成像像素的制作方法

文档序号:18209504发布日期:2019-07-19 22:08阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种成像像素(100),其特征在于,所述成像像素包括:

上衬底层(30);

下衬底层(32);

所述上衬底层(30)中的浮动扩散区(52);

所述上衬底层(30)中的光电二极管(36),所述光电二极管(36)耦接到所述浮动扩散区(52);

所述下衬底层(32)中的源极跟随器晶体管(62);

所述上衬底层(30)与所述下衬底层(32)之间的互连层(34),其中所述互连层(34)将所述浮动扩散区(52)耦接到所述源极跟随器晶体管(62)而无需通过介于中间的附加浮动扩散区;以及

附加晶体管,用于提供双转换增益模式,其中在所述附加晶体管断开时将所述成像像素置于高转换增益模式,在所述附加晶体管接通时将所述成像像素置于低转换增益模式。

2.根据权利要求1所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述上衬底层(30)中的重置晶体管(54)。

3.根据权利要求2所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述上衬底层(30)中的转移晶体管(50)。

4.根据权利要求3所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述下衬底层(32)中的行选择晶体管(64)。

5.根据权利要求4所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

第一金属层,所述第一金属层将所述互连层(34)连接到所述浮动扩散区(52);以及

第二金属层,所述第二金属层将所述互连层(34)连接到所述源极跟随器晶体管(62)。

6.根据权利要求5所述的成像像素,其中,所述第一金属层、所述互连层和所述第二金属层将所述浮动扩散区电耦接到所述源极跟随器晶体管。

7.根据权利要求1所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

重置晶体管(54),其中所述互连层(34)不直接耦接到所述重置晶体管(54)。

8.根据权利要求7所述的成像像素,其中所述重置晶体管(54)在所述上衬底层(30)中形成。

9.根据权利要求8所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述上衬底层中的偏置电压输送线路,其中所述重置晶体管耦接在所述偏置电压输送线路与所述浮动扩散区之间。

10.根据权利要求1所述的成像像素,其中所述互连层(34)仅耦接到所述源极跟随器晶体管(62)和所述浮动扩散区(52)。

11.根据权利要求1所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述上衬底层(30)中的转移晶体管(50);

所述下衬底层中的金属层以及

附加互连层(34-2),所述附加互连层(34-2)将所述转移晶体管耦接到所述金属层。

12.根据权利要求1所述的成像像素,其中所述互连层(34)包含金属,并且所述互连层(34)被定位成使得入射光子从所述互连层(34)反射出来并朝所述光电二极管(36)反射。

13.一种成像像素(100),其特征在于,所述成像像素包括:

第一晶圆;

第二晶圆;

所述第一晶圆中的浮动扩散区(52);

所述第一晶圆中的光电二极管(36),所述光电二极管(36)耦接到所述浮动扩散区(52);

所述第一晶圆中的偏置电压输送线路;

所述第一晶圆中的重置晶体管(54),所述重置晶体管(54)耦接在所述偏置电压输送线路(56)与所述浮动扩散区之间;以及

附加晶体管,用于提供双转换增益模式,其中在所述附加晶体管断开时将所述成像像素置于高转换增益模式,在所述附加晶体管接通时将所述成像像素置于低转换增益模式。

14.根据权利要求13所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述第二晶圆中的行选择晶体管(64)。

15.根据权利要求14所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述第二晶圆中的源极跟随器晶体管(62)。

16.根据权利要求15所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的互连层(34),其中所述互连层(34)将所述浮动扩散区(52)直接耦接到所述源极跟随器晶体管(62)。

17.一种成像像素,其特征在于,所述成像像素包括:

上衬底层;

与所述上衬底层分开形成的下衬底层,其中所述上衬底层与所述下衬底层重叠;

所述上衬底层中的浮动扩散区;

所述上衬底层中的光电二极管,所述光电二极管耦接到所述浮动扩散区;

所述下衬底层中的源极跟随器晶体管;

插置在所述上衬底层和所述下衬底层之间的互连层,其中所述互连层将所述浮动扩散区直接耦接到所述源极跟随器晶体管;以及

附加晶体管,用于提供双转换增益模式,其中在所述附加晶体管断开时将所述成像像素置于高转换增益模式,在所述附加晶体管接通时将所述成像像素置于低转换增益模式。

18.根据权利要求17所述的成像像素,其中所述光电二极管为所述成像像素中的唯一光电二极管。

19.根据权利要求17所述的成像像素,其中所述互连层设置在所述上衬底层的下方和所述下衬底层的上方。

20.根据权利要求17所述的成像像素,其中,所述成像像素还包括:

所述上衬底层中的偏置电压输送线路;以及

所述上衬底层中的重置晶体管,所述重置晶体管耦接在所述浮动扩散区与所述偏置电压输送线路之间。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1