一种扬声器用T铁结构的制作方法

本实用新型属于扬声器技术领域，具体涉及一种扬声器用T铁结构。

背景技术：

常规T铁按结构分为一体、二体、三体之分，产品性能也依势下降，一体结构性能好、价格昴贵，二体结构实用、价格低，三体结构多为超低端产品使用；传统二体结构T铁在使用过程中导磁性能不理想，极芯与华司之间有存在松动的风险。

技术实现要素：

为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种扬声器用T铁结构，具有结构性能好以及价格低的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种扬声器用T铁结构，包括华司，华司的圆心位置开设有通孔，极芯嵌入连接在通孔的内部，且极芯远离华司的一端开设有大沉头，极芯与华司连接的位置开设有倒角结构。

作为本实用新型的优选技术方案，极芯与华司铆接固定。

作为本实用新型的优选技术方案，大沉头为倒梯形结构。

作为本实用新型的优选技术方案，华司的直径为40-100mm，极芯的直径为18-35mm。

作为本实用新型的优选技术方案，极芯与华司连接的位置开设有圆角结构。

作为本实用新型的优选技术方案，倒角结构的角度为C2-C8mm，圆角结构的角度为R1-R6mm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型极芯嵌入在华司的通孔内，通过铆接固定，连接面积更大，连接后更加牢固，开设的大沉头使导磁更加集中；极芯与华司连接的位置开设的倒角结构使T铁对应的磁路B值更大，从而提高了扬声器的灵敏度；

2、本实用新型相比传统一体T铁失大大的降低了失真度，在不影响成品音质的同时，采用本申请的T铁，可降低材料成本15％左右。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型的剖视结构示意图；

图2为本实用新型图1中华司的结构示意图；

图3为本实用新型实施例2的剖视结构示意图。

图中：1、极芯；2、华司；3、倒角结构；4、大沉头；5、圆角结构；6、通孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

请参阅图1-2，本实用新型提供以下技术方案：一种扬声器用T铁结构，包括华司2，华司2的圆心位置开设有通孔6，极芯1嵌入连接在通孔6的内部，且极芯1远离华司2的一端开设有大沉头4，极芯1与华司2连接的位置开设有倒角结构3。

借助于上述技术方案，极芯1嵌入连接在华司2的通孔6内，连接面积更大，连接后更加牢固，开设的大沉头4使导磁更加集中；极芯1与华司2连接的位置开设的倒角结构3使T铁对应的磁路B值更大，从而提高了扬声器的灵敏度。

在本实施例中，对于上述极芯1和华司2来说，极芯1与华司2铆接固定；采用该方案使连接后的极芯1与华司2更加牢固。

在本实施例中，对于上述大沉头4来说，大沉头4为倒梯形结构；采用该方案可以使导磁更加的集中。

在本实施例中，对于上述华司2和极芯1来说，华司2的直径为40-100mm，极芯1的直径为18-35mm；本实施例中华司2的直径为40mm，极芯1的直径为18mm。

在本实施例中，对于上述倒角结构3来说，倒角结构3的角度为C2-C8mm；本实施例中倒角结构3的角度为C2mm。

实施例2

请参阅图3，本实施例与实施例1不同之处在于：在本实施例中，对于上述极芯1和华司2来说，极芯1与华司2连接的位置开设有圆角结构5，圆角结构5的角度为R1-R6mm，本实施例中圆角结构5的角度为R2mm；采用该方案使T铁对应的磁路B值相对于实施例1中的更大。

综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，极芯1嵌入在华司2的通孔6内，通过铆接固定，连接面积更大，连接后更加牢固，开设的大沉头4使导磁更加集中；极芯1与华司2连接的位置开设的倒角结构3使T铁对应的磁路B值更大，从而提高了扬声器的灵敏度；倒角结构3采用圆角结构5，使T铁对应的磁路B值相对倒角结构3更大。

在本实施例中以泡边盆产品改用本申请T铁与一体T铁做成喇叭产品做对比测试：

(1)、音色上的对比：用纯功放对比测试，对比音色度接近99％；

(2)、对比测试失真度，本申请失真度测试值为4.8％，一体T铁失真度测试值为5.7％，起到明显的改善作用；

(3)、在不影响成品音质的同时，采用本申请的T铁，可降低材料成本15％左右。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。