磁路系统结构及扬声器的制作方法

本实用新型涉及电声换能器，尤其涉及磁路系统结构及扬声器。

背景技术：

跌落试验是考验扬声器可靠性的一个重要指标。跌落时，出现不良比例最高的是中心磁钢与轭铁脱离，造成跌落试验后的产品异常音。目前粘接磁钢的轭铁面大多光滑，有部分扬声器中的轭铁表面做有压花结构，但都不能有效提高轭铁与磁钢之间的粘接力，都存在一定比例的跌落不良。

由于目前磁钢与轭铁粘接普遍使用厌氧胶，粘接磁钢的时候需要热压工艺，将磁钢和轭铁压紧，挤出磁钢和轭铁缝隙中的空气，将胶水摊开，以达到粘接目的。但是热压的时候，会将胶水压的很薄，热压压力越大，跌落掉磁比例越高；热压压力过小时，胶水摊胶不均匀，跌落掉磁比例也很高。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种轭铁与磁钢连接稳定的磁路系统结构及扬声器。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：磁路系统结构，包括轭铁和设于所述轭铁顶面的磁钢，磁钢与轭铁通过厌氧胶粘接，所述轭铁的顶面设有容胶槽，所述容胶槽的深度为0.01-0.1mm，所述磁钢覆盖所述容胶槽的开口区域，所述厌氧胶填充所述容胶槽。

进一步的，所述容胶槽的深度为0.01-0.05mm。

进一步的，所述容胶槽的深度为0.02mm。

进一步的，所述容胶槽对应于覆盖其的磁钢的中央区域设置。

进一步的，所述容胶槽的数量与所述磁钢的数量相等，且所述容胶槽与所述磁钢一一对应设置。

本实用新型还采用以下技术方案：扬声器，包括上述磁路系统结构。

本实用新型的有益效果在于：通过实验发现，磁钢与轭铁之间的厌氧胶的厚度控制在0.01mm-0.1mm时，厌氧胶的粘接力比较大，为保证胶水厚度及摊胶面积，本方案在轭铁上设置位于磁钢底部的容胶槽以存储胶水，保证胶水厚度，达到了提高粘接力的作用，从而保证了轭铁与磁钢连接的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的磁路系统结构的俯视图；

图2为本实用新型实施例一的磁路系统结构的剖视图。

标号说明：

1、轭铁；

2、磁钢；

3、容胶槽；

4、厌氧胶。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本实用新型最关键的构思在于：在轭铁上设置位于磁钢底部的容胶槽以存储胶水，保证胶水厚度，达到了提高粘接力的作用，从而保证了轭铁与磁钢连接的稳定性。

请参照图1和图2，磁路系统结构，包括轭铁1和设于所述轭铁1顶面的磁钢2，磁钢2与轭铁1通过厌氧胶3粘接，所述轭铁1的顶面设有容胶槽3，所述容胶槽3的深度为0.01-0.1mm，所述磁钢2覆盖所述容胶槽3的开口区域，所述厌氧胶3填充所述容胶槽3。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：磁钢与轭铁之间的厌氧胶的厚度控制在0.01mm-0.1mm时，厌氧胶的粘接力比较大，为保证胶水厚度及摊胶面积，本方案在轭铁上设置位于磁钢底部的容胶槽以存储胶水，保证胶水厚度，达到了提高粘接力的作用，从而保证了轭铁与磁钢连接的稳定性。

进一步的，所述容胶槽3的深度为0.01-0.05mm。

进一步的，所述容胶槽3的深度为0.02mm。

由上述描述可知，厌氧胶的厚度在0.02mm左右时粘接力最大。

进一步的，所述容胶槽3对应于覆盖其的磁钢2的中央区域设置。

由上述描述可知，轭铁与磁钢之间的粘接力均匀，利于进一步提高磁路系统结构的稳定性。

进一步的，所述容胶槽3的数量与所述磁钢2的数量相等，且所述容胶槽3与所述磁钢2一一对应设置。

扬声器，包括上述磁路系统结构。

由上述描述可知，采用上述磁路系统结构的扬声器工作稳定性好。

实施例一

请参照图1和图2，本实用新型的实施例一为：扬声器，包括磁路系统结构，所述磁路系统结构包括轭铁1和设于所述轭铁1顶面的磁钢2，磁钢2与轭铁1通过厌氧胶3粘接，所述轭铁1的顶面设有容胶槽3，所述容胶槽3的深度为0.01-0.1mm，所述磁钢2覆盖所述容胶槽3的开口区域，所述厌氧胶3填充所述容胶槽3。

所述磁路系统结构既可以是单磁路系统结构，也可以是三磁路系统结构，还可以是五磁路系统结构等多磁路系统结构。

进一步的，所述容胶槽3的深度为0.01-0.05mm。优选的，所述容胶槽3的深度为0.02mm。当容胶槽3的深度在0.02mm左右时，磁路组件从现有的30次定向跌落掉磁提高到200次定向跌落不掉磁，优化效果极为显著。

所述容胶槽3对应于覆盖其的磁钢2的中央区域设置。

所述容胶槽3的数量与所述磁钢2的数量相等，且所述容胶槽3与所述磁钢2一一对应设置。

综上所述，本实用新型提供的磁路系统结构及扬声器，轭铁与磁钢连接稳定，利于提高扬声器工作的稳定性。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。