
此外，虽然在上述的各实施方式中具备模塑树脂102，但是模塑树脂102也能够省略。但是，通过具备模塑树脂102，从而能够增大安装用端子与屏蔽导体的电容耦合，是有效的。
附图标记说明
10、10a、10b、10c、10e、10f1、10f2、10f3、11d：高频模块；
20：分波电路元件；
21：tx滤波器；
21d：tx滤波器元件；
22：rx滤波器；
31：发送电路；
32：接收电路；
40、40a、40b、40d、40e：旁路电路；
101：层叠基板；
102：模塑树脂；
103：屏蔽导体；
111、112、113：连接盘导体；
120：外部连接用导体；
123：公共端子；
130：内部接地导体；
133：连接盘导体；
140：匹配电路；
141：电感器；
142：电容器；
143、144：匹配电路元件；
151：平面导体；
161：布线导体图案；
162：布线导体；
211：发送端子；
211d：发送侧端子；
212：接收端子；
213：公共端子；
213d：天线侧端子；
301、302、303：导体非形成部；
331：第一侧面部；
ant：天线；
cc21：电容器；
cc21、cc22、cc23、cc24、cc25、cc31、cc32、cc33：电容器；
lna：低噪声放大器；
pa：功率放大器；
stxc1、stxc2、stxc3、stxc4、stxc5、stxc6：第二信号；
stxh、stxl：第一信号。