测试语音突破讯号电路及其量测方法与流程

本发明专利涉及语音测试领域，特别是涉及一种测试语音突破讯号电路及其量测方法。

背景技术：

目前，对于具有音频功能的通信类产品，如手机等，在欧盟市场上销售，必须经过相应的电磁兼容性测试；即对于语音信号需要进行音频突破测试，来验证音频信号在经受外界干扰情况下，语音信号的性能是否受影响，是否影响通话质量，其中辐射抗扰度和传导抗扰度测试是电磁兼容性测试要求的两个测试项目。

而电磁兼容性(electromagneticcompatibility,emc)，主要包括两个大的测试：emi(electromagneticinterference,emi)和ems(electromagneticsusceptibility，ems)。而emi称为电磁场主动干扰，而ems称为电磁场抗扰能力。而主要介绍ems的其中一项为语音突破(英文缩写abt)，其主要应用于到支持语音通话的通信终端设备，比如手机、固话、平板等。一般通过测试语音突破水平来判定音质的好与坏(干扰信号解调的音频信号是否超标)。而与语音突破相关的有两类测试分别为：一种是辐射测试(radiatedsusceptibility,rs)，另一种是传导测试(conductedsusceptibility,cs)，前者是在天线源辐射3v/m或10v/m的电磁场下测试，后者是在电源连接器上注入3v或10v的干扰测试。如果rs或cs测试失败，欧盟禁止该产品在其市场上销售，不可获得产品准入许可。而美洲对于rs或cs没有强制要求。

rs和cs的测试要求被测物按照正常使用方式搭建测试环境，也就意味着测试中需要搭配耳机和充电器。而这一项测试对于耳机和充电器供应商要求基本是透明的，没有具体的方案实施。所以在遇到rs和cs的问题都是终端厂家在产品中想办法。cs测试时，3v干扰源是通过usb充电器注入的，所以终端厂家为了过该项测试会直接在usb线上加磁环处理。对于rs测试，测试终端设备充分的暴漏在3v/mor10v/m的辐射场，dut、耳机和充电器都会接收干扰信号，再通过音频解调成干扰信号，从而对有用的语音信号产生干扰。

语音突破项分为uplink和downlink，uplink是指通过综测仪端接收射频信号解调后的音频，而downlink是指耳机接收到的语音水平。在测试过程中是要求把麦克风(mic)孔堵住，排除外界声源的干扰。测试要求rs和cs的音压水平值低于-35dbpa，否则判定为突破。

如果遇到rs或者cs问题，常见的解决办法是更改耳机mic预留的匹配位，耳机内部原理图，其主要分为：左声道、右声道、mic和耳机主地。在mic通路中通常会预留一些电容匹配位，但是厂家为了节省成本，通常不会在此处贴物料。事实上在rs或者csdebug测试中，此处加滤波电容也不一定能完全解决问题。就如上述所说，测试整个过程mic是堵住的，不会有音频输入信号，所以综测仪端解调出来的不会是有用的音频信号而是干扰信号。如图1所示，左右声道通常不会加入任何滤波电容，主要防止干扰影响语音水平。

因此，本发明专利的主要目的在于提供一种测试语音突破讯号电路及其量测方法，以更优化上述所提之问题。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明专利的目的在于，提供一种测试语音突破讯号电路，包括：一电源控制单元,所述电源控制单元的一第一端电性耦接一第一节点,所述电源控制单元的一第二端电性耦接一第二节点,所述电源控制单元的一第三端电性耦接一第三节点,所述电源控制单元的一第四端电性耦接一第一电阻单元；一第一电容单元,所述第一电容单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第一电容单元的另一端电性接地；一第二电容单元,所述第二电容单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第二电容单元的另一端电性接地；以及一第三电容单元,所述第三电容单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电容单元的另一端电性接地。

本发明专利的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第二电阻单元,所述第二电阻单元的一端电性耦接所述第一电阻单元,所述第二电阻单元的另一端电性接地。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第三电阻单元,所述第三电阻单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电阻单元的另一端电性耦接一第一扬声单元。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第四电阻单元,所述第四电阻单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第四电阻单元的另一端电性耦接一第二扬声单元。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第五电阻单元,所述第五电阻单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第五电阻单元的另一端电性耦接一第三扬声单元。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第六电阻单元,所述第六电阻单元的一端电性耦接一1.8伏特的电源控制单元,所述第六电阻单元的另一端电性耦接所述第二扬声单元。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第七电阻单元,所述第七电阻单元的一端电性接收一第一差分讯号,所述第七电阻单元的另一端电性接地。

在本发明专利的一实施例中，更包括一第四电容单元,所述第四电容单元的一端电性接收一第二差分讯号,所述第四电容单元的另一端电性耦接所述第二电阻单元。

在本发明专利的一实施例中，更包括一二极管单元,所述二极管单元的一端电性耦接一第四扬声单元,所述二极管单元的另一端电性接地。

本发明专利的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

本发明专利的另一目的为提供一种测试语音突破讯号电路的量测方法，包括：提供一电源控制单元,所述电源控制单元的一第一端电性耦接一第一节点,所述电源控制单元的一第二端电性耦接一第二节点,所述电源控制单元的一第三端电性耦接一第三节点,所述电源控制单元的一第四端电性耦接一第一电阻单元；提供一第一电容单元,所述第一电容单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第一电容单元的另一端电性接地；提供一第二电容单元,所述第二电容单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第二电容单元的另一端电性接地；提供一第三电容单元,所述第三电容单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电容单元的另一端电性接地；提供一第二电阻单元,所述第二电阻单元的一端电性耦接所述第一电阻单元,所述第二电阻单元的另一端电性接地；提供一第三电阻单元,所述第三电阻单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电阻单元的另一端电性耦接一第一扬声单元；提供一第四电阻单元,所述第四电阻单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第四电阻单元的另一端电性耦接一第二扬声单元；提供一第五电阻单元,所述第五电阻单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第五电阻单元的另一端电性耦接一第三扬声单元；提供一第六电阻单元,所述第六电阻单元的一端电性耦接一1.8伏特的电源控制单元,所述第六电阻单元的另一端电性耦接所述第二扬声单元；提供一第七电阻单元,所述第七电阻单元的一端电性接收一第一差分讯号,所述第七电阻单元的另一端电性接地；提供一第四电容单元,所述第四电容单元的一端电性接收一第二差分讯号,所述第四电容单元的另一端电性耦接所述第二电阻单元；提供一二极管单元,所述二极管单元的一端电性耦接一第四扬声单元,所述二极管单元的另一端电性接地；以及透过所述第二电阻单元与所述第四电容及所述第七电阻单元的连接,量测所述第一差分讯号及所述第二差分讯号的波形讯号。

本发明专利透过电源控制单元连接滤波电容，并通过不断测试，最终确定在左右声道和麦克风孔并联680pf电容值。且在印刷电路板上的音频插孔(audiojack)加磁珠，而通过综测仪端接收射频信号解调后的音频的突破点在40-60mhz范围，而可以使用谐振点在此频率范围内高阻抗的磁珠，这样抑制干扰效果将会更好，因而使音压值完全满足要求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1为范例性的耳机内部示意图。

图2为本发明一实施例的测试语音突破讯号电路图。

图3a为量测图2中的第二电阻单元为0欧姆时在本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图。

图3b为量测图2中的第二电阻单元为0欧姆时本发明另一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图。

图4a为量测图2中的第二电阻单元为600欧姆时本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图。

图4b为量测图2中的第二电阻单元为600欧姆时本发明另一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图。

图5为本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的量测方法流程图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明专利可用以实施的特定实施例。本发明专利所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明专利，而非用以限制本发明专利。

在本发明的实施例中，为了协助解释本发明的方法，将假定用一测试语音突破讯号电路来执行本发明的方法。然而，应该理解的是，装置和/或方法可以变化，并不需要完全按照下述描述的彼此关联工作，这些变化都在目前实施例的范围内。可以理解的是，在一些实施例中，本发明的处理方法可通过一测试语音突破讯号电路中被实现，例如通过运行驱动芯片。应当强调的是，除非另有说明，本发明的方法不需要按照如图所示的确切顺序被执行；并且类似的多个流程(blocks)可以并行地被执行，而不是按顺序；因此，本发明的方法的元素在文中称为"流程(blocks)"而不是"步骤"。还应当理解的是，方法也可以在测试语音突破讯号电路的变型上被实现。可以进一步理解，本发明的方法能在处理系统中实现。然而，方法还可以在与系统有相似部件、但设置在不同配置中的相似系统中被实现。

附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明专利不限于此。

另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。

为更进一步阐述本发明专利为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体的实施例，对依据本发明专利提出的测试语音突破讯号电路及其量测方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

图2为本发明一实施例的测试语音突破讯号电路图、图3a为量测图2中的第二电阻单元为0欧姆时在本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图、图3b为量测图2中的第二电阻单元为0欧姆时本发明另一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图、图4a为量测图2中的第二电阻单元为600欧姆时本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图及图4b为量测图2中的第二电阻单元为600欧姆时本发明另一实施例的测试语音突破讯号电路的数据分析图，请参考图2、图3a及图3b，对于downlink来说，解调的音频信号是从音频芯片输出到音频插孔再到耳机，整个通路比较长，测试系统就是监测耳机孔的音压水平，所以在靠近耳机端并联电容效果并不一定明显，而在靠近音频芯片端并电容可能有更好的效果。而对于uplink来说，综测仪接收到手机的上行射频信号后，解调成音频信号，音频分析仪侦测此时的音压水平是否超标。可以看出uplink的测试结果与耳机并没有什么关系，而与手机主板关系比较大，所以我们要保证把整机上所有器件的地都良好的与主地相连，尤其把音频插孔的主地回流到印刷电路板主地。且图2是印刷电路板端音频插孔(audiojack)的原理图，跟耳机音频传输相关的是四根线(左声道、右声道、mic和地)，其中耳机地也作为fm的部分通路，第二电阻单元320如果是0ohm，测试地回流最好，但是此时fm差分线一起接地，此时fm不工作。所以此时第二电阻单元320只能用磁珠，并且磁珠的选型要求既要考虑抑制干扰，又要保证系统回流最小。若以gsm900cs测试语音突破为例，则图3a及图3b是原始的上下行测试数据，可以看出都超过了音压水平标准。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，一种测试语音突破讯号电路10，包括：一电源控制单元100,所述电源控制单元100的一第一端110(举例:mic麦克风孔)电性耦接一第一节点p1(n),所述电源控制单元100的一第二端120(举例:音频左声道)电性耦接一第二节点p2(n),所述电源控制单元100的一第三端130(举例:音频右声道)电性耦接一第三节点p3(n),所述电源控制单元100的一第四端140(举例:音频接地端)电性耦接一第一电阻单元310；一第一电容单元210,所述第一电容单元210的一端电性耦接所述第三节点p3(n),所述第一电容单元210的另一端电性接地；一第二电容单元220,所述第二电容单元220的一端电性耦接所述第二节点p2(n),所述第二电容单元220的另一端电性接地；以及一第三电容单元230,所述第三电容单元230的一端电性耦接所述第一节点p1(n),所述第三电容单元230的另一端电性接地。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第二电阻单元320,所述第二电阻单元320的一端电性耦接所述第一电阻单元310,所述第二电阻单元320的另一端电性接地。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第三电阻单元330,所述第三电阻单元330的一端电性耦接所述第一节点p1(n),所述第三电阻单元330的另一端电性耦接一第一扬声单元410。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第四电阻单元340,所述第四电阻单元340的一端电性耦接所述第二节点p2(n),所述第四电阻单元340的另一端电性耦接一第二扬声单元420。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第五电阻单元350,所述第五电阻单元350的一端电性耦接所述第三节点p3(n),所述第五电阻单元350的另一端电性耦接一第三扬声单元430。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第六电阻单元360,所述第六电阻单元360的一端电性耦接一1.8伏特的电源控制单元105,所述第六电阻单元360的另一端电性耦接所述第二扬声单元420。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第七电阻单元370,所述第七电阻单元370的一端电性接收一第一差分讯号fm1,所述第七电阻单元370的另一端电性接地。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一第四电容单元240,所述第四电容单元240的一端电性接收一第二差分讯号fm2,所述第四电容单元240的另一端电性耦接所述第二电阻单元320。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，更包括一二极管单元500,所述二极管单元500的一端电性耦接一第四扬声单元440,所述二极管单元500的另一端电性接地。

请参考图2，在本发明专利的一实施例中，一种测试语音突破讯号电路的量测方法，包括：提供一电源控制单元100,所述电源控制单元100的一第一端110电性耦接一第一节点p1(n),所述电源控制单元100的一第二端120电性耦接一第二节点p2(n),所述电源控制单元100的一第三端130电性耦接一第三节点p3(n),所述电源控制单元100的一第四端140电性耦接一第一电阻单元310；提供一第一电容单元210,所述第一电容单元210的一端电性耦接所述第三节点p3(n),所述第一电容单元210的另一端电性接地；提供一第二电容单元220,所述第二电容单元220的一端电性耦接所述第二节点p2(n),所述第二电容单元220的另一端电性接地；提供一第三电容单元230,所述第三电容单元230的一端电性耦接所述第一节点p1(n),所述第三电容单元230的另一端电性接地；提供一第二电阻单元320,所述第二电阻单元320的一端电性耦接所述第一电阻单元310,所述第二电阻单元320的另一端电性接地；提供一第三电阻单元330,所述第三电阻单元330的一端电性耦接所述第一节点p1(n),所述第三电阻单元330的另一端电性耦接一第一扬声单元410；提供一第四电阻单元340,所述第四电阻单元340的一端电性耦接所述第二节点p2(n),所述第四电阻单元340的另一端电性耦接一第二扬声单元420；提供一第五电阻单元350,所述第五电阻单元350的一端电性耦接所述第三节点p3(n),所述第五电阻单元350的另一端电性耦接一第三扬声单元430；提供一第六电阻单元360,所述第六电阻单元360的一端电性耦接一1.8伏特的电源控制单元105,所述第六电阻单元360的另一端电性耦接所述第二扬声单元420；提供一第七电阻单元370,所述第七电阻单元370的一端电性接收一第一差分讯号fm1,所述第七电阻单元370的另一端电性接地；提供一第四电容单元240,所述第四电容单元240的一端电性接收一第二差分讯号fm2,所述第四电容单元240的另一端电性耦接所述第二电阻单元320；提供一二极管单元500,所述二极管单元500的一端电性耦接一第四扬声单元440,所述二极管单元500的另一端电性接地；以及透过所述第二电阻单元320与所述第四电容240及所述第七电阻单元370的连接,量测所述第一差分讯号fm1及所述第二差分讯号fm2的波形讯号。

请参考图2、图4a及图4b，在靠近电源控制单元100端并联滤波电容单元210、220、230，因为其突破在40-60mhz频率，我们可以尝试使用大pf级电容或者低nf级电容，通过不断尝试，最终确定在左右声道和mic并联680pf电容(如图2的第一电容单元210、第二电容单元220、第三电容单元230)。而对于上行来说，与耳机本体没有关系，我们在印刷版上的音频插孔上(如上图2的第二电阻单元320)加磁珠，uplink上的突破点也在40-60mhz范围，我们可以使用谐振点在此频率范围内高阻抗的磁珠，这样抑制干扰效果会更好，最终选择在第二电阻单元位置并100mhz600ohm的磁珠。重新测试后，音压值完全满足要求。

图5为本发明一实施例的测试语音突破讯号电路的量测方法流程图。请参考图5，流程s500：提供一电源控制单元,所述电源控制单元的一第一端电性耦接一第一节点,所述电源控制单元的一第二端电性耦接一第二节点,所述电源控制单元的一第三端电性耦接一第三节点,所述电源控制单元的一第四端电性耦接一第一电阻单元。

请参考图5，流程s510：提供一第一电容单元,所述第一电容单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第一电容单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s520：提供一第二电容单元,所述第二电容单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第二电容单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s530：提供一第三电容单元,所述第三电容单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电容单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s540：提供一第二电阻单元,所述第二电阻单元的一端电性耦接所述第一电阻单元,所述第二电阻单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s550：提供一第三电阻单元,所述第三电阻单元的一端电性耦接所述第一节点,所述第三电阻单元的另一端电性耦接一第一扬声单元。

请参考图5，流程s560：提供一第四电阻单元,所述第四电阻单元的一端电性耦接所述第二节点,所述第四电阻单元的另一端电性耦接一第二扬声单元。

请参考图5，流程s570：提供一第五电阻单元,所述第五电阻单元的一端电性耦接所述第三节点,所述第五电阻单元的另一端电性耦接一第三扬声单元。

请参考图5，流程s580：提供一第六电阻单元,所述第六电阻单元的一端电性耦接一1.8伏特的电源控制单元,所述第六电阻单元的另一端电性耦接所述第二扬声单元。

请参考图5，流程s590：提供一第七电阻单元,所述第七电阻单元的一端电性接收一第一差分讯号,所述第七电阻单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s600：提供一第四电容单元,所述第四电容单元的一端电性接收一第二差分讯号,所述第四电容单元的另一端电性耦接所述第二电阻单元。

请参考图5，流程s610：提供一二极管单元,所述二极管单元的一端电性耦接一第四扬声单元,所述二极管单元的另一端电性接地。

请参考图5，流程s620：透过所述第二电阻单元与所述第四电容及所述第七电阻单元的连接,量测所述第一差分讯号及所述第二差分讯号的波形讯号。

本发明专利透过电源控制单元连接滤波电容，并通过不断测试，最终确定在左右声道和麦克风孔并联680pf电容值。且在印刷电路板上的音频插孔(audiojack)加磁珠，而通过综测仪端接收射频信号解调后的音频的突破点在40-60mhz范围，而可以使用谐振点在此频率范围内高阻抗的磁珠，这样抑制干扰效果将会更好，因而使音压值完全满足要求。

“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。所述用语通常不是指相同的实施例；但它也可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。

以上所述，仅是本发明专利的实施例，并非对本发明专利作任何形式上的限制，虽然本发明专利已以具体的实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明专利，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明专利技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明专利技术方案的内容，依据本发明专利的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明专利技术方案的范围内。