射频隔离器的制作方法

相关申请的交叉引用

该申请是要求于2016年8月2日以代理人案卷号g0766.70072us00提交的、名称为“射频隔离器”的美国专利申请序列no.15/226,438的权益的继续申请，其全部内容通过引用结合于此。

本申请涉及电流隔离器。

背景技术：

隔离器在彼此通信的电路之间提供电隔离。一些这样的隔离器用于将在相对高的电压域中操作的第一电路与在相对低的电压域中操作的第二电路电隔离。这两个电路有时参考不同的接地电位。在两个电路之间提供隔离屏障以防止不期望的电压交叉。隔离器提供穿过隔离屏障的通信。

技术实现要素：

描述了射频(rf)隔离器，耦合在不同电压下工作的电路域。rf隔离器可以包括向接收器发射定向信号的发射器。具有不同介电常数的材料层可以布置成沿着到达接收器的路径限制发射。发射器可以是具有面向接收器的孔径的天线。

在一些实施方案中，提供射频隔离器，包括：介电层，对于在5ghz和200ghz之间的频率具有在5和500之间的介电常数；第一和第二天线，至少部分地设置在所述介电层内或在其内10微米内；和耦合到所述第一天线的馈电电路。

在一些实施方案中，提供方法，包括：从在第一电压域中操作的第一微制造天线发射射频信号，所述射频信号具有在5ghz和200ghz之间的频率；通过具有在5和500之间的介电常数的介电层限制和发射所述射频信号；和利用在不同于所述第一电压域的第二电压域中操作的第二微制造天线接收所述射频信号。

在一些实施方案中，提供系统，包括：在第一电压域中操作的第一电路；在小于所述第一电压域的第二电压域中操作的第二电路；和将所述第一和第二电路相互耦合的射频隔离器。在一些实施方案中，射频隔离器包括：介电层，对于在5ghz和200ghz之间的频率具有在5和500之间的介电常数；第一和第二天线，至少部分地设置在所述介电层内或在其内10微米内；和耦合到所述第一天线的馈电电路。

附图说明

将参考以下附图描述本申请的各个方面和实施例。应该理解的是，附图不一定按比例绘制。出现在多个图中的项目在它们出现的所有图中用相同的附图标记表示。

图1是包括由射频隔离器耦合的两个电路的电子系统的框图。

图2是具有通过面内介电材料耦合的两个天线的射频隔离器的剖视图。

图3是具有由平面内介电材料耦合的两个天线的射频隔离器的横截面图。

图4a是包括三个管芯的射频隔离器的剖视图。

图4b-4c是图4a的管芯的示例的截面图，其包括通过面内介电材料耦合的两个天线。

图4d-4e是包括电路的图4a的管芯的示例的横截面图。

图4f是图4a的射频隔离器的示例实施方式的剖视图。

图5示出了图3结构的替代方案，其中天线设置得远离电路管芯的表面。

图6a-6b分别示出了具有两个具有相反取向的孔径的天线的射频隔离器的透视图和横截面图。

图6c示出了可以在图6a-6b的射频隔离器中实现的类型的导电通孔。

图6d示出了可以在图6a-6b的射频隔离器中实现的类型的馈电。

图7a是隔离器的天线的透视图，图7b是具有图7a中所示类型的两个天线的射频隔离器的剖视图。

图8a示出了射频隔离器的顶视图，该射频隔离器具有两个天线和衍射光栅，以引导两个天线之间的发射。

图8b是图9a的射频隔离器的剖视图。

图9a是具有带有主元件、反射器和导向器的天线的射频隔离器的顶视图。

图9b是图9a的射频隔离器的剖视图。

具体实施方式

本申请的各方面涉及一种传送射频(rf)信号的隔离器。隔离器包括两个微机械天线、一个发射天线和一个接收天线，它们由介电材料隔开。传输的射频信号被限制在介电材料中，因此介电材料被成形为在射频信号的天线之间产生传输路径。为了便于限制电介质材料中的射频信号，可以为介电材料提供比周围材料更高的介电常数。

天线可以采用各种形式。在一些实施方案中，天线是水平偶极子。在一些实施例中，偶极子是线性的。在其他实施例中，偶极子是弯曲的。在一些实施方案中，天线发射是定向的，例如由喇叭、反射器、天线阵列或其他合适的结构引导，以将发射引向接收天线。当包括时，反射器可以是线性的、弯曲的或平面的(或片)。当包括时，喇叭可以采用各种形状中的一种，例如弯曲(包括多个分段线性段)、分段线性多边形、抛物线或椭圆的一部分。

图1是根据本申请实施例的电子系统的框图，该电子系统包括由射频隔离器耦合的两个电路。电子系统100包括电路102，在此也称为“电路a”，以及电路104，在此也称为“电路b”，由射频隔离器106通信地耦合。射频隔离器106包括发射器108和接收器110，它们在它们之间传送射频信号112。射频信号可以由诸如信号发生器的组件114提供。射频信号可以是模拟的或数字的，并且可以具有假定例如在5ghz和200ghz之间的范围内的任何值或值范围的频率。

电路102和电路104可以是在不同电压域中操作和/或具有不同接地电位的电路。例如，电路102可以在比电路104更高的电压域中操作。一个非限制性示例是电路102可以是测量系统的一部分，而电路104可以是用于控制测量系统的控制系统的一部分。作为另一示例，电路102可以形成高压工业机械的一部分，而电路104可以是用于机器的控制系统。可替换地，可以实现其他类型的电路。

射频隔离器106可以是电流隔离器，其配置成在电路102和104之间提供电流隔离，同时允许通过射频信号在电路102和104之间进行通信。通信可以是单向的(例如，从发射机108到接收机110)或双向的。出于简化图1的描述的目的，隔离器110的通信元件被称为发送器和接收器，但是应当理解，发送器108和接收器110可以是相反的，或者它们都可以被配置为发送和接收，因此在一些实施例中可以是收发器。

在一些实施例中，发射器108和接收器110可以是天线。以下结合图6a、6b、7a、7b、8a、9a和9b更详细地描述实例。天线可以被配置为发射和/或接收横向电(te)、准te、横向磁(tm)或射频信号的准tm模式。发射器108和接收器110可以是偶极天线或天线阵列。为了发射和接收射频信号112，发射器108和接收器110可以是定向的，具有彼此面对的孔径。例如，一个或两个可以包括具有喇叭的馈电。可以使用用于提供定向发射和接收的屏蔽或其他特征，下面结合图6a、6b、7a、7b、9a和9b描述其示例。

射频隔离器112可包括发射器108和接收器110之间的限制结构，未在图1中明确示出，但在下面进一步示出和描述。限制结构可包括一层高介电常数材料。高介电常数材料的介电常数可以高于周围材料的介电常数，例如介电常数大于5(例如，介于5-500之间的任何值，包括12和200之间的任何值)。如本文所用，术语“低介电常数”是指任何小于或等于5的介电常数，术语“高介电常数”是指任何大于5的介电常数。以这种方式，射频信号112可以限制在层内，从而增加发射器108和接收器110之间的耦合效率。所列出的介电常数值可以对应于射频隔离器的操作频率，例如上面列出的在5ghz和200ghz之间的频率。

图2提供了图1的射频隔离器106的实施方式的非限制性示例。图2是具有通过平面内介电材料耦合的两个天线的射频隔离器200的截面图。射频隔离器200包括第一管芯202和第二管芯206，第一管芯202具有形成在其上的第一天线204，第二管芯206具有形成在其上的第二天线208。第一天线204和第二天线208形成在介电层210内。隔离器200封装在封装212内。封装可以包括封装材料214。可选地，在管芯202和管芯206之间提供支撑216以支撑介电层210。然而，这种支撑是可选的，因为介电层210可以以不需要支撑的方式制造。

管芯202和206可以是分别用于支撑天线204和208的任何合适类型的管芯。另外，在一些实施例中，管芯202和/或管芯206可以包括电路，例如电路218和220。在一些实施方案中，管芯202和206是半导体管芯，例如硅管芯，尽管在一些实施例中可以使用替代类型的半导体或其他材料。

天线204和208可以是用于发射射频信号的任何合适类型的天线。如上面结合图1所述，它们可以是偶极天线或天线阵列。实例显示在图6a和7a中。从图2中应该理解，它们可以是使用平面微机械加工(微加工)技术形成的微机械加工(微制造)天线。例如，天线204和208可以是图案化的金属层。它们可以包括具有喇叭的馈电或其他定向结构。

介电层210是基本上平面的层，并且可以具有选择的介电常数以将由天线204或210之一发射的射频信号限制在其中。例如，介电层210可以是高介电常数材料。这种限制可以通过选择大于周围材料的介电常数来实现，例如封装材料214。封装材料214可以是用于封装半导体管芯的常规半导体封装材料，因此可以具有小于4的介电常数。因此，介电层210可以具有大于该介电常数的介电常数(例如，在5和500之间、在12和200之间、在15和100之间、在20和50之间、或者在这样的范围内的任何值或值范围)。可用于介电层210的材料的非限制性实例包括氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化钽。因为介电层210可以被配置为限制由天线204或天线208发射的射频信号，所以其尺寸可以被设计为提供期望的空间限制。例如，在一些实施例中，介电层210可以具有基本上等于天线204和/或天线208的高度的厚度(或高度)t。在一些实施方案中，厚度t可以小于天线204和/或天线208的高度的两倍、天线高度的四分之三到五倍之间、天线高度的一到三倍、或者在这些范围内的任何值。作为非限制性实例，厚度t在一些实施方案中可以是至少10微米、大约0.5mm、在5微米和5mm之间、在10微米和2mm之间、或者在该范围内的任何值或值范围。

介电层210可任选地被具有较低介电常数的介电层包围。在一些实施方案中，介电层210可以由多个介电层形成。

封装212可以是用于封装半导体结构的任何合适类型的封装。例如，封装212可以是具有引线的塑料封装或其他合适的封装。在一些实施方案中，封装212可以配置为安装在印刷电路板上。

图3是另一种射频隔离器的剖视图，该隔离器具有由面内介电材料耦合的两个天线。射频隔离器300包括许多与射频隔离器200有关的相同部件。然而，在图3的实施例中，射频隔离器包括基板304，在其上可以形成介电层210。基板304和介电层210的组合可以形成独立的管芯302，与管芯202和206不同。因此，图3的结构可以使其自身具有与图2的结构不同的制造技术。例如。为了形成图3的射频隔离器300，可以通过在基板304上沉积介电层210来形成管芯302。基板304可以是介电基板，其介电常数小于介电层210的介电常数。在基板304上形成介电层210之后，管芯302可以翻转并与管芯202和206结合。在一些实施方案中，天线204和208可以包括在管芯302中。

图4a示出了图3的射频隔离器的一般化版本，其中包括三个管芯，202、206和402。管芯402可以采用各种形式，其选项在图4b-4c中示出，并且可以包含绝缘的单层或多层电介质以及发射侧和接收侧天线(例如，水平偶极子)。管芯202和206也可以采用各种形式，其示例在图4d-4e中示出，并且可以包括耦合到管芯402的发送侧和接收侧天线的有源和无源天线馈电电路。

管芯402可以采用几种形式中的一种。作为非限制性示例，管芯402可包括高介电材料。射频隔离器的天线可以嵌入其中。根据一个实施例，管芯402包括单层高介电材料，其中设置有两个水平偶极子。

图4b示出了管芯402的替代结构。在该非限制性示例中，管芯402包括介电层210和低介电缓冲层406。如图所示，天线204和208可以嵌入低介电常数缓冲层406内，或者可选地，在介电层210中。在天线204和208嵌入低介电常数缓冲层406的那些实施例中，尽管如此，射频信号仍然可以通过天线之间的介电层210传输，只要天线足够接近介电层210即可。在一些这样的实施例中，天线在介电层210的10微米内、在介电层210的5微米内、在介电层210的2微米内，并且在一些实施例中接触介电层210。低介电常数缓冲层406可具有1至500微米、2至100微米之间的厚度、或这些范围内的任何值范围值。作为非限制性示例，低介电常数缓冲层406可以由氧化铝、聚酰亚胺或氧化硅形成。在一些实施方案中，低介电常数缓冲层可以由多个缓冲层形成。

图4c示出了管芯402的另一变型，其与图4b的实施例的不同之处在于，介电层210上包括低介电值的多层或单层基板408。

管芯402的另一个例子是图3所示的管芯302的结构。也就是说，管芯402可以包括具有如前所述的基板304的介电层210。

图4d和4e示出了管芯202和206的构造的示例。在图4d的示例中，管芯202和/或管芯206包括电路层410和基板412。电路层可以包括有源和/或无源电路，并且可选地可以包括钝化。基板412可以是硅衬底、其他类型的半导体衬底、或任何其他合适的基板材料。

在图4e的实施例中，包括低介电常数缓冲层414，其可以是与低介电常数缓冲层406相同类型的缓冲材料。

图4a的射频隔离器可以是关于管芯202、206和402描述的任何示例的组合。在一个实施例中，管芯402是单层高介电常数材料，其中嵌入有水平偶极天线，管芯202和206是图4e所示的类型。

用于射频隔离器400的替代结构在图4f中示出，图4f是具有通过平面内介电材料耦合的两个天线的射频隔离器的剖视图。射频隔离器400与先前描述的射频隔离器300的不同之处在于包括管芯402而不是管芯302。管芯402包括介电层210、基板304和基板404。基板404可包括有损耗材料。在一些实施方案中，基板404包括具有电路的半导体材料，尽管该电路是可选的。

图5示出了图3的射频隔离器的替代方案。射频隔离器500包括与其在图3的隔离器中的取向相比上下颠倒的管芯302。即，在射频隔离器500中，管芯302具有靠近管芯202和204的基板304，以及远离管芯202和206的介电层210。天线204和208通过引线接合502电耦合到管芯202和206。

图6a-6b分别示出了具有两个具有相反取向的孔径的天线的射频隔离器的透视图和横截面图。在这些例子中，天线具有相互面对的相关天线腔。为了便于说明，图6a示出了没有周围结构的天线部件，而图6b包括周围结构。

参照图6a，射频隔离器600包括天线604和608。天线604包括馈电610、导电板612和614、以及限定孔径630的多个导电通孔或柱616。天线608包括馈电620、导电板622和624、以及限定孔径632的导电通孔或柱626。

馈电610和导电通孔616可以由铝、金、铜、钨或任何其他合适的导电材料形成。导电板612和614可以由任何这些材料或其他合适的导电材料形成。如图所示，导电通孔616可以在一端接触导电板612，在另一端接触导电板614。与导电通孔616组合的导电板612和614可以构成天线604的喇叭，从孔径630投射射频信号。导电通孔可以组合起到反射器的作用。在所示的实施例中，导电通孔616可以布置成形成“u”形的基本直线，没有导电通孔位于孔径630处。其他配置是可能的，包括图7a的配置，下面进一步描述。

天线608可以由与天线604相同的材料形成。这样做可以简化结构的制造。而且，通过使天线604和608彼此基本相同，可以促进隔离器600的正确操作。因此，在至少一些实施例中，天线604和608基本相同但具有相对的孔径。

如图6b所示，天线604可以设置在第一管芯640a上，天线608设置在第二管芯640b上。第一管芯640a可选地在管芯桨641a上，第二管芯640b可选地在管芯桨641b上。在一些实施方案中，管芯640a和640b中的一个或两个包括电路，但并非所有实施例都在这方面受到限制。基板642可以设置在介电层210上方，并且可以是玻璃或其他合适的介电材料。支撑件644，例如第三管芯或填充材料，可以设置在第一和第二管芯640a-640b之间，以为介电层210提供支撑。支撑件644可以由诸如聚酰亚胺或任何其他合适的材料的电介质形成。在至少一些实施例中，介电层210的介电常数大于支撑644和基板642的介电常数，这有助于将由天线604和608交换的射频信号限制到介电层210。

如从图6a和6b应当理解的，来自馈电610的信号可以通过导电板612和614以及导电通孔616的操作而朝向天线608投射。与基板642和支撑件644相比，介电层210的厚度t以及相对较高的介电层210的介电常数，当它们在天线604和608之间的距离l上传播时，有助于将由天线604和608交换的射频信号限制在介电层210内。射频信号可以由天线608的馈源620接收。

为了防止馈电线610和620的位置处的短路，开口646和648分别形成在导电板614和624中。可选地，也可以在导电板612和622中形成开口。在一些实施方案中，馈电不接触任一导电板。

图6c示出了图6a的导电通孔616的非限制性示例，并且可以表示射频隔离器600的导电通孔中的任何一个，包括导电通孔626。可以看出，导电通孔616的相对端接触导电板612和614。在一些实施方案中，导电通孔616和导电板612和614可以是包括基板642和介电层210的管芯的一部分。可选地，可以包括附加导电层650以接触导电板614(例如，与导电板614直接接触)。导电层650可以是金属或其他导电材料，例如先前关于射频隔离器600的导电通孔所描述的任何导电材料，可以是管芯640a的一部分。在导电通孔626的情况下，可以任选地包括类似的导电层作为管芯640b的一部分。

图6d示出了进料610的非限制性实例。在一些实施方案中，进料620具有相同的构造。进料610可以在第一端通过层652接触。层652可以包括不同类型的材料，这取决于进料是电流进料还是电压进料。当馈电610是电流馈电时，层652可以是导电的并且可以是例如导电板612。当馈电610是电压馈电时，层652可以是电介质。

馈电器610的相对端可以接触导电层，例如导电板614的材料。然而，如前所述，为了防止电短路，馈电610可以与导电板614的其余部分隔离。在图示的实施例中，可以提供诸如sio2的绝缘体654以电隔离馈电610。可以可选地提供附加的导电层656，并且当提供时，可以直接接触导电板614。在一些实施方案中，层652、馈电610和导电板614可以是包括基板642和介电层210的管芯的一部分。导电层656可以是金属或其他导电材料，例如先前关于射频隔离器600的导电通孔所描述的那些中的任何一个，可以是管芯640a的一部分。在进料620的情况下，可任选地包括类似的导电层作为管芯640b的一部分。

图7a-7b示出了图6a-6b的替代方案，提供了具有孔径730的微制造天线的透视图和分别具有两个这样的天线的射频隔离器的横截面图。在图7b中，天线具有相反取向的孔径。射频隔离器700的组件与射频隔离器600的组件相同，尽管导电通孔616和626以曲线配置而不是图6a和6b的直线配置。

射频隔离器600和700中的各种部件的间隔可以采用值来提供天线对射频信号的期望发射和接收。参照图7a，馈电610可以与最近的导电通孔616隔开大约1/4λ、1/5λ和1/3λ之间的距离，或者该范围内的任何值，其中λ是发射的射频信号的波长，并且具有与结合图1描述的频率相对应的任何值。作为非限制性实例，导电通孔616的间距可以是大约1/10λ、大约在1/20λ和1/4λ之间、在1/15λ和1/3λ之间，或这些范围内的任何值。

天线之间的距离l可以是大约1mm、在0.5mm和10mm之间，或者在该范围内的任何值或值范围。厚度t可以是约0.5mm、5微米至1毫米、5微米至5毫米，或这些范围内的任何值或值范围。孔径630、632和730可以是大约1λ、在0.5λ和10λ之间，或者在该范围内的任何值或值范围。

图8a示出了射频隔离器的顶视图，该射频隔离器具有两个天线和衍射光栅，以引导两个天线之间的发射。图8b是图8a的射频隔离器的剖视图。

射频隔离器800包括天线802和804。天线802包括喇叭806a和馈电808a。天线804包括喇叭806b和馈电808b。天线设置在介电层810内，介电层810可包括先前结合介电层210描述的任何材料。

如图所示，介电层810包括光栅812a和812b。虽然在图8a的顶视图中介电层810被示出为具有大致矩形形状，但是应当理解，介电层810的轮廓的其他形状是可能的，并且包括多边形和圆形形状。对于此前描述的所有介电层210也是如此。

参考图8b，并且还考虑先前描述的介电层210，介电层的厚度和介电层210和810的相对介电常数与周围材料的厚度相比，可以提供z方向的射频信号的限制。可以提供光栅812a和812b以将射频信号限制在y方向上。例如，对于由天线802发射的射频信号，其撞击介电层810的侧边界，光栅812a和812b可以产生跟随路径814a-814b的那些射频信号。也就是说，射频信号可以在介电层810内偏转并因此朝向天线804偏转。在没有光栅812a-812b的情况下，照射在介电层810侧面的任何这种射频信号可以沿路径816a-816b离开。

所示的光栅812a-812b的图案化表示非限制性示例。光栅的其他配置是可能的。

虽然已经示出了各种天线配置，包括图6a、7a和8a的天线配置，但是本申请的方面适用于替代天线配置。可以实现横向磁(tm)和横向电(te)场天线两者，尽管可以使用横向磁场天线对电介质板中的射频信号进行优异的限制。天线可以是八木天线(例如，te八木天线)、对数周期天线、线性阵列天线、更一般地是偶极阵列、或其他类型的定向天线。图9a和9b示出了另一个例子。

图9a是包括天线902和904的射频隔离器900的顶视图。天线902包括主元件906a、反射器907a和导向器908a。天线904包括主元件906b、反射器907b和导向器908b。这些组件在所示实施例中位于介电层903内，但是在一些实施例中可以在介电层903之外但在10微米之内。天线902朝向天线904发射射频信号910。反射器907a和907b可以具有如图所示的分段配置，或者在一些实施例中可以是连续的。导向器908a和908b是可选的。

在图9b的横截面图中，可以看出射频隔离器900还包括围绕介电层903的层912和914。介电层903可以是与先前在此描述的介电层210相同的材料，并且在至少一些实施例中具有比层912和914更高的介电常数。层912和914都可以是介电层。

射频隔离器900的反射器和导向器可以由任何合适的材料制成，并且具有用于在射线天线902和904之间引导射频信号910的任何合适的配置。例如，反射器和/或导向器可以由导电通孔(例如前面结合图6a和7a描述的那些)形成。但是，替代方案是可能的。

因此，从前述内容应当理解，可以根据本申请的方面实现各种天线类型。这些天线类型中的任何一种都可以与介电层一起微制造，该介电层被配置为将射频信号限制在射频隔离器的天线之间的路径上。

更一般地，根据本申请的方面的射频隔离器可以包括金属和/或非金属辐射、调谐、反射和/或引导元件，其示例已经被描述。这些元件可以配置成提供射频隔离器的天线的定向操作，从而在天线之间提供足够程度的耦合。在一些实施方案中，射频隔离器的天线是匹配的天线，具有相同的结构。

另外，虽然图中所示的实施例表示射频隔离器的天线相对于彼此水平设置的情况，但是垂直配置也是可能的。也就是说，本申请的实施例包括具有两个天线的射频隔离器，所述两个天线设置在微制造结构的不同层内并且具有彼此面对的孔径。介电层的尺寸可以被设计成以与介电层210相同的方式(但是垂直定向)表示天线之间的垂直通信路径。射频信号可以通过具有比周围材料更高介电常数的介电层在天线之间通信并配置到介电层。

本文描述的射频隔离器可以使用微制造技术制造，例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光或其他这样的技术。例如，参考图6b的射频隔离器，导电板612和622可以形成在基板642上并被图案化成所需的形状。介电层210可以沉积或以其他方式形成在基板642上。然后可以图案化介电层210以形成沟槽，填充沟槽以形成导电通孔616和626。可以沉积并图案化导电板614和624以产生期望的形状。随后，该结构可以结合到管芯640a和640b。可以在粘合之前或之后形成进料610和620。因此，可以使用诸如所描述的那些平面处理技术来形成该结构。

本文所述类型的射频隔离器可提供各种益处。例如，与光学隔离器相比，射频隔离器可能经历由老化引起的相对小的负面影响。射频隔离器的材料，例如介电层和金属层，可以是坚固的并且经受老化的很小的负面影响。而且，射频隔离器可以适合于在宽范围的频率上发送信号。此外，射频隔离器可以表现出比光学隔离器更好的共模瞬变抗扰度(cmti)。

这里描述的射频隔离器可以用在各种应用中。例如，电隔离系统之间的数据传输和/或功率传输可以利用这里描述的射频隔离器来完成。作为一个示例，正在执行医疗程序的房间中的医疗设备可以与控制室中的控制系统电流隔离。例如，正在执行该过程的房间中的一件医学成像设备和/或监视器可以与控制成像设备和/或显示器的操作的系统隔离。隔离器可以是本文所述任何类型的射频隔离器，并且隔离信号路径可以是模拟的或数字的。

作为另一个例子，工业设备可以与控制设备的控制系统隔离。例如，高瓦数电动机可以与控制系统隔离，控制系统通过本文所述类型的射频隔离器控制它们的操作。隔离器可以设置在电路板上，在该电路板上包括连接到电动机和/或控制设备的各种电路部件。

本文描述的射频隔离器的其他用途也是可能的，因为所描述的那些示例是非限制性的。

在一些实施方案中，术语“大约”和“大约”可用于表示目标值的±20％内，在一些实施方案中表示目标值的±10％内，在一些实施方案中表示目标值的±5％内，在一些实施方案中表示目标值的±2％内。术语“大约”和“大概”可以包括目标值。