1.一种射频装置，其特征在于，包括：
收发器芯片，所述收发器芯片的发射链路，所述收发器芯片的接收链路，与所述发射链路以及所述接收链路相连的射频开关，以及与所述射频开关相连的天线；其中，所述发射链路包括功率放大器以及功率放大器输入匹配电路，和功率放大器输出匹配电路。
2.根据权利要求1所述的射频装置，其特征在于，所述发射链路还包括滤波器和收发器发射匹配电路，其中，所述收发器发射匹配电路，所述滤波器，所述功率放大器输入匹配电路，所述功率放大器和所述功率放大器输出匹配电路串联。
3.根据权利要求1所述的射频装置，其特征在于，所述接收链路包括低噪声放大器以及与所述低噪声放大器连接的收发器接收匹配电路。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的射频装置，其特征在于，所述射频开关经由滤波器与所述天线相连。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的射频装置，其特征在于，所述射频开关经由多层陶瓷滤波器与所述天线相连。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的射频装置，其特征在于，所述功率放大器输入匹配电路为通过微带线、电容、电感对所述功率放大器进行共轭匹配构成的电路。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的射频装置，其特征在于，所述功率放大器输出匹配电路为通过微带线、电容、电感对所述功率放大器进行负载牵引匹配构成的电路。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的射频装置，其特征在于，
所述功率放大器为硅n沟道mos场效应晶体管rqa0011dns；
所述功率放大器输入匹配电路包括：微带线tl1、电容c26、微带线tl2、电感l5、微带线tl3、电容c28、微带线tl4、电容c27、微带线tl5，其中，微带线tl1的一端分别与电容c26的一端以及微带线tl2的一端相连，电容c26的另一端接地，微带线tl2的另一端与电感l5的一端相连，电感l5的另一端与微带线tl3的一端相连，微带线tl3的另一端分别与电容c28的一端以及微带线tl4的一端相连，电容c28的另一端接地，微带线tl4的另一端分别与电容c27的一端以及微带线tl5的一端相连，电容c27的另一端接地，微带线tl5的另一端与所述功率放大器的栅极相连；
所述功率放大器输出匹配电路包括；微带线tl6、电容c18、微带线tl7、电容c16、微带线tl8、电容c14、微带线tl9、电容c15、微带线tl10，其中，微带线tl6的一端与所述功率放大器的漏极相连，微带线tl6的另一端分别与电容c18的一端以及微带线tl2的一端相连，电容c18的另一端接地，微带线tl7的另一端与电容c16的一端以及微带线tl8的一端相连，电容c16的另一端接地，微带线tl8的另一端分别与电容c14的一端以及微带线tl9的一端相连，电容c14的另一端接地，微带线tl9的另一端分别与电容c15的一端以及微带线tl10的一端相连，电容c27的另一端接地。