MEMS封装结构及MEMS麦克风的制作方法

本实用新型涉及麦克风技术领域，具体涉及一种mems封装结构及mems麦克风。

背景技术：

现有的mems封装结构，其结构如图4所示，包括电路板1、mems芯片2、asic芯片3和壳体4，壳体4通过锡膏10焊接在电路板1上，mems芯片2和asic芯片3位于电路板1与壳体4之间，mems芯片2具有内腔的一侧通过固定胶7固定粘贴在电路板1上，电路板1与mems芯片2的内腔相对应的位置设置有音孔12；asic芯片3通过固定胶8固定粘贴在电路板1上并位于mems芯片2的侧部，mems芯片2通过导线5与asic芯片3电连接，asic芯片3通过导线6与电路板1电连接，且asic芯片3上封装有密封胶9。

上述mems封装结构一共存在两个腔，其中电路板1与壳体4之间形成一个腔，mems芯片2与电路板1之间形成一个腔，两个腔中与音孔12相对应的腔叫做前腔，另外一个腔叫做后腔(背腔)，mems麦克风的信噪比与前后腔大小有关系，后腔体积越大，mems麦克风的信噪比就越高，信噪比越高，噪音就越小，mems麦克风的声学性能就越好。

上述mems封装结构中mems芯片2与asic芯片3均位于电路板1与壳体4之间的腔内，导致mems封装结构的后腔较小，降低了mems麦克风的信噪比；且在对asic芯片3进行封装时，用于封装asic芯片3的密封胶9容易沿导线5爬到mems芯片2表面，造成mems芯片2的污染，影响产品的良率。

技术实现要素：

针对现有技术存在的以上缺陷，本实用新型的第一个目的是提供一种mems封装结构，该mems封装结构解决了现有mems麦克风信噪比低的问题，以及在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶容易对mems芯片造成污染的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种mems封装结构，包括电路板，设置于所述电路板并与所述电路板电连接的mems芯片和asic芯片，以及设置于所述电路板上用于对所述mems芯片和所述asic芯片进行封装的壳体，所述电路板上设置有安装槽，所述asic芯片设置于所述安装槽内，所述mems芯片和所述asic芯片分别通过导线与所述电路板电连接。

其中，所述mems芯片具有内腔的一侧设置于所述电路板上，所述安装槽设置于所述电路板对应所述mems芯片的内腔的位置处。

其中，所述安装槽的槽底设置有音孔，所述asic芯片位于所述音孔的侧部。

其中，所述电路板对应所述mems芯片的内腔的位置处设置有音孔，所述安装槽位于所述音孔的侧部。

其中，所述安装槽位于所述mems芯片的侧部。

其中，所述mems芯片固定粘贴于所述电路板上。

其中，所述asic芯片固定粘贴于所述电路板上。

其中，所述asic芯片上封装有密封胶。

其中，所述壳体焊接或胶粘于所述电路板上。

采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供的mems封装结构，由于在电路板上设置安装槽，asic芯片设置于该安装槽内，与现有技术相比，本实用新型mems封装结构增大了mems封装结构的后腔体积，提高了mems麦克风的信噪比，改善了mems麦克风的声学性能；由于mems芯片和asic芯片分别通过导线与电路板电连接，因此，避免了在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶对mems芯片造成的污染，保证了产品的良率。

本实用新型的第二个目的是提供一种mems麦克风，该mems麦克风解决了现有mems麦克风信噪比低的问题，以及在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶容易对mems芯片造成污染的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种mems麦克风，具有上述技术方案中所述的mems封装结构。

本实用新型提供的mems麦克风，由于具有上述技术方案中所述的mems封装结构，因此，解决了现有mems麦克风信噪比低的问题，提高了mems麦克风的信噪比，改善了mems麦克风的声学性能，同时，避免了在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶对mems芯片造成的污染，保证了产品的良率。

附图说明

图1是本实用新型mems封装结构实施例一的结构示意图；

图2是本实用新型mems封装结构实施例二的结构示意图；

图3是本实用新型mems封装结构实施例三的结构示意图；

图4是现有技术中mems封装结构的结构示意图；

图中：1-电路板，11-安装槽，12-音孔，13-音孔，14-音孔，15-安装槽，16-安装槽，2-mems芯片，3-asic芯片，4-壳体，5-导线，6-导线，7-固定胶，8-固定胶，9-密封胶，10-锡膏。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一：

如图1所示，一种mems封装结构，包括电路板1，设置于电路板1并与电路板1电连接的mems芯片2和asic芯片3，以及设置于电路板1上用于对mems芯片2和asic芯片3进行封装的壳体4，电路板1上设置有安装槽11，asic芯片3设置于安装槽11内。通过在电路板1上设置安装槽11，并将asic芯片3设置于该安装槽11内，增大了mems封装结构的后腔体积，提高了mems麦克风的信噪比，改善了mems麦克风的声学性能。

本实施例中mems芯片2具有内腔的一侧设置于电路板1上，安装槽11设置于电路板1对应mems芯片2的内腔的位置处，安装槽11的槽底设置有音孔13，asic芯片3位于音孔13的侧部。

如图1所示，本实施例中mems芯片2和asic芯片3分别通过导线与电路板1电连接。mems芯片2通过导线5直接与电路板1电连接，asic芯片3通过导线6直接与电路板1电连接，将mems芯片2和asic芯片3分别与电路板1电连接，避免了在对asic芯片3封装时，用于封装asic芯片3的密封胶9对mems芯片2造成的污染，保证了产品的良率。

由于金线导电系数高，且具有较好的延展性，便于作业，因此，本实施例中的导线5和导线6均优选为金线，实际应用中，也可以采用铝线，本实施例对此不作限制。

如图1所示，本实施例中的电路板1为pcb电路板，mems芯片2通过固定胶7固定粘贴于电路板1上；asic芯片3通过固定胶8固定粘贴于电路板1上，且asic芯片3上封装有密封胶9，壳体4焊接或胶粘于电路板1上，本实施例优选壳体4通过锡膏10焊接于电路板1上。

实施例二：

本实施例与实施例一基本相同，其不同之处仅在于：

如图2所示，mems芯片2具有内腔的一侧设置于电路板1上，电路板1对应mems芯片2的内腔的位置处设置有音孔14，安装槽15位于音孔14的侧部，asic芯片3设置于该安装槽15内。

实施例三：

本实施例与实施例一基本相同，其不同之处仅在于：

如图3所示，mems芯片2具有内腔的一侧设置于电路板1上，音孔12设置于电路板1对应mems芯片2的内腔的位置处，安装槽16设置于电路板1上并位于mems芯片2的侧部，asic芯片3设置于该安装槽16内。

由实施例一、实施例二和实施例三可知，本实用新型中的mems封装结构通过在电路板上设置安装槽，并将asic芯片设置于该安装槽内，增大了mems封装结构的后腔体积，提高了mems麦克风的信噪比，改善了mems麦克风的声学性能；通过将mems芯片和asic芯片分别与电路板电连接，避免了在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶对mems芯片造成的污染，保证了产品的良率。

实施例四：

如图1至图3共同所示，一种mems麦克风，具有实施例一、实施例二或实施例三中所述的mems封装结构。

本实用新型中的mems麦克风由于具有实施例一、实施例二或实施例三中所述的mems封装结构，因此，提高了mems麦克风的信噪比，改善了mems麦克风的声学性能，避免了在对asic芯片封装时，用于封装asic芯片的密封胶对mems芯片造成的污染，保证了产品的良率。

本实用新型不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造的劳动，所做出的种种变换，均落在本实用新型的保护范围之内。