反相器结构及其显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种反相器结构及其显示面板，该反相器结构包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管由第一源电极、第一源极区域、第一沟道区域、第一漏极区域、第一漏电极和第一栅电极构成；第二晶体管由第二源电极、第二源极区域、第二沟道区域、第二漏极区域、第二漏电极和第二栅电极构成。本发明提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域，第一漏极区域和第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，可以减少反相器结构的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。
【专利说明】
反相器结构及其显示面板
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体是指一种反相器结构及其显示面板。
【背景技术】
[0002]反相器是可以将输入信号的相位反转180度，反相器电路主要应用在模拟电路中，比如音频放大电路，时钟振荡器电路等。在液晶显示面板的线路设计中，也要经常要用到反相器电路。
[0003]目前，在低温多晶硅(LTPS)半导体薄膜晶体管的线路设计中，反相器的结构是将NTFT和PTFT单独进行设计，因此反相器的高度和面积会影响整个液晶显示面板的高度和面积，从而增加成本。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种反相器结构及其显示面板，以解决现有技术中反相器的高度和面积影响液晶显示面板的高度和面积从而增加成本的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种反相器结构，所述反相器结构包括:
[0006]多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对，所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间，而所述第二沟道区域位于所述第二源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间；
[0007]栅极金属层，包括第一栅电极和第二栅电极，其中，所述第一栅电极设置在所述第一沟道区域上，而所述第二栅电极设置在所述第二沟道区域上，且所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接以作为所述反相器的输入端；
[0008]第一源电极，设置在所述第一源极区域上；
[0009]第二源电极，设置在所述第二源极区域上；
[0010]漏极金属层，包括第一漏电极和第二漏电极，其中，所述第一漏电极设置在所述第一漏极区域上，而所述第二漏电极设置在所述第二漏极区域上，且所述第一漏电极和所述第二漏电极电连接以作为所述反相器的输出端；
[0011]其中，所述第一源电极、所述第一源极区域、所述第一沟道区域、所述第一漏极区域、所述第一漏电极和所述第一栅电极构成第一晶体管;而所述第二源电极、所述第二源极区域、所述第二沟道区域、所述第二漏极区域、所述第二漏电极和所述第二栅电极构成第二晶体管。
[0012]根据本发明一实施例，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域分别为长条状结构，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域排列在同一行中。
[0013]根据本发明一实施例，所述第一漏极区域包括第一主体部分和第一延伸部分，所述第一延伸部分的宽度小于所述第一主体部分的宽度，且所述第一延伸部分从所述第一主体部分靠近所述第一沟道区域的边缘处向所述第二漏极区域的方向延伸；
[0014]所述第二漏极区域包括第二主体部分和第二延伸部分，所述第二延伸部分的宽度小于所述第二主体部分的宽度，且所述第二延伸部分从所述第二主体部分靠近所述第二沟道区域的边缘处向所述第一漏极区域的方向延伸；
[0015]其中，所述第一主体部分与所述第二主体部分至少部分交错相对，且所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的延伸方向彼此相对。
[0016]根据本发明一实施例，所述反相器结构进一步包括:
[0017]层间介质层，设置在所述多晶硅层与所述栅极金属层、第一源电极、第二源电极和所述漏极金属层之间。
[0018]根据本发明一实施例，所述第一源电极通过至少一个孔洞而连接至所述第一源极区域，所述第一漏电极通过至少一个孔洞而连接至所述第一漏极区域;所述第二源电极通过至少一个孔洞而连接至所述第二源极区域，所述第二漏电极通过至少一个孔洞而连接至所述第二漏极区域。
[0019]根据本发明一实施例，所述第一漏电极和所述第二漏电极集成在一起。
[0020]根据本发明一实施例，所述第一晶体管为第一类型晶体管，而所述第二晶体管为第二类型晶体管，且所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管的类型不同。
[0021]根据本发明一实施例，所述第一晶体管为P型薄膜晶体管，而所述第二晶体管为N型薄膜晶体管。
[0022]根据本发明一实施例，所述第一源极区域为P型掺杂区域，所述第一漏极区域为P型掺杂区域;而所述第二源极区域为N型掺杂区域，所述第二漏极区域为N型掺杂区域。
[0023]本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板，所述显示面板包括上述所述的反相器结构。
[0024]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域，第一漏极区域和第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，可以减少反相器结构的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中:
[0026]图1是本发明提供的反相器结构第一实施例的版图设计示意图；
[0027]图2是本发明提供的反相器结构第一实施例的电路图；
[0028]图3是本发明提供的反相器结构第二实施例的版图设计示意图；
[0029]图4是本发明提供的反相器结构第二实施例的版图设计示意图；
[0030]图5是本发明提供的显示面板一实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]请参阅图1，图1是本发明提供的反相器结构第一实施例的版图设计示意图。
[0033]如图1所不，该反相器结构100包括多晶娃层110、栅极金属层120和漏极金属层130，其中，栅极金属层120和漏极金属层130可以设置在同一层，也可以设置在不同层。
[0034]其中，多晶硅层110包括第一源极区域101、第一漏极区域103、第一沟道区域102、第二源极区域104、第二漏极区域106和第二沟道区域105，第一漏极区域103和第二漏极区域106相互匹配且设置在同一行中，且第一漏极区域103和第二漏极区域106所组成的区域与第一源极区域101和第二源极区域104分别相对，第一沟道区域102位于第一源极区域101与第一漏极区域103和第二漏极区域106所组成的区域之间，而第二沟道区域105位于第二源极区域104与第一漏极区域103和第二漏极区域106所组成的区域之间。
[0035]栅极金属层120包括第一栅电极121和第二栅电极122，其中，第一栅电极121设置在第一沟道区域102上，而第二栅电极122设置在第二沟道区域105上，且第一栅电极121与第二栅电极122电连接以作为反相器100的输入端In。
[0036]第一源电极111设置在第一源极区域101上，第一源电极111与高电位VGH连接;第二源电极112设置在第二源极区域104上，第二源电极112与低电位VGL连接。
[0037]漏极金属层130包括第一漏电极131和第二漏电极132，其中，第一漏电极131设置在第一漏极区域103上，而第二漏电极132设置在第二漏极区域106上，且第一漏电极131和第二漏电极132电连接以作为反相器100的输出端Out。
[0038]其中，第一源电极111、第一源极区域101、第一沟道区域102、第一漏极区域103、第一漏电极131和第一栅电极121构成第一晶体管150(以虚线表示)；而第二源电极112、第二源极区域104、第二沟道区域105、第二漏极区域106、第二漏电极132和第二栅电极122构成第二晶体管160(以虚线表示)，反相器100由第一晶体管150和第二晶体管160组成，具体电路图见图2。
[0039]本发明提供的反相器结构100由于设有第一漏极区域103和第二漏极区域106，第一漏极区域103和第二漏极区域106相互匹配且设置在同一行中，可以减少反相器结构100的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。
[0040]在本实施例中，第一漏电极131和第二漏电极132集成在一起;第一源电极111和第二源电极112可以与第一漏电极131和第二漏电极132设置在同一层。其中，第一漏极区域103和第二漏极区域106分别为长条状结构，且第一漏极区域103和第二漏极区域106排列在同一行中，排列结构可以分为左右排列。
[0041]第一晶体管150为第一类型晶体管，而第二晶体管160为第二类型晶体管，且第一类型晶体管和第二类型晶体管的类型不同；具体的，第一晶体管150为P型薄膜晶体管，而第二晶体管160为N型薄膜晶体管。
[0042]具体的，第一源极区域101为P型掺杂区域，第一漏极区域103为P型掺杂区域，P型掺杂区域为掺入三价杂质元素，如硼、镓;而第二源极区域104为N型掺杂区域，第二漏极区域106为N型掺杂区域，N型掺杂区域为掺入五价杂质元素，如磷、砷。
[0043]进一步的，反相器结构100包括层间介质层(图未示)，层间介质层设置在多晶硅层110与栅极金属层120、第一源电极111、第二源电极112和漏极金属层130之间。具体的，层间介质层可以设置在多晶硅层110与栅极金属层120之间；层间介质层可以设置在栅极金属层120与漏极金属层130之间；层间介质层设置可以在第一源电极111与第二源电极112之间，即层间介质层可以设置在不同层之间，也可以设置在同层电极之间，从而起到隔离和绝缘作用。
[0044]请参阅图3，图3是本发明提供的反相器结构第二实施例的版图设计示意图。
[0045]如图3所示，第一漏极区域203包括第一主体部分2031和第一延伸部分2032，第一延伸部分2032的宽度小于第一主体部分2031的宽度，且第一延伸部分2032从第一主体部分2031靠近第一沟道区域202的边缘处向第二漏极区域206的方向延伸；第二漏极区域206包括第二主体部分2061和第二延伸部分2062，第二延伸部分的宽度2062小于第二主体部分2061的宽度，且第二延伸部分2062从第二主体部分2061靠近第二沟道区域205的边缘处向第一漏极区域203的方向延伸;其中，第一主体部分2031与第二主体部分2061至少部分交错相对，且第一延伸部分2032和第二延伸部分2062的延伸方向彼此相对。第二实施例的版图设计不仅减少反相器结构200的高度和面积，还可以保证第一晶体管和第二晶体管的沟道区域的有效宽度。
[0046]请参阅图4，图4是本发明提供的反相器结构第三实施例的版图设计示意图。
[0047]如图4所示，第一源电极311通过至少一个孔洞307而连接至第一源极区域301，第一漏电极331通过至少一个孔洞307而连接至第一漏极区域303;第二源电极312通过至少一个孔洞307而连接至第二源极区域304，第二漏电极332通过至少一个孔洞307而连接至第二漏极区域306。
[0048]请参阅图5，图5是本发明提供的显示面板一实施例的结构示意图。
[0049]如图5所示，该显示面板40包括多个上述的反相器结构300，反相器结构300设置在显示面板40周边电路的线路设计中。
[0050]其中，反相器结构300的结构参见上文，此处不再重复赘述。
[0051]综上所述，本领域技术人员容易理解，本发明提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域，第一漏极区域和第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，可以减少反相器结构的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。
[0052]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种反相器结构，其特征在于，所述反相器结构包括: 多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对，所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间，而所述第二沟道区域位于所述第二源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间； 栅极金属层，包括第一栅电极和第二栅电极，其中，所述第一栅电极设置在所述第一沟道区域上，而所述第二栅电极设置在所述第二沟道区域上，且所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接以作为所述反相器的输入端； 第一源电极，设置在所述第一源极区域上； 第二源电极，设置在所述第二源极区域上； 漏极金属层，包括第一漏电极和第二漏电极，其中，所述第一漏电极设置在所述第一漏极区域上，而所述第二漏电极设置在所述第二漏极区域上，且所述第一漏电极和所述第二漏电极电连接以作为所述反相器的输出端； 其中，所述第一源电极、所述第一源极区域、所述第一沟道区域、所述第一漏极区域、所述第一漏电极和所述第一栅电极构成第一晶体管;而所述第二源电极、所述第二源极区域、所述第二沟道区域、所述第二漏极区域、所述第二漏电极和所述第二栅电极构成第二晶体管。2.根据权利要求1所述的反相器结构，其中，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域分别为长条状结构，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域排列在同一行中。3.根据权利要求1所述的反相器结构，其中，所述第一漏极区域包括第一主体部分和第一延伸部分，所述第一延伸部分的宽度小于所述第一主体部分的宽度，且所述第一延伸部分从所述第一主体部分靠近所述第一沟道区域的边缘处向所述第二漏极区域的方向延伸； 所述第二漏极区域包括第二主体部分和第二延伸部分，所述第二延伸部分的宽度小于所述第二主体部分的宽度，且所述第二延伸部分从所述第二主体部分靠近所述第二沟道区域的边缘处向所述第一漏极区域的方向延伸； 其中，所述第一主体部分与所述第二主体部分至少部分交错相对，且所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的延伸方向彼此相对。4.根据权利要求1所述的反相器结构，其特征在于，所述反相器结构进一步包括: 层间介质层，设置在所述多晶硅层与所述栅极金属层、第一源电极、第二源电极和所述漏极金属层之间。5.根据权利要求4所述的反相器结构，其特征在于，所述第一源电极通过至少一个孔洞而连接至所述第一源极区域，所述第一漏电极通过至少一个孔洞而连接至所述第一漏极区域;所述第二源电极通过至少一个孔洞而连接至所述第二源极区域，所述第二漏电极通过至少一个孔洞而连接至所述第二漏极区域。6.根据权利要求1所述的反相器结构，其特征在于，所述第一漏电极和所述第二漏电极集成在一起。7.根据权利要求1所述的反相器结构，其特征在于，所述第一晶体管为第一类型晶体管，而所述第二晶体管为第二类型晶体管，且所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管的类型不同。8.根据权利要求7所述的反相器结构，其特征在于，所述第一晶体管为P型薄膜晶体管，而所述第二晶体管为N型薄膜晶体管。9.根据权利要求8所述的反相器结构，其特征在于，所述第一源极区域为P型掺杂区域，所述第一漏极区域为P型掺杂区域;而所述第二源极区域为N型掺杂区域，所述第二漏极区域为N型掺杂区域。10.—种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至9任一所述的反相器结构。
【文档编号】G09G3/36GK106057153SQ201610573440
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月20日
【发明人】田勇, 赵莽
【申请人】武汉华星光电技术有限公司